用辛烷基硫醇单层保护Au纳米粒子制备CO氧化催化剂Au/γ-Al2O3

采用两相法合成出含活性组分Au的辛烷基硫醇单层保护Au纳米粒子(C8AuNPs)的正己烷溶胶, 用“逐次浸润”法将C8AuNPs负载在γ-Al2O3上, 经真空干燥及活化处理制得Au/γ-Al2O3催化剂. 所制得的Au催化剂前体C8AuNPs/γ-Al2O3表面Au粒子平均粒径可控制在2-3 nm范围内, 且分布比较单一; 催化剂活性评价600 h后, 其表面Au的粒径仍主要分布在2-4 nm范围内; 真空干燥温度影响Au催化剂的粒子尺寸和催化活性, 随着真空干燥温度的提高, Au纳米粒子的粒径增大. 将所制备的催化剂用于低温CO氧化反应, 催化活性评价结果表明, 经25 ℃真空干燥制得的2.5%(质量分数, w)Au/γ-Al2O3具有较高的活性和长期稳定性, 其催化CO完全转化的最低温度为-19 ℃, 在15 ℃下CO完全转化时Au/γ-Al2O3的单程寿命至少900 h; 4.0%(w) Au/γ-Al2O3在15 ℃和进料中含水条件下对CO完全氧化的单程寿命不低于2000 h, 可见催化剂具有强的抗潮湿中毒特性. 综合上述实验结果, 讨论了影响Au/γ-Al2O3催化剂活性的可能因素.     

烯丙基氯氧化制环氧氯丙烷的研究进展

环氧氯丙烷是一种重要的有机化工原料和中间体。本文综述了以H2O2为氧源的烯丙基氯直接环氧化制备环氧氯丙烷的研究进展。分别介绍了以TS-1、Ti-MWW和磷钨杂多酸盐为催化剂的不同催化体系用于烯丙基氯环氧化反应的研究现状,阐述了各种不同催化体系的优缺点和未来的发展方向。     

HTPB与Al不同晶面结合能和力学性能的分子动力学模拟

采用分子力学(MM)和分子动力学(MD)方法, 在250、300、350、400、450 K, 对固体推进剂端羟基聚丁二烯(HTPB)和铝晶胞不同晶面结构所组成的层模型在COMPASS力场下, 进行模拟计算, 求得结合能和静态力学性能(弹性系数、模量和泊松比). 模拟结果表明, 在400 K时HTPB与Al(011)面的结合能最大, 从综合力学性能优劣上看, 各个面从优到劣的排序为(011)>(221)>(001), HTPB与Al的结合能与力学性能具有对应关系, 结合能大的力学性能优异, 结合能小的力学性能较差.     

赏析高考的一个热点——焦点三角形面积

椭圆和双曲线上一点和两焦点组成的三角形叫焦点三角形．它是一个引人注目的三角形,其面积是一个非常重要的几何量,与其相关的问题是各类考试的重点和热点,且题型角度常变,多姿多彩,可谓考试中的常青树,值得我们深入探究．本文从不同角度对高考焦点三角形问题及其解法作了全方位的探究,供读者参考．     

在平凡中创新——2008年江苏卷第18题评析

2008年高考江苏卷第18题:在平面直角坐标系xOy中,设二次函数f(x)=x2+2x+t(x∈R )的图象与两坐标轴有三个交点,经过这三点的圆记为C,求圆C的方程.……     

与P矩阵和LCP有关的量(英文)

发展了与P矩阵有关的基本量的一些新性质,并且改进了由Xiu和Zhang[A characteristic quantity ofP-matrices,Appl.Math.Lett.,2002,15:41-46]提出的水平线性余问题全局误差上限.     

光腔盒底座的模态分析与实验北大核心CSCD

针对实际安装和实验的光腔盒底座,以两种约束方式对真实边界条件进行模拟,通过仿真计算分析两种约束边界对结构动力特性的影响。开展模态实验分析,测得前六阶模态参数,与仿真结果对比,分析底座结构的振型特点以及底部固定情况与顶端波纹管的连接效果。结果表明,光腔盒底座的连接刚度较低,小波纹管对光腔盒的约束作用相对底面约束弱很多,不会改变模态规律。     

一维铁磁材料光子晶体的光学传输特性

利用光学传输矩阵方法,模拟计算了由铁磁材料组成的一维光子晶体的光学传输特性.研究了能带结构随介质层厚度h(O ≤h≤0.5λ0 λ0=1.2×10-6m)变化的规律,并与相同周期结构的普通光子晶体的传输特性进行了比较.结果表明,当O.15λ0＜h＜0.165λ0时,铁磁光子晶体的带隙宽度略小于普通光子晶体的带隙宽度;在h取其他值时铁磁光子晶体的带隙宽度远远大于普通光子晶体的带隙宽度,并且在h=0.25λ0时存在最大值.这种结构的光子晶体通过掺杂有望在多通窄带滤波技术中得到广泛的应用.     

棉花产量的模糊气象预测方法

设计15种模糊气象预测方法,对棉花产量进行预测。研究结果表明,以相关系数和条件概率分别构成模糊向量和模糊矩阵,最后抉择为最佳的Y~=~XB~RP数学模型。通过一个实例195年次运算,有12种模糊气象预报方法回报准确率达100%。     

改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真

p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。