闪烁发光与闪烁晶体研究动态

闪烁体用于X射线和γ射线等高能粒子探测,在核医学、高能物理、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域有着广泛的应用.本文综述了闪烁体的特征,射线与物质的相互作用,卤化物闪烁体,氧化物闪烁体以及高温稀土闪烁体的研究进展.     

掺铥钨酸钡单晶生长和光谱研究

采用Czochralski 法生长出光学质量的BaWO₄:Tm³⁺单晶,利用X粉末衍射实验确定了不同掺杂浓度晶体的晶胞参数.测定了晶体的室温吸收光谱,应用Juud-Ofelt理论,拟合了光谱的3个强度参数,其值分别为Ω₂=404×10^-20cm²,Ω₄=0509×10^-20cm²,Ω关键词： 4：Tm³⁺单晶')" href="#">BaWO₄：Tm³⁺单晶 吸收谱 光谱参数 上转换发光     

一种新的散射光角分布测量技术

 利用特殊研制的凹椭球面反射镜将激光打靶产生的散射光引出真空靶室收入装有胶片的暗盒,对散射光角分布进行精细测量,给出了在靶后２π空间立体角内散射光角分布的三维立体曲线,散射光角分布测量精度达±3°。     

定常Navier—Stokes方程的Petrov—Galerkin方法

研究了定常Navier－Stokes方程的四种Petrov－Galerkin有限元方法：PG1，PG2，SD和GLS．它们都是稳定的，避免了经典混合方法中必要的Babuska－Brezzi条件．给出了各种方法有限元解的存在性、唯一性和唯一解的误差估计．     

仅由PV图能求出热机效率吗？

仅由ＰＶ图上的循环过程难以判定哪些热量是向高低温热源吸放的哪些是与系统同倍的子系统交换的，因此仅由η＝１Ｑ２／Ｑ１不一定能得出热机效率的正确表达式。     

MASNMR研究钯添加剂对SAPO－5分子筛的影响

通过在ＳＡＰＯ－５分子筛的前身体中加入不同含量不同形式的钯盐方式，直接合成出了分子筛上担载贵金属的双功能催化剂，Ｘ光衍射（ＸＲＤ）结果表明把的加入并不影响ＳＡＰＯ－５分子筛的生成，但降低了分子筛结晶度。当把以碱性介质加入反应物时，使产物中有少量ＳＡＰＯ－３４伴生，由ＭＡＳＮＭＲ实验结果可见，反应物中把的加入抑制了硅进入分子筛骨架，使骨架铝配位环境更加对称，并使三乙胺模板分解，改变了其在分子筛中的存在状态。从而导致分子筛结晶度的降低．     

气相分子吸收光谱法快速测定土壤中亚硝酸盐氮

建立气相分子吸收光谱法快速测定土壤中亚硝酸盐氮的方法。土壤样品采样用200 mL 1 mol/L的氯化钾溶液浸提,于20℃恒温条件下震荡60 min,静置离心。在0.5 mol/L柠檬酸+30%乙醇介质中,用气相分子吸收光谱法测定亚硝酸盐氮含量。结果显示,在0～2.0 mg/L范围内亚硝酸盐氮质量浓度与吸光度呈良好的线性关系,线性相关系数为0.999 9,方法检出限为0.010 mg/L,相对标准偏差为1.32%(n=6),样品加标回收率为93.0%～97.0%。该方法具有操作简单、分析快速准确、干扰少等优点,适用于土壤中亚硝酸盐氮的测定。     

铂族金属流动注射分析方法的研究 Ⅵ.Ir(Ⅳ)-KIO_4-α-萘酚酞体系流动注射催化分析测定铱

本文首次发现Ir(Ⅳ)对KIO_4氧化a-萘酚酞褪色具有显著的催化作用,并将这一新指示反应和流动注射分析技术相结合,建立了铱的快速、灵敏、简便的流动注射分析方法。该法对Tr(Ⅳ)的检测限为0.020μg/ml,测定的进样频率为每小时61次。     

点接触放大器的放大作用

For an n-type transistor, with copper and phosphor-bronze whiskers respectively for its emitter and collector, as the result of electrical forming, the emitter should have a metal-p-n structure. In the first part of this paper, the forward characteristics of such a structure is analized for the whole range of current, with special reference to the variation of the emission ratio γ with the current. The design requirement of a flat γ-I_e curve is discussed. The second part of the paper contains an analysis of current amplification of the collector. The structure assumed is a metal-p-n junction, the diffusion of phosphorus into the structure causing a high barrier for holes at the metal contact. By combining the result of the two parts, a resultant a-I_e, relation is calculated for a typical case. The main factors affecting the performance of the transistor and means of its improvement are discussed in some detail.