用H-W-ECR CVD系统实现氢化非晶硅薄膜在氢气环境下同时进行化学热退火和光诱导退火的研究

为了研究氢化非晶硅薄膜的稳定性，我们设计了一个在原子氢气氛中热退火的同时进行光诱导退火的实验(TLAH)。实验装置是由传统的微波电子回旋共振化学气相沉积系统改造而成为热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积系统。为了对这一退火方法进行比较，对样品还进行了热退火、热退火同时进行光诱导退火。同时，为了定量地分析光电导衰退，我们假设光电导衰退遵循扩展指数规律：1/σph=1/σs-(1/σs-1/σ0)exp[-(t/τ)β]，这里扩展指数参数β 和时间常数 τ 可从与 lnt 的线性关系中截距和斜率得到, 式中光电导饱和值σs可以通过在对数坐标系中表示的光电导和光照时间关系进行高斯拟合得到。实验结果显示：TLAH 方法可以提高氢化非晶硅薄膜的稳定性、改善其微结构和光电特性，同时还发现，光学带隙明显减小、荧光光谱显著地朝着低能方向移动。     

类金刚石薄膜直流电导特性研究

研究类金刚石薄膜的直流电导率随温度的变化.结果表明在110到650K范围内,导电机制分别在低温、室温和高温三个区域内具有明显的规律.在低温区电导率服从logσ-T^-1/4的线性关系;在室温区(中温区)和高温区电导率服从logσ-T^-1的线性关系,但具有不同的热激活能和指数前系数.文中应用两相模型,对这些实验结果作了说明. 关键词：     

直流弧光放电化学气相沉积(CVD)法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量

应用直流弧光放电分解CH₄和H₂混合气体成功地实现了高速生长多晶金刚石膜,应用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman谱仪对所得样品进行检测和分析,为了弄清楚金刚石膜的生长机理,在实际生长环境下“原位”测量了不同条件下直流弧光等离子体的光发射谱,结果发现:高速生长金刚石膜的关键是该气相反应中有大量的原子H存在。     

B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

本文用 ¹¹B(p,a)⁸ Be(E_{r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。 关键词：}     

a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文对a-Si:H中掺杂和缺陷机制提出了一个多能级模型,并应用了统计物理学的方法计算了a-Si:H的掺杂效率η。所得结果,不仅包括了street等人在此问题的全部讨论,而且还区分了重掺杂与轻掺杂有所不同,轻掺杂时的η与正常情况讨论一致,只有重掺杂时才出现η∝?^-1/2规律。 关键词：     

非晶态硫系化合物半导体的制备和电导特性的研究

本文对四种硫系玻璃半导体材料的制备工艺和电导的温度特性进行了研究,给出了室温下电导率及电导激活能的实验数据.把所得结果同国外工作进行了比较,并对一些问题进行了初步讨论. 一、非晶态半导体的电导率 根据Mott-CFO模型[1],非晶半导体的导电过程有四种不同的类型,即扩展态中的电导、带尾定域态中的电导、禁带定域态中的电导以及在低温下的变程跳跃电导,总的直流电导率同温度的关系可表示为其中第一项为扩展态中的电导率,第二项为带尾定域态中的电导率,第三项为禁带定域态中的电导率,第四项为低温变程跳跃电导率.对硫系玻璃半导体,一…     

黑索金电子结构和光学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对黑索金晶体的电子结构和光学性质进行了计算. 结果表明: 黑索金是能隙值为3.43 eV的绝缘体, 价带主要由C, N和O的2s与2p态构成, 而导带主要由N-2p和O-2p态构成; 静态介电函数ε₁(0)=1.38, 介电常数的虚部有5个峰值, 其中最大峰值在光子能量4.59 eV处, 并对造成这些峰值的可能的电子跃迁做了详细分析. 利用能带结构和态密度分析了黑索金的光反射系数、吸收系数及能量损失函数等光学性质, 发现黑索金是对光吸收、反射及能量损失不敏感的材料. 关键词： 黑索金 第一性原理 电子结构 光学性质     

双通道共轴聚焦型X射线晶体光谱仪

研制了一种用于Z箍缩等离子体X射线光谱诊断的双通道共轴聚焦型晶体光谱仪。谱仪采用均匀色散(即线色散率为常数)和球面云母晶体作为两个通道的X射线色散元件,位于中轴线上的双胶片盒作为探测器,在大致相同的光谱范围内同时获取Z箍缩等离子体的时间积分光谱。在中国工程物理研究院"阳"加速器上开展了Z箍缩内爆摄谱实验,两通道分别获得了Z箍缩铝丝阵等离子体的类氢和类氦光谱谱线。实验结果表明:均匀色散通道光谱分布遵循均匀色散条件,实验得到的线色散率和设计值吻合很好,最大相对误差仅为3.48%,和球面晶体通道相比,它能更容易、更准确识别和处理光谱,在识别和分析陌生复杂光谱成分时具有优势。     

具有速度谱分辨能力的角色散FP干涉测量技术

 发展了可用于速度谱诊断的角色散Fabry-Perot干涉测量技术,使不同频移探测激光形成的干涉条纹在空间分离,从而可对单一或混合运动源引起的多普勒频移成分进行检测,并给出物体速度谱分布。利用Fabry-Perot干涉测量技术,开展了激光驱动铝箔飞片实验。随着驱动激光能量的变化,观察到了铝箔飞片的不同速度谱分布,包括没有速度空间分散的速度谱、分裂成几片并以不同速度飞行的离散速度谱、碎片云或射流状态下的连续速度谱分布,此外还观测到了冲击下铝箔/玻璃界面分离引起的条纹分裂现象。     

缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响

采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜.利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征.结果表明:所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配.随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小.制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3 Ω·cm,可见光波段的平均透过率为91;.