采用热丝辅助的新型微波电子回旋共振法制备高质量的氢化非晶硅薄膜

采用热丝辅助的新型微波电子回旋共振法制备了高质量的氢化非晶硅薄膜。在制备过程中，热丝对改进薄膜微结构，提高稳定性及光电特性方面起到了重要的作用。实验结果表明：在薄膜的微结构中，硅氢二键含量显著减少并出现了少量微晶相，其有利于改善薄膜的稳定性；在薄膜的光电特性方面，薄膜的沉积速率及光敏性分别达到了2.0nm/s和4.71*105以上。     

用于激光驱动飞片诊断的线成像速度干涉仪

设计并建立了一套完整的线成像激光干涉测速系统,用于激光驱动技术中小尺寸飞片或样品一条线上所有点的速度测量。它将激光压缩为线状照射到靶面,用成像物镜收集靶面的漫反射光并传递到广角迈克尔逊干涉腔中形成干涉,产生的梳妆干涉条纹作为信号载体,用变像管扫描相机记录条纹随时间的变化,用不同位置的条纹移动量反推出不同位置的速度分布,实现空间分辨。系统具有50 ps响应时间和20 μm空间分辨能力。用该系统测量了激光驱动飞片的速度场,清晰的扫描干涉图像直观显示了飞片的运动过程和各点的速度差异。用傅里叶变换方法对干涉图像进行处理,得到了靶面一条线的速度和位移分布。     

基于凸优化的傅里叶叠层成像技术研究

在傅里叶叠层成像(FPM)过程中采集的低分辨率图像会对重建图像质量产生直接影响,已有的研究提出用图像超分辨率重建技术和对低分辨率图像进行传统去噪处理的方法来解决该问题,但超分辨率重建的方法需要采集大量的原始图像,会加大采集端的时间损耗,而传统去噪算法会造成原始信息丢失,严重影响重构图像质量.因此论文引入凸优化算法,噪声...     

GaAs(100)衬底上C60单晶膜的取向生长

利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在GaAs（100）衬底上实现了完全（111）取向的C₆₀单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对C₆₀单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现C₆₀取向生长的衬底温度范围很窄，温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序．对实验结果做出了合理的解释，并讨论了C₆₀单晶膜的生长机制 关键词：     

非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景

立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质,如高的硬度,宽的带隙,高的电阻率,高的热导率,高的热稳定性、化学稳定性,在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质,制备方法,目前研究工作的进展,存在的主要问题,以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。     

VISAR数据处理新方法及程序

分析了不同VISAR数据处理方法的原理 ,并在此基础上开发了新的VISAR数据处理程序。该程序采用极坐标法作为计算内核 ,消除了各路信号的不灵敏区 ;计算所需的各个参数相位差、振幅因子的比值 等采用参数拟合的方法从实验信号本身得出 ;程序可以处理信号缺失的情况 ,当四路信号只取得三路时 ,数据处理能照样进行 ;程序的后期处理功能可以判断丢失条纹的数目并恢复速度历史。初步讨论了参数误差对结果的影响。     

用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性

用UPS技术获得了GDa-Si_1-xC_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。 关键词：     

检测摄影物镜工作部分的光电仪

目前,检测摄影物镜工怍部分,基本上采用目测法或摄影法检测的仪器。上述检测方法是主观的,采用这些检测方法(特别是摄影法)过程很繁锁,随着操作者的迅速疲劳会导致大量的偶然误差。参考文献[1]中指出,摄影物镜在最后装配和调校时,必须有实现新的光电检测法的三种自动检测仪器。     

用XPS研究GD-a-Si_xC_(1-x):H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC(1-x):H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_(1-x):H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_(si) N_C N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。