相对性区域创新指数与经济周期挖掘

提出了一类新的相对性区域创新指数,并采用世界专利申请数据对其进行了具体计算.基于区域创新同经济发展水平之间的超线性关系,该指数消除了经济发展水平对创新能力的影响,可以实现对不同发展水平的经济体之间进行有效的创新能力横纵对比.该创新指数尽管极其简单,却揭示出一系列迥异于传统认知的现象,例如中国大陆地区的技术创新能力在1980年代就已经位居世界前列.采用该指数,不但可以在较高水平上解释世界各国的经济增长,还发现它同经济增长率之间的相关性存在一个20年的经济周期.这些结果显示,该指数作为一个单一性指标,以极小的数据依赖就实现了较高程度的解释性,不但重新定位了世界各经济体的创新能力,对深入理解创新同经济发展之间的关系提供了新的角度,而且暗示着这类相对性经济指标的发展潜力与应用空间.     

Nonlocal symmetries and similarity reductions for Korteweg-de Vries-negative-order Korteweg-de Vries equation

The nonlocal symmetries are derived for the Korteweg–de Vries–negative-order Korteweg–de Vries equation from the Painlevétruncation method.The nonlocal symmetries are localized to the classical Lie point symmetries for the enlarged system by introducing new dependent variables.The corresponding similarity reduction equations are obtained with different constant selections.Many explicit solutions for the integrable equation can be presented from the similarity reduction.     

直流高温超导电缆用于数据中心配电的可行性

高温超导直流电缆是一种无传输损耗、高载流密度的特殊电缆,有潜力解决数据中心耗电功率密集、物理空间受限等问题。为了探究高温超导电缆在数据中心直流母线中应用的可行性,以某可再生能源供电、交直流混合配电的数据中心为原型,设计了高温超导电缆为数据中心配电的直流母线结构及其与支路的连接方式,通过有限元仿真的方法,设计了母线的基本结构,并对配电的效率、优势进行了初步分析。结果表明,在分布式新能源供电的数据中心中,应用高温超导直流电缆具有减少变电环节、减少空间占用、改善通风散热的作用,从而可以降低数据中心中的能量损失。     

基于思维发展的信息技术与数学教学融合实践探索——以几何画板在二次函数学习中的运用为例

数学教学是以数学思维发展为核心的教学,学生思维发展需要在积极的问题情境思考中得以实现.基于思维发展的信息技术与数学教学的融合实践,一方面重视学生通过主动思考完成知识和方法的初步建构,实现思维的内化;另一方面重视展示、交流、辨析等思维外显过程,并注重借助几何画板等信息化图示技术,在动态的问题思考中实现抽象知识直观化、内隐思维可视化,达成从感性认知到理性建构再到思维自觉的育人目的.     

∑关系线性理论的应用(Ⅱ)——∑_7关系的应用问题

本文根据“Σ关系线性理论”的原则,提出了可行的Σ_7关系运算方案。用五个不同类型的已知结构进行了验证。文中对Σ_7和Σ_3关系作了比较,并讨论了这一类关系式的实际应用价值。     

同步辐射X射线衍射增强CT方法研究

本文将同步辐射硬X射线衍射增强成像方法应用于材料无损检测CT方法中（简称衍射增强CT法）,并对自制样品进行投影成像重建,获得了非常清晰的样品内部结构图像,并与样品的单晶吸收成像CT重建结果进行对比.结果表明,对于吸收系数相近的结构材料,衍射增强CT法可得到更好的物质内部边界.     

正切平方势单量子阱的本征值和本征函数

鉴于“方形”势阱描述量子阱中的电子运动行为过于简单、过于理想,引入了正切平方势来代替,使结果得到了改善。在量子力学框架内,利用正切平方势把电子的Schrdinger方程化为超几何方程,利用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数,并以Ga_1-xAl_xAs-GaAs-Ga_1-xAl_xAs量子阱为例计算了电子的能级和能级之间的跃迁。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,而相邻能级之间的跃迁给出与实验进一步符合的结果。     

Synthesis of N-type semiconductor diamonds with sulfur,boron co-doping in FeNiMnCo-C system at high pressure and high temperature

A series of diamonds with boron and sulfur co-doping were synthesized in the Fe Ni Mn Co-C system by temperature gradient growth(TGG) under high pressure and high temperature(HPHT). Because of differences in additives, the resulting diamond crystals were colorless, blue-black, or yellow. Their morphologies were slab, tower, or minaret-like. Analysis of the x-ray photoelectron spectra(XPS) of these diamonds shows the presence of B, S, and N in samples from which N was not eliminated. But only the B dopant was assuredly incorporated in the samples from which N was eliminated. Resistivity and Hall mobility were 8.510 ?·cm and 760.870 cm~2/V·s, respectively, for a P-type diamond sample from which nitrogen was eliminated. Correspondingly, resistivity and Hall mobility were 4.211×10~5 ?·cm and 76.300 cm~2/V·s for an N-type diamond sample from which nitrogen was not eliminated. Large N-type diamonds of type Ib with B–S doping were acquired.     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。