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141.
设计并制备了一种基于树形结构的1×8硅基热光开关,该热光开关由1个2×2和6个1×2马赫-曾德尔干涉仪的基本单元结构组成。该1×8硅基热光开关采用与互补金属氧化物半导体兼容的工艺制造。通过氮化钛加热器来改变波导的温度,利用硅的热光效应实现光开关功能。实验结果表明:在1550 nm工作波长下,该热光开关的平均片上插入损耗约为1.1 dB;所有输出端口的串扰都小于-23.6 dB;开关响应时间小于60μs。  相似文献   
142.
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度。结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小。通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱I、-V特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好。  相似文献   
143.
In this paper, we study the effects of an unintended dopant in the channel on the current-voltage char-acteristics of a Double-Gate (DG) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET). Non-Equilibrium Green's Function (NEGF) approach is used. A quantum transport model to calculate the drain current is presented and subthreshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL) effect are studied.  相似文献   
144.
As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into the nanometer regime, quantum mechanical effects are becoming more and more significant. In this work, a model for the surrounding-gate (SG) nMOSFET is developed. The SchrSdinger equation is solved analytically. Some of the solutions are verified via results obtained from simulations. It is found that the percentage of the electrons with lighter conductivity mass increases as the silicon body radius decreases, or as the gate voltage reduces, or as the temperature decreases. The eentroid of inversion-layer is driven away from the silicon-oxide interface towards the silicon body, therefore the carriers will suffer less scattering from the interface and the electrons effective mobility of the SG nMOSFETs will be enhanced.  相似文献   
145.
介绍了声速公式的理论推导;提出了用声速测量方法测空气比热容比的实验方法;将声速测量方法和FD-NCD型空气比热容比测定仪测得的空气比热容比的误差进行了比较。  相似文献   
146.
分析了LD端面泵浦Nd:YVO4/KTP一体化微型绿光激光器的绿光输出功率随泵浦功率、泵浦束腰斑以及KTP晶体长度的变化关系,并采用掺杂浓度1%Nd:YVO4和5 mm长的KTP光胶为一体的晶体进行实验研究.  相似文献   
147.
一种基于小波和矩阵型扩散的图像放大   总被引:3,自引:0,他引:3  
郝彬彬  冯象初 《光子学报》2008,37(11):2365-2368
提出了一种基于小波多分辨分析和矩阵型扩散的图像放大方法.该方法把原图像作为放大图像的小波低频子带,初始高频置零小波重构,用矩阵型扩散方程处理后小波分解,得到估计的高频再与原图像重构.在扩散中取矩阵型扩散的扩散系数,选择其特征根,使扩散在垂直于边缘方向梯度较大时为逆扩散以锐化边缘,而沿边缘方向为正向扩散以增强边缘;同时提出了放大图像与原图像的一种相似性标准.该方法在放大图像的同时既去除了噪音又有效保持了边缘.数值实验结果证实,此方法为一个有效地图像放大方法.  相似文献   
148.
张永杰  陈力  谢普初  唐柏鉴  沈函锦 《爆炸与冲击》2022,42(10):103103-1-103103-11

ABAQUS程序中最常用的混凝土损伤塑性(concrete damage plasticity, CDP)模型无法实现损伤因子与应变率相关。为了准确描述混凝土材料在高应变率下的损伤特性,基于CDP模型定义了新的应变率场变量,编制了VUSDFLD用户子程序,开发了能够考虑损伤因子率相关性的改进的CDP(modified CDP,MCDP)模型。MCDP模型采用能量法求解混凝土拉压损伤因子,主求解程序能够随着应变率场变量的变化而自动更新不同应变率对应的损伤参数,计算得到的混凝土单轴静态加载结果与CDP模型吻合较好。MCDP模型对高应变率下动态压缩性能的模拟结果表明:混凝土材料在不同应变率下的拉压损伤对其动态力学性能有显著影响,编制的VUSDFLD子程序和MCDP模型能够有效地解决损伤应变率相关的模拟难题,可以准确地模拟爆炸荷载作用下钢筋混凝土梁的动态响应,为预测爆炸冲击等强动载作用下混凝土结构的响应和破坏提供了更可靠的技术途径。

  相似文献   
149.
采用Voronoi方法构建了50, 130和200μm三种晶粒度的高纯铜靶板,在晶界处随机预制损伤成核点,建立了平板撞击高纯铜靶板的二维轴对称计算模型,研究了晶粒度和加载应力对高纯铜层裂宏观力学响应和细观损伤演化的影响.基于自由面速度剖面特征分析,揭示了晶粒度和加载应力幅值对Pull-back速度回跳点位置、速度回跳斜率及回跳幅值的影响规律,论证了层裂强度与损伤区拉伸应力峰值相对应本质上表征微损伤早期长大临界应力;基于损伤演化云图特征分析,讨论了长大和聚集过程中微孔洞周围局域化塑性应变场的演变,揭示了晶粒度和加载应力对微孔洞聚集和应力松弛行为的影响.计算结果再现了层裂实验中材料内部的微孔洞长大、聚集的细观物理过程,进一步揭示其与宏观力学响应之间的内禀关系,这对认识层裂损伤演化机制和理论模型构建具有重要的意义.  相似文献   
150.
采用乙醇分级沉淀法,首次从野生菱角壳中提取出4种多糖化合物,利用气相色谱-质谱法,确定了菱角多糖分别由阿拉伯糖,鼠李糖,木糖,甘露糖,半乳糖,葡萄糖,乳糖和蜜二糖组成,其中以葡萄糖,半乳糖,甘露糖和木糖为主。  相似文献   
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