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金刚石因其优异的物理性质被视为下一代半导体材料,然而其极高的硬度、脆性和耐腐蚀性导致其加工困难,尤其是对于大尺寸的化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)单晶金刚石(SCD)晶片而言,目前还缺乏一种高效、低成本的磨抛加工方法。本文提出一种基于工件自旋转的同心双砂轮磨抛一体化加工技术,在一次装夹中,先采用金刚石磨料的陶瓷内圈砂轮磨削单晶金刚石晶片表面,将单晶金刚石表面迅速平坦化,后采用金刚石与CuO混合磨料的外圈溶胶-凝胶(sol-gel,SG)抛光轮抛光单晶金刚石晶片表面,使其在较短时间内完成从原始生长面(Sa约46 nm)到原子级表面精度(Sa<0.3 nm)的加工。磨削加工中,硬质金刚石磨料的陶瓷砂轮高速划擦金刚石晶片表面,在强机械作用下获得较大的材料去除以及纳米级的光滑单晶金刚石表面,同时引起进一步的表面非晶化;SG抛光加工中,硬质金刚石磨料高速划擦单晶金刚石表面形成高温高压环境,进一步诱导CuO粉末与单晶金刚石表面的非晶碳发生氧化还原反应,实现反应抛光。磨抛一体化的加工技术为晶圆级的单晶、多晶金刚石的工业化生产提供借鉴。 相似文献
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采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱(EL)和电传输特性(I-V曲线).在EL发射谱中清楚地观察到222 cm-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s3/2(Γ6+Γ7)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p5/2(Γ6+Γ7)能级的共振隧穿.
关键词:
量子限制效应
电致发光
共振隧穿效应
δ-掺杂GaAs/AlAs三量子阱 相似文献
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本文研究带有消失约束的数学规划问题.针对这一问题,我们提出了一种基于伪Huber函数的光滑正则化方法,该方法只对部分消失约束进行光滑化.对于新的光滑问题,我们证明Mangasarian-Fromovitz约束规格在某些情况下是成立的.我们也分析该方法的收敛性质,即,一个光滑正则化问题稳定点序列的聚点是原问题的T-稳定点,并给出光滑正则化问题稳定点序列的聚点是原问题的M-稳定点或S-稳定点的一些充分条件.最后初步的数值结果表明该方法是可行的. 相似文献
109.
In this paper, we study the effects of an unintended dopant in the channel on the current-voltage char-acteristics of a Double-Gate (DG) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET). Non-Equilibrium Green's Function (NEGF) approach is used. A quantum transport model to calculate the drain current is presented and subthreshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL) effect are studied. 相似文献
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雷达成像系统的进一步应用依赖于对图像中噪音的有效抑制.在目前现有消除噪音方法的基础上,基于图像的局部相似性,结合主成分分析法,提出一种新的有效去除乘性噪音的滤波算法.乘性噪音经对数变换后可转化为加性噪音处理.分析了对数域中噪音的类型.首先在图像的对数域,通过非局部方法选取局部相似块作为训练样本,利用主成分分析法提取出信号的主要特征.然后基于统计理论中最小均方误差估计法给出了一种适用于图像信息的阈值原则.最后分析了变换过程引起的偏差,由对数域的偏估计得到滤波图像.数值实验验证了新算法的有效性.对比于目前提出的变分方法,新算法处理后的图像有更高的信噪比和更好的视觉效果,且具有一定的实用性. 相似文献