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楼建玲 李智焕 叶沿林 江栋兴 华辉 李湘庆 张双全 郑涛 葛愉成 孔赞 吕林辉 李琛 卢飞 范凤英 李忠宇 曹中鑫 马立英 Faisal 徐瑚珊 胡正国 王猛 雷相国 段利敏 肖志刚 黄天衡 付芬 章学恒 郑川 余玉洪 涂小林 张亚鹏 杨彦云 张宏斌 唐彬 田育林 欧阳珍 黄美容 徐治国 岳珂 高启 《中国物理 C》2008,32(Z2):41-43
The β-delayed neutron and γ spectra of neutron-rich nucleus 21N using β-γ and β-n coincidence measurements were presented in this paper. Thirteen new neutron groups ranging from 0.28 MeV to 4.98 MeV and with a total branching ratio 88.7±4.2% were observed. One γ transition among the excited states of 21O, and four γ transitions among the excited states of 20O were identified in the β decay chain of 21N. The ungated half-life of 83.8±2.1 ms was also determined for 21N. 相似文献
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利用固定化微生物技术强化降解TATB工业废水 总被引:1,自引:0,他引:1
综述九十年代以来固定化微生物技术用于难降解有机废水治理中的最新研究进展,提出了利用该技术强化降解TATB工业废水的新途径。 相似文献
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Effects of unsymmetrical geometric confinements on depletion interactions in colloidal suspensions 下载免费PDF全文
The depletion interactions between two large-spheres immersed in a fluid of small spheres under unsymmetrical geometrical confinement are studied through the acceptance ratio method. The numerical results show that no matter whether the volume fraction is large or small, both the depletion potential and depletion force are affected by the presence of the two plates; the closer the two large spheres are to the plate, the larger the effects of the unsymmetrical confinements. 相似文献
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利用不含有机相的简单水热法制备了Co^2+∶ZnS纳米晶,纳米晶具有立方闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为8.3 nm,在808 nm激光泵浦下具有2~5μm波段的中红外荧光发射,中心波长位于3400 nm和4700 nm,分别对应Co^2+离子的4T2(F)→4 A 1(F)和4T1(F)→4T2(F)的能级跃迁.进一步将制备的纳米晶在还原气氛下进行800℃热处理,获得立方闪锌矿和纤锌矿混合晶型的纳米晶,平均晶粒尺寸增大到22.5 nm左右,热处理后的纳米晶表面羟基含量更低,中红外荧光发射强度显著提高.该Co^2+∶ZnS纳米晶的制备方法简单、在制备过程中不引入有机相等荧光淬灭中心,同时证明通过后热处理过程可以进一步减少表面缺陷及羟基含量,使荧光强度得到大幅提升. 相似文献
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在神光-Ⅱ装置上利用强激光加载铝材料进行高应变率(高于106 s-1)层裂实验,研究不同初始温度下高纯铝材料的动态损伤特性。采用任意反射面速度干涉仪测量样品自由面速度剖面,由自由面速度剖面计算纯铝样品层裂强度与屈服应力。结果表明:随着温度升高,材料层裂强度减小,屈服应力增大。对激光加载前后样品进行金相分析,观察不同初始温度下纯铝材料的微介观结构变化及其损伤特性。结果表明:随着温度升高,样品晶粒尺度缓慢增大,但在873 K(近熔点)时晶粒尺度急剧增加;层裂面附近小孔洞数目较多,孔洞尺寸也较大,而远离层裂面处,孔洞数目相对较少,且尺寸也较小;材料的断裂方式随温度升高由沿晶断裂为主逐渐变为穿晶断裂为主。 相似文献
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分析了金阴极微通道板在X射线段(0.1~10 keV)的能谱响应,从阴极量子效率,X射线在通道材料中的衰减,微通道壁的铅层的光电效应,微通道板通道增益等多个方面进行综合计算,结果表明:得出较完善的阴极型微通道板能谱响应理论公式及其数值模拟曲线.在只考虑一个通道,增益值为1时,微通道板的能谱响应完全取决于金阴极的量子效率,若考虑多通道效应,微通道板的能谱响应受通道材料元素吸收边的影响发生突变,且通道数目越多,影响越显著;能谱响应随电压增大呈增长趋势,但会受到微通道板饱和电流的限制.实验给出了微通道板能谱响应与入射角的关系曲线,确定了能获得增益的最小入射角. 相似文献
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