Non-linear vibration of rectangular reticulated shallow shell structures

ＮＯＮ－ＬＩＮＥＡＲＶＩＢＲＡＴＩＯＮＯＦＲＥＣＴＡＮＧＵＬＡＲＲＥＴＩＣＵＬＡＴＥＤＳＨＡＬＬＯＷＳＨＥＬＬＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳＮｉｅＧｕｏ－ｈｕａ（聂国华）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＭｅｃｈａｎｉｃｓ,ＴｏｎｇｊｉＵｎｉｖｅ...     

基于柱芳烃及其配体的抗生素缓释体系制备

脂质体能够作为药物载体,具有疏水特性的柱芳烃和配体分子自发嵌入到磷脂双分子层膜后可构建抗生素缓释体系。实验结果表明,包载在脂质体内部的抗生素能够通过柱芳烃通道向外释放,在1 800 s时,释放率可以达到99.51%。配体分子在与柱芳烃结合后会阻塞柱芳烃通道,阻碍抗生素向外释放,当配体分子和柱芳烃配比为1∶1时,脂质体内部抗生素释放速率几乎趋近于0。     

用化学捕收剂处理含镍废水

用DDTC作化学捕收剂,PAC和PAM作复合絮凝剂来处理含镍废水,详细研究了絮凝和沉降的影响因素,当nDDTC／nNi〉12时,镍离子的去除率大于99．99％。PAC和PAM用量的最佳质量配比为100：1,溶液的温度和pH值对镍离子去除率的影响都很小。PAM的用量对絮体的大小和沉降速度有显著的影响。     

取代基对卟吩结构和性质的影响

运用密度泛函理论(DFT) B3LYP/6-31G(d, p)方法, 对卟吩及其被取代基—CH=CH₂、—COCH₃、—CHOHCH₃、—CHNH₂CH₃或—CHSHCH₃所修饰后的分子构型进行了优化. 同时, 对其电子吸收光谱与核磁共振氢谱也进行了量化计算. 结果表明, 这些取代基有着各自不同的空间构象, 对卟吩环的整体结构没有很大的扰动. 然而, 它们重新调整了卟吩环中原子电荷的分布, 改变了前线分子轨道(LUMO-HOMO)能隙, 结果导致卟吩的吸收光谱与¹H NMR均发生了相应的改变.     

Ru掺杂对Fe催化剂上酚类化合物加氢脱氧影响的密度泛函理论研究北大核心CSCD

采用密度泛函理论(DFT)计算研究了苯酚、邻甲酚、愈创木酚在不同结构Ru-Fe(211)表面上吸附活化性能和加氢脱氧反应路径.结果表明,Ru掺杂能促进H2分子在Fe(211)表面上解离,提高加氢脱氧反应速率.酚类在1Ru_(ads)-Fe(211)表面上吸附比在1Ru_(sub)-Fe(211)表面上更稳定,苯酚和邻甲酚脱羟基步骤能垒分别降低0.13和0.28 eV,有利于生成芳烃.愈创木酚在1Ru_(sub)-Fe(211)表面上加氢脱氧优势路径是先脱甲氧基生成苯酚,苯酚再加氢脱氧生成产物苯(速控步骤能垒1.16 eV);而在1Ru_(ads)-Fe(211)表面上愈创木酚先脱羟基再脱甲基生成苯酚的路径更具有动力学优势(速控步骤能垒1.21 eV).计算结果表明Ru掺杂方式影响Fe催化剂对酚反应分子的吸附稳定性以及加氢脱氧反应路径和性能.与1Ru掺杂Fe(211)催化剂相比,增加Ru原子数形成4Ru_(ads)-Fe(211),能够进一步提高酚类反应物的吸附强度,但导致加氢脱氧反应能垒升高.因此,在Fe催化剂上以表面吸附的形式掺杂少量贵金属Ru更利于酚类加氢脱氧生成芳烃.     

Co SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co－SiO\-2颗 粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO\-2)65(体积 百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电 阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率温度关系曲线分析,在铁磁金属- 非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外, 可能还存在其他的导电机制. 关键词：     

退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜,冷却至室温后原位退火4 h,制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min,退火温度为550 ℃ 时,制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。 积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描 电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间 对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火 方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制 备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.     

Magnetic Sensing inside a Diamond Anvil Cell via Nitrogen-Vacancy Center Spins

The diamond anvil cell-based high-pressure technique is a unique tool for creating new states of matter and for understanding the physics underlying some exotic phenomena.In situ sensing of spin and charge properties under high pressure is crucially important but remains technically challenging.While the nitrogen-vacancy(NV)center in diamond is a promising quantum sensor under extreme conditions,its spin dynamics and the quantum control of its spin states under high pressure remain elusive.In this study,we demonstrate coherent control,spin relaxation,and spin dephasing measurements for ensemble NV centers up to 32.8 GPa.With this in situ quantum sensor,we investigate the pressure-induced magnetic phase transition of a micron-size permanent magnet Nd_2Fe_(14)B sample in a diamond anvil cell,with a spatial resolution of ～2μm,and sensitivity of ～20 μT/Hz~(1/2). This scheme could be generalized to measure other parameters such as temperature,pressure and their gradients under extreme conditions.This will be beneficial for frontier research of condensed matter physics and geophysics.