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High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications
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An analysis model of the dV/dt capability for a metal-oxide-semiconductor (MOS) controlled thyristor (MCT) is developed. It is shown that, in addition to the P-well resistance reported previously, the existence of the OFF-FET channel resistance in the MCT may degrade the dV/dt capability. Lower P-well and N-well dosages in the MCT are useful in getting a lower threshold voltage of OFF-FET and then a higher dV/dt immunity. However, both dosages are restricted by the requirements for the blocking property and the forward conduction capability. Thus, a double variable lateral doping (DVLD) technique is proposed to realize a high dV/dt immunity without any sacrifice in other properties. The accuracy of the developed model is verified by comparing the obtained results with those from simulations. In addition, this DVLD MCT features mask-saving compared with the conventional MCT fabrication process. The excellent device performance, coupled with the simple fabrication, makes the proposed DVLP MCT a promising candidate for capacitor discharge applications. 相似文献
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孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺的合成与表征 总被引:1,自引:1,他引:0
利用二正辛胺与丙烯酰氯非均相胺解法合成了孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺,其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。考察了搅拌方式和反应时间对产率的影响,结果表明,搅拌越剧烈、反应时间越长产率越高。在0℃~10℃下,反应6 h,产率可达89.49%。 相似文献
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Magicity,or shell closure,plays an important role in our understanding of complex nuclear phenomena.In this work,we employ one of the state-of-the-art density functional theories,the deformed relativistic HartreeBogoliubov theory in continuum(DRHBc) with the density functional PC-PK1,to investigate the evolution of the N=20,28,50 shell closures in the 20 ≤Z ≤30 region.We show how these three conventional shell closures evolve from the proton drip line to the neutron drip line by studying the cha... 相似文献
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提出了一种利用电谐振器与磁谐振器集成于一体的单面左手介质结构设计方案, 该方案采用两个十字架型金属结构镜像并列放置在介质基板的同一侧形成一个左手单元, 并将其排列成周期结构. 软件仿真和优化提取了一系列有效电磁参数, 结果表明, 该结构在9.4–16 GHz的频率范围内等效介电常数和等效磁导率同时为负, 其相对带宽达到了52%, 并且单元电长度和损耗都小于同类型的结构. 对该结构进行了加工、制作并通过波导法测试再次证明了其优良左手特性的存在性. 为左手材料的广泛应用打下了基础. 相似文献
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