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孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺的合成与表征 总被引:1,自引:1,他引:0
利用二正辛胺与丙烯酰氯非均相胺解法合成了孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺,其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。考察了搅拌方式和反应时间对产率的影响,结果表明,搅拌越剧烈、反应时间越长产率越高。在0℃~10℃下,反应6 h,产率可达89.49%。 相似文献
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Magicity,or shell closure,plays an important role in our understanding of complex nuclear phenomena.In this work,we employ one of the state-of-the-art density functional theories,the deformed relativistic HartreeBogoliubov theory in continuum(DRHBc) with the density functional PC-PK1,to investigate the evolution of the N=20,28,50 shell closures in the 20 ≤Z ≤30 region.We show how these three conventional shell closures evolve from the proton drip line to the neutron drip line by studying the cha... 相似文献
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提出了一种利用电谐振器与磁谐振器集成于一体的单面左手介质结构设计方案, 该方案采用两个十字架型金属结构镜像并列放置在介质基板的同一侧形成一个左手单元, 并将其排列成周期结构. 软件仿真和优化提取了一系列有效电磁参数, 结果表明, 该结构在9.4–16 GHz的频率范围内等效介电常数和等效磁导率同时为负, 其相对带宽达到了52%, 并且单元电长度和损耗都小于同类型的结构. 对该结构进行了加工、制作并通过波导法测试再次证明了其优良左手特性的存在性. 为左手材料的广泛应用打下了基础. 相似文献
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研究了k(≥3)维的Piatetski Shapiro素数定理 .令π(x;c1,… ,ck)表示不超过x且具有形式 [nc11]=… =[nckk]的素数个数 ( 1 k- (k/( 4k2+2 ) )时 ,π(x;c1,… ,ck)具有渐近公式 . 相似文献
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银辅助化学刻蚀半导体材料 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 相似文献