丙酸水相加氢反应中Ru负载量对C-C键断裂的影响

考察了（1.0、4.0、6.0 wt.%）Ru/ZrO2催化剂的丙酸水相加氢性能。采用N2物理吸附、CO脉冲化学吸附、H2程序升温还原（H2-TPR）、CO和丙酸吸附傅里叶变换红外光谱（FTIR）研究了Ru/ZrO2催化剂的物理化学性质。CO-FTIR表明,Ru负载量增加,催化剂表面Ru粒子的富电子程度增加,更接近金属Ru的本征特性。丙酸FTIR表明,丙酸分子在Ru/ZrO2催化剂表面经解离吸附主要形成丙酰基和丙酸盐物种。随Ru含量增加,丙酰基更容易发生脱羰反应,导致C-C键断裂。     

气相色谱附双柱双氢火焰离子化检测器法同时测定环境空气中的总烃和非甲烷总烃

建立一种气相色谱法配双柱双氢火焰离子化检测器(FID)同时测定环境空气中的总烃和非甲烷总烃含量的方法。全玻璃注射器中的样品(保存时间尽可能少于4h)通过连接两个定量环的十通阀直接进入气相色谱,分离总烃和甲烷的柱子均采用填充柱,载气均为氮气,流量分别为25,20mL·min~(-1)。根据气体在总烃柱和甲烷柱保留时间对总烃和甲烷进行定性,保留时间分别为0.120,0.404min;分别以扣除氧峰面积的总烃面积和甲烷峰面积对总烃和甲烷定量,再通过2者差值计算非甲烷总烃含量。结果表明:总烃与氮气、甲烷与氮气的物质的量之比均在0.5～10.0μmol·mol~(-1)内与其对应的色谱峰面积呈线性关系,总烃、甲烷、非甲烷总烃的检出限(3.143s)分别为0.025,0.031,0.031mg·m~(-3)(以甲烷计)。在3个浓度水平下进行回收试验,总烃和甲烷的回收率分别为99.8%～104%,99.7%～103%;测定值的相对标准偏差(n=6)分别为1.3%～5.6%,1.0%～5.1%。采用本方法对2个采样点位采集的样品中的总烃、甲烷含量进行了测定,计算出的非甲烷总烃质量浓度都小于1.0mg·m~(-3),以这两个样品为基质进行加标回收试验,总烃和甲烷的回收率分别为102%～105%,107%～109%;测定值的相对标准偏差(n=5)分别为1.1%～1.7%,1.8%～1.9%。     

基于洗涤品生产的化工实训课程设计*

为适应地方院校应用型转型发展的要求,结合化工专业特色,设计了基于洗涤品生产的校内化工实训课程。该课程内容丰富、可操作性强。内容涵盖了配方设计、小试实验、生产操作、产品罐装、性能测试、安全教育等环节。课程采用教、学、做、产一体化的教学模式,运行效果显著,可激发学生的学习兴趣,培养学生的科研思维与实践创新能力。     

湿工况下平直翅片对流传热传质数值研究

建立了湿空气流经平直翅片通道并伴有凝结现象发生的三维对流传热传质的数值模型,在空气进口雷诺数Re为190～3770,进口相对湿度φ_(in)为50%～90%的范围内,对干湿两种工况,平直翅片通道内的换热流动进行了对比研究。结果表明:湿工况换热系数为干工况换热系数的2.8～3.1倍,干工况翅片效率比湿工况翅片效率高35.8%～41.9%。当翅片为部分湿工况时,翅片效率随进口相对湿度的增大而增大,换热系数随进口相对湿度的增大而减小;当翅片为全湿工况后,进口相对湿度对翅片效率和换热系数的影响微弱。     

微波等离子体离子束刻蚀技术

自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波，由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场，通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统，结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术，在以碳氢（CH）等元素为主要组成的有机聚合物（PMMA）表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜（AFM）测试结果表明，所得图形线条清晰，侧边比较陡直。     

在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te（IV）显色反…

研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶（ＣＰＣ）存在下，ｐＨ４．８的ＨＯＡｃ－ＮａＯＡｃ缓冲介质中，Ｔｅ（ＩＶ）与过量的水杨基荧光酮（ＳＡＦ）形成１：４的稳定佤合物，其最大吸收波长为５３４ｎｍ，表现摩尔吸光系数为１．４７×１０＾５，Ｔｅ（Ⅳ）浓度在０～８μｍ／２５ｍｌ范围内遵守比耳定律，建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法，获得了满意的结果。     

在玻璃转变温度及其以上温区聚苯乙烯/聚氧化乙烯共混物的动力学弛豫行为

用熔融共混法制备了不同组分的聚苯乙烯(PS)与聚氧化乙烯(PEO)共混物(PS/PEO).在玻璃转变温度T_g及其以上温区,利用相对能量耗散技术研究了该共混物的动力学行为.结果发现,在能量耗散-温度曲线上出现了两个弛豫型的耗散峰(α峰和α′峰).分析表明,α峰是与PS玻璃转变有关的特征耗散峰; α′峰则对应于一种“液-液转变”.两者的弛豫时间τ都不满足Arrhenius关系.此外,还研究了组分对这两个弛豫型耗散峰的影响,并给予了定性的解释. 关键词： 相对能量耗散 玻璃转变 力学弛豫     

栅耦合型静电泄放保护结构设计

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值. 关键词： 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容     

Kondo Resonance versus Fano Interference in Double Quantum Dots Coupled to a Two-Lead One-Ring System

We analyse the transport properties of a coupled double quantum dot （DQD） device with one of the dots （QD1） coupled to metallic leads and the other （QD2） embedded in an Aharonov-Bhom （A-B） ring by means of the slaveboson mean-field theory. It is found that in this system, the Kondo resonance and the Fano interference exist simultaneously, the enhancing Kondo effect and the increasing hopping of the QD2-Ring destroy the localized electron state in the QD2 for the QD1-leads, and accordingly, the Fano interference between the DQD-leads and the QD1-leads are suppressed. Under some conditions, the Fano interference can be quenched fully and the single Kondo resonance of the QD1-leads comes into being. Moreover, when the magnetic flux of the A-B ring is zero, the influence of the parity of the A-B ring on the transport properties is very weak, but this influence becomes more obvious with non-zero magnetic flux. Thus this model may be a candidate for future device applications.     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.