一种新的快速解相位方法

提出了一种快速可靠的4步相移编码-解相位算法。通过对中心条纹的光强进行摄动,将编码信息加入到基本相移光栅中,使4幅基本相移图不但包含了相位场主值信息,还包含了解相位所需的编码信息。建立了摄动度函数描述相移图的摄动信息进而得到编码信息,解出完整的相位值。对摄动度函数的误差和噪声进行分析,提出方向滤波方法来消除噪声,极大地减少了编码信息的误判情况。仿真和实验证实了本算法的可行性。与传统相移法相比,解相位的速度和可靠性得到明显的提高。     

Optical Rectification in Isotropic Thin Film Composed of Chiral Molecules with a Tripod-Like Structure

Optical rectification （OR） effect in the isotropic thin film consisting of chiral molecules with a tripod-like structure is investigated. The expressions of static-electric polarization in the isotropic chiral thin films and the relations between the OR and microscopic parameters of chiral medium are obtained by theoretical derivation. Furthermore, the relations of static electric polarization with the wavelength of incident light and parameters of chiral molecules are simulated numerically.     

快速生长KDP晶体表面的光学显微实时观察

设计了一套溶液降温法晶体生长显微实时观察装置,对快速生长KDP晶体{101}和{100}表面形貌的演化过程进行了实时观测分析.测量了晶体表面生长层切向生长速度随溶液过饱和度的变化曲线,并利用台阶生长动力学方程计算了相关动力学参数.进行了Fe3+掺杂实验,结果表明Fe3+的存在会影响到不同晶面上生长层的动力学系数,从而改变KDP晶体表面生长层的切向生长速度.     

基于矩阵环上求根问题的数字签名算法

考虑定义在模数N的剩余类环上的矩阵所构成的矩阵环上的求根问题的困难性,本文设计了一个数字签名算法,证明了攻击者能够成功伪造一个签名当且仅当攻击者能够求解矩阵环上的求根问题.对矩阵环上的求根问题的困难性进行了分析,在一种特殊情况下,证明了矩阵环上的求根问题与整数分解问题是等价的.分析表明,该数字签名算法是一个高效安全的签名算法.     

Aharonov—Anandan phase gate in sub Hilbert space of a coupling flux qubits system

We study two flux qubits with a parameter coupling scenario. Under the rotating wave approximation, we truncate the 4-dimension Hilbert space of a coupling flux qubits system to a 2-dimension subspace spanned by two dressed states |01> and |10>. In this subspace, we illustrate how to generate an Aharnov--Anandan phase, based on which, we can construct a NOT gate (as effective as a C-NOT gate) in this coupling flux qubits system. Finally, the fidelity of the NOT gate is also calculated in the presence of the simulated classical noise.     

冲击载荷作用下岩体拉-压损伤破坏的边坡抛掷爆破模拟

为了获得边坡台阶爆破时岩体在冲击载荷作用下破碎和抛掷过程中各物理参量的变化规律,将构建的岩体动态拉-压损伤本构关系嵌入模拟软件进行数值分析。结果表明:振动波三轴合成速率曲线与质点振动位移曲线的变化趋势所对应的时间节点和步长基本吻合,可作为降振减灾的判定指标;岩体最早于0.6 ms左右从坡脚位置产生裂纹,直至12.5 ms左右裂纹裂隙完成扩展,所形成的炮孔粉碎区半径约28 cm;抛掷块状分离现象从炮孔药包的中间部位开始,最大抛掷速度集中于该部位至边坡自由面之间的垂直区域内,边坡自由面抛掷速度小于炮孔周围岩块抛掷速度,导致抛掷过程中形成二次挤压破碎现象;破碎大块主要来源于边坡坡脚、炸药与堵塞物接触面两侧围岩以及台阶顶部自由面处,大块块体直径分布于1.6～2.7 m范围。     

基于固有型内聚力模型模拟双层夹胶玻璃冲击断裂行为

为了研究双层夹胶玻璃(LG)在冲击荷载作用下的裂纹扩展规律,采用零厚度固有型内聚力单元裂纹扩展方法建立了球形锤头冲击下两边支撑的LG动力响应的计算模型,内聚力单元使用最大主应力失效准则,探讨玻璃罚刚度K值和厚度对裂纹形成路径、范围和数量以及下面板位移的影响。结果表明:(1)冲击荷载作用下,上玻璃板中心首先产生大量细小裂纹和玻璃颗粒,随后径向裂纹不断向外扩展,同时产生大量环向裂纹;(2)随着玻璃K值的增加,LG裂纹扩展范围缩小、数量减少,下玻璃板中心位移减小;(3)随着玻璃厚度的增大,LG裂纹范围缩小、数量减少,下玻璃板中心位移减小。研究结果为LG抗冲击设计和安全防护提供了直接依据。     

BrCN分子的电子碰撞离子对解离（英文）

离子对解离是一类重要的分子过程,常发生于分子被激发到超激发态.与光激发的离子对解离实验研究不同,电子碰撞的相关过程研究尚存在实验挑战,特别是在测定其阈值方面.本文报道了相关的利用单色化电子碰撞分子的实验研究进展.以BrCN→Br~-+CN~+离子对解离为例,根据CN~+离子出现能测定其解离阈值为13.78 eV,同时在16.09 eV获得了CN~+离子的时间切片速度影像且显示出动量分布的各向异性.     

基于Lucas-Kanade算法的最大Gabor相似度大姿态人脸识别

在人脸识别科学研究和实际应用领域中,大角度姿态是影响人脸识别结果的主要因素之一,成为限制人脸识别技术进步的难点,而姿态的校正归一化是解决该问题的常用手段。首先通过加权的LK(Lucas-Kanade)算法得到侧脸块和对应正脸块的仿射变换参数,基于最大Gabor相似度寻找校正人脸姿态的最优参数。然后,以每一人脸块最优参数得到的平均Gabor相似度作为这一块人脸的识别权重,可以增加大姿态人脸识别的精度和稳健性。在FERET人脸数据库中进行了实验,当水平偏转角度为45°时,准确率达到97.3%,证明本文提出的以最大Gabor相似度作为加权LK算法参数提取的依据是有效的,得到的最优参数具有较好的光照无关性,而将平均Gabor相似度作为识别权重,有助于使算法的应用更加稳健和有效。     

Roles of Nano-Domain Switching and Non-180° Domains in Enhancing Local Piezoelectric Responses of Highly (100)-Oriented Pb(Zr_(0.60)Ti_(0.40))O_3 Thin Films

Ferroelectric Pb(Zr_(0.60)Ti_(0.40))O_3 thin films deposited on the niobium-doped SrTiO_3 and Pt(111)/Ti/SiO_2/Si substrates are fabricated by a sol-gel method.X-ray diffraction indicates that the films have a 'cube-on-cube'growth with highly(100)preferred orientation and good surface qualities.Using piezoelectric force microscopy,we investigate domain structures and butterfly amplitude loops of ferroelectric thin fims.The results indicate that the film deposited on Nb:SrTiO_3 has both kinds of 180° polarizations perpendicular or parallel to the surface while the film deposited on Pt/Ti/SiO_2/Si has irregular phase differences.Excellent piezoelectric polarization are observed in the films on niobium-doped SrTiO_3 with local d_(33)~* values around 45 pm/V three times more than that of the films around 13 pm/V deposited on Pt(111)/Ti/SiO2/Si. Our findings emphasize that nanodomain switching ability and non-180° domains will contribute significantly to enhance piezoelectric responses of ferroelectric thin films.