我国区域绿色技术创新效率的分类测度和提升模式研究——基于非期望产出的SBM-SupSBM模型

本文首先运用考虑非期望产出的SBM-SupSBM模型估计我国各省市绿色技术创新效率并进行分类:稳定上升类、平稳类、大幅度波动类以及下降类。之后从企业内部和外部两方面对绿色技术创新效率提升的影响因素提出假设,着重考虑大幅度波动类别省份的效率提升。运用面板数据模型各影响因素进行验证,结论显示:企业规模对绿色技术创新效率波动较大的省份起到显著的抑制作用,环境规制和技术进步对绿色技术创新效率波动较大的省份作用不明显。针对分析结果,提出结论:在提升绿色技术创新效率的过程中,应注重企业规模和技术进步的协同作用,以及技术的开放程度。     

α-松油烯-马来酸酐加成物的气相色谱分析

气相色谱法直接测定α－松油佛－马来酸酐加成物，不但免去了容量滴定法测定时必先分离共存马来酸酐的繁琐手续，而且方法简便、快速，能满足合成过程中跟踪分析的需要。     

查尔斯·马丁·霍尔和铝冶金的大变革

查尔斯·马丁·霍尔和铝冶金的大变革呼延思成编译（西北大学化学系西安７１００６９）铝在１８２５年由丹麦人厄斯泰德首次分离出。两年后，德国化学家维勒提出更好的制备方法。两人都是用金属钾作用于氯化铝来分离铝。１８５４年法国化学家德维尔用钠代替钾作为还原剂，...     

物理老化对PEK-C、PES-C及其复合材料的玻璃化转变热焓松弛特征的影响

 本文用DSC技术研究了物理老化对PEK-C、PES-C及其共混物和复合材料玻璃化转变的影响.老化时间(t)延长,玻璃化转变温度(T_g)、热焓松弛峰温(T_max)、峰高(△C_pmax)和热焓(△H)提高;△H与lgt成线性关系.碳黑或碳纤维对PES-C的物理老化行为无影响,而反应性乙炔端基砜(ATS)固化物能限制PEK-C和PES-C在T_g以下温度的物理老化过程.利用物理老化能更为方便地判断多相体系的相容性,结果表明PEK-C/PSF为相容体系,而PEK-C/PES-C相容性较差.     

羧甲基壳聚糖/聚乙烯醇/甘油环氧树脂蛇笼型复合螯合膜的制备及对金属离子的吸附性能

以交联甘油环氧树脂交联的聚乙烯醇(PVA)为笼树脂，羧甲基壳聚糖(CCTS)为蛇树脂制备了具有蛇笼结构的复合螯合膜，研究了其对Cu^2 、Ni^2 、Pb^2 、Fe^3 、Zn^2 ，Hg”^2 、Cd^2 等金属离子的吸附性能，研究表明，该树脂对Cu^2 、Ni^2 、Pb^2 有较好的吸附性能，其中PVA是对Cu^2 的吸附的主要贡献者，而CCTS则是在对Ni^2 的吸附中起主要作用。该树脂可以用于含Cu^2 废水的处理。     

临界点的相律

讨论了相律对各种临界点的应用。指出在临界点时系统都只有1个相;但却有2个“额外的”独立限制,它们都来自临界点的热力学稳定性条件。     

黑体辐射在工业冶炼金属镍中的应用

本文主要介绍一种金属镍出炉时间的自动控制方法。在冶镍炉上开一个小孔,近似认为是理想黑体,通过光路选择系统将辐射出的光照射在热电偶上,然后将热电偶上的电压信号用运算放大器放大,可以获得温度和电动势之间的关系。通过一个微控制器形成一个闭环的测温和反馈系统,以构成一个实时的控制系统.     

基于卡尔曼滤波的MGM-多维AR(p)模型的构建及其应用

由于受到外界不确定性因素的干扰,导致实际数据偏离模拟的趋势,使得灰色多变量MGM(1,m)模型预测效果不佳,而多维平稳序列自回归模型(AR(p))能够有效反应具体数据与整体趋势之间产生的偏差,从而可以掌握外界环境对目标数据发展趋势带来的影响.由此文章首先利用卡尔曼滤波对给定的小样本数据做平滑处理,消除数据观测时产生的噪...     

中微子探测中的光学应用

中微子是宇宙中最丰富的基本粒子之一,是一种只参与弱相互作用的电中性粒子。中微子极其难以探测。然而,光电探测手段突破技术瓶颈,通过光电效应实现弱光快响应信号的放大和读出,在中微子物理领域取得空前成功。本文将简述中微子性质的认识过程,重点介绍光学及其光电器件如光电倍增管等在中微子探测中的应用。     

In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。