一起一起分类病

每天早上，一睁开眼睛，就听到妈妈的唠叨：“房间是怎么弄的？快点整（zheng）理（1i）!”     

关于线粘弹性动力学中各种变分原理

本文提出一条简单而统一的新途径,系统地建立了线粘弹性动力学中各种简化Gurtin型变分原理,文中首先给出一个很有用的以卷积表示的积分关系式,然后从该式出发,系统地导出成互补关系的五类变量、四类变量、三类变量、二类变量及一类变量简化Gurtin型变分原理,并清楚地阐明它们之间的内在联系,而且,还发现当前在国际上有广泛影响的力学变分原理方面的名著[1]及文[2]中,所给出的四个变分原理的泛函式均有误.本文除给出这四个正确的泛函式外,还建立了一些新的更一般广义变分原理。     

UNCONVENTIONAL HAMILTON-TYPE VARIATIONAL PRINCIPLES FOR DYNAMICS OF REISSNER SANDWICH PLATE

According to the basic idea of classical yin-yang complementarity and modern dual-complementarity,in a simple and unified way proposed by Luo(1987),some uncon- ventional Hamilton-type variational principles for dynamics of Reissner sandwich plate can be established systematically.The unconventional Hamilton-type variation principle can fully characterize the initial-boundary-value problem of this dynamics.In this pa- per,an important integral relation is given,which can be considered as the generalized principle of virtual work in mechanics.Based on this relation,it is possible not only to obtain the principle of virtual work in dynamics of Reissner sandwich plate,but also to derive systematically the complementary functionals for five-field,two-field and one-field unconventional Hamilton-type variational principles by the generalized Legender trans- formations.Furthermore,with this approach,the intrinsic relationship among the various principles can be explained clearly.     

形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)₆/(Ge)₄和(Si)₈/(Ge)₂超晶格在Si_1-xG 关键词：     

浅论力学研究中的一些思维方法与力学美

 浅论力学研究中的对偶互补(阴阳互补)与对称性、简单性、顺向思维与逆向思维、以 及力学美等问题.     

广州市3～6岁幼儿膳食硒营养状况探讨

通过对广州市幼儿园3～6岁生长发育不正常及正常儿童的配对膳食结构进行了调查，以及对进食的普通釉米与营养豆米中硒进行了比较，并通过大白鼠的喂养试验对营养米中硒的吸收利用效果进行了初步观察，从而对改进膳食中硒的营养水平进行初步的探讨．     

横观各向同性压电材料的基本解

推导得到一组在体积力作用下压电材料平衡方程的一般解,对横观各向同性压电材料,利用一般解结合体积势理论及构造一类调和函数的方法,得到了无限体在集中力和点电荷作用下的位移和电势的有限形式的表达式,从而给出了边界元法中可用的基本解.     

(Si)n/(Ge)n超晶格几何结构

本文用Keating模型计算了Si_1-xGe_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_1-xGe_x作衬底有利于超晶格的生长。 关键词：