反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe     

稀土元素荧光增强效应的研究─RE对Eu－苯甲酰三氟丙酮－溴化十六烷基三甲基铵体系的荧光增强

本文详细研究了稀土元素Ｌａ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｌｕ３＋、Ｙ３＋及Ｓｃ３＋对铕苯甲酰二氟丙酮（ＢＴＡ）－阳离子表面活性剂体系的荧光增强效应。结果表明，在上述增强离子的分别存在下，体系的荧光强度分别增加１７、７５、６５、５、５５和１８倍，铕浓度在１．０×１０－１０－８．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内与荧光强度成线性关系，最低检出限为１．０×１０－１１ｍｏｌ／Ｌ利用标准加入法测定了混合稀土氧化物中的铕，结果满意。     

光纤模式混合器在差分吸收光谱系统中的应用研究

差分吸收光谱技术(DOAS)已经发展为监测对流层痕量气体的重要技术，一般采用光电倍增管(PMT)作为探测器.由于光电二极管阵列(PDA)在多道探测及像元灵敏性方面的优势，采用PDA代替扫描探测装置将能改善系统剩余噪声，提高系统性能.但实际应用中由于使用收发一体Cassegrain望远镜造成灯谱与大气谱结构不统一，在消除PDA像元间差异的过程中给系统带来误差，从而导致剩余噪声的标准偏差达到1.4×10^-3.根据光纤扰模原理在系统中加入自制光纤模式混合器很好的解决了上述难题，在实际应用中起到良好的作用，系统剩余噪声的标准偏差为3.4×10^-4. 关键词： 差分吸收光谱 扰模 模式混合器 剩余噪声     

AlGaN-Based Solar-Blind Schottky Photodetectors Fabricated on AlN/Sapphire Template

We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D＊ is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current.     

染料分子吸附在正、负电性纳米银上的荧光增强及荧光猝死现象

制备了两种不同表面电性的胶态纳米银，选取阴离子型染料分子荧光素钠、既有阴离子基团又有阳离子的染料分子罗丹明B，研究其在两种纳米银表面的荧光增强及荧光猝死现象，当罗丹明B（RhB）分子分别吸附在这两种纳米银上时，对负电性纳米银，观察到荧光猝死、荧光峰红移现象，且在分子的浓度适当时，加入KBr可获得较强的表面增强拉曼光谱：在正电性纳米银上，当分子的浓度较大时观察到荧光猝灭，当分子的浓度较小时观察到荧光增强，而当荧光素钠分子（FS）分别吸附在这两种纳米银上时，在负电性纳米银，观察到荧光猝死；在正电性纳米银上观察荧光急剧增强现象，从分子的结构及纳米银表面局域场增强或无辐射通道的增加对增强和猝灭的原因作了讨论。     

含1，2，3－噻二唑环硫脲的合成及结构鉴定

含１，２，３－噻二唑环硫脲的合成及结构鉴定司宗兴，董燕红（中国农业大学应用化学系，北京１０００９４）作者根据：（１）硫脲分子中氮原子与硫原子电子的ｐ－π－ｐ共轭效应与生物活性关系；（２）硫原子取代脲中氧原子后，毒性降低的一般规律；（３）氮原子上不同苄...     

自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.     

Photoluminescence Property of Co3O4 Nanowires

Co3O4 nanowire arrays are fabricated by electrodeposition with following heat-treatment in atmosphere ambient. Photoluminescence is investigated at 295K. In the experiment, when increasing the excitation light wavelength from 260 nm to 360 nm, two kinds of emissions corresponding to the increasing excitation light wavelength are observed. One of them alters the excited emission position, another keeps its emission position. The distinct behaviour of excited emissions related to the increasing excitation wavelength indicates that the mechanism of them must be different. According to the experimental comparison and first-principle calculation, the two kinds of emissions are discussed.     

具有粗糙核的Marcinkiewicz积分交换子在齐型Herz-Morrey空间上的有界性

建立了一类具有粗糙核的Marcinkiewicz积分交换子在齐型Herz-Morrey空间上的有界性.