高阶单向传播内孤立波理论模型适用性

内孤立波在海洋中广泛存在,其在生成、传播演化以及耗散过程中对海洋环境、地形地貌和海洋结构物等有着深远的影响.针对内孤立波理论模型研究,已有理论模型包括单向传播Korteweg-de Vries (KdV)类方程和双向传播Miyata-Choi-Camassa (MCC)类方程,然而,两类方程均未能有效地模拟大振幅内孤立波的传播演化过程.本文采用渐近匹配方法,对原始单向传播内孤立波方程的系数进行修正,建立了改进的单向传播内孤立波理论模型.在此基础上,通过比较分析改进了前后内孤立波的理论模型,结果表明,改进后的理论模型稳态内孤立波的理论极限振幅能达到MCC方程稳态内孤立波的理论极限振幅.结合系列实验结果,通过定量分析稳态内孤立波有效波长、波速和波形与MCC方程稳态内孤立波理论解的吻合度,进一步分析了改进后的内孤立波理论模型在表征定态内孤立波特性方面的适用性.此外,针对平坦地形条件下大振幅内孤立波非定态传播演化过程,探究各类单向传播孤立波理论模型的稳定性.研究表明改进后高阶单向传播内孤立波理论模型可用于表征大振幅内孤立波传播演化特性,为海洋结构物水动力学研究提供理论依据.     

基于两步正交相移干涉的振幅图像光学加密技术

提出一种基于两步正交相移干涉的光学图像加密技术.这种相移干涉数字全息只要记录两幅干涉图,不需要记录物光波和参考光波的强度信息,就可以再现没有零级像和共轭像的再现像.物光波对应的光路经过两次菲涅尔变换,并结合双随机相位编码.参考光分别引入0和π/2相位,用数字化记录介质记录两幅数字全息图作为加密图像.解密时只要获得正确的密钥,经过简单的计算就可以重建清晰的原始图像.模拟实验验证了它的可行性和有效性,分析了抗裁剪和噪音的鲁棒性.     

双原子分子振动能级半量子化及量子理论的数值计算

利用半经典量子化理论和量子理论，分别采用Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势和Ｍｏｒｓｅ势，对双原子分子的振动能级给予了较为详细的数值计算。并将所得结果与部分实验数据进行比较，峄双原子分子的振动能级作了较为详细的 讨论。     

基于MPS法的圆截面液体射流数值模拟

传统网格方法在模拟液体射流流动中的断裂和破碎等液体大变形过程时存在困难,本文引入无网格移动粒子半隐式方法,对圆截面液体射流的复杂非定常流动过程进行数值模拟.基于进口速度边界条件建立了连续进口流动模型,对三类典型的射流流动,即壁面射流、竖直向上自由射流和自由射流碰撞等进行了建模和数值模拟,并对特征流动现象进行定性分析,验证了移动粒子半隐式法对上述射流流动数值计算的正确性,为相关研究提供了一种新的数值方法.     

几何参数对喷射器性能的影响分析

运用计算流体动力学软件Fluent对喷射器进行数值模拟,研究了工作喷嘴喉部直径、等截面混合室直径和长度等几何参数对喷射器性能的影响,并对数值模拟结果进行了分析。研究表明:在一定的工况下,工作喷嘴及等截面混合室对喷射器性能有极大的影响,存在最佳的喉部和混合室直径使得喷射系数最大;随着混合室长度的增加,喷射器的喷射系数将逐渐降低。     

壳聚糖抗庭院植物病原真菌的活性

分别用过氧化氢和溶菌酶降解壳聚糖,制备得到了系列分子量(3.8×105,7.8×104,4.8×104,1.7×104,2.3×103)的壳聚糖样品.采用平板法研究了壳聚糖系列样品对大叶黄杨炭疽病、沿阶草炭疽病、广玉兰炭疽病和对节白蜡腐烂病等庭院植物病原真菌的体外抗菌性能.结果表明:水不溶性壳聚糖酸溶液均表现出抑菌活性,且随着浓度的增大而抑菌活性增强;中等分子量(7.8×104)壳聚糖比大分子量(3.8×105)壳聚糖和低分子量(1.7×104,2.3×103)壳聚糖抗菌作用强.     

RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.     

非晶态Fe_(13.3)Ni_(69.6)B_(16.2)Si_(0.9)的结构驰豫

本文讨论了非晶合金Fe_(13.3)Ni_(69.6)B_(16.2)Si_(0.9)的结构弛豫动力学及可逆弛豫过程,研究了各种热处理引起居里温度T_C的变化。发现经长时间退火后T_C趋于平衡值且动力学可通过弛豫时间连续谱加以描述。可逆弛豫过程可用CSRO来说明,并且某一物理量的可逆变化并不意味着整个结构的变化是可逆的。     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.     

First-Principles Calculations of Atomic and Electronic Properties of T1 and In on Si（111）

The atomic and electronic structures of T1 and In on Si（111） surfaces are investigated using the firstprinciples total energy calculations. Total energy optimizations show that the energetically favored structure is 1/3 ML T1 adsorbed at the T4 sites on Si（111） surfaces. The adsorption energy difference of one T1 adatom between （√3 × √3） and （1 × 1） is less than that of each In adatom. The DOS indicates that TI 6p and Si 3p electrons play a very important role in the formation of the surface states. It is concluded that the bonding of TI adatoms on Si（111） surfaces is mainly polar covalent, which is weaker than that of In on Si（111）. So T1 atom is more easy to be migrated than In atom in the same external electric field and the structures of T1 on Si（111） is prone to switch between （√3 × √3） and （1 × 1）.