InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.     

MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.     

高功率二极管端泵浦板条模块波前畸变实验研究

二极管激光器阵列端泵浦Nd:YAG板条具有热效应低、波前畸变小的特点,温度场和应力场的不均匀是引起板条增益介质波前畸变的主要原因。对端泵浦传导冷却Nd:YAG板条增益模块的泵浦和冷却均匀性进行了优化设计,获得了板条激光增益模块静态波前畸变最大偏差（PV）值为0.22 m。该模块用于双通放大器实验装置中,测试了板条增益模块有无注入功率条件下的波前畸变,测得无注入功率波前畸变PV值为3.49 m,能量提取后波前畸变PV值为3.41 m。在注入功率3120 W时,获得输出激光功率4660 W,光束质量为3.88倍衍射极限,该模块光光效率为27%。     

通过原生质体融合改建酵母细胞的研究——Ⅲ.种间融合杂种HU-KDF-185发酵能力的生产性鉴定试验

从原生质体融合获得的K氏酵母(Saccharomyces cerevisiae var.ellipsoideus)和糖化酵母(Saccharomyces diastalicus)的种间融合杂种中筛选到一株酒精高产菌株HU-KDF-185,它在番薯渣糖化液(约5.0—5.5Brix)的工厂生产性发酵试验中,原料的酒精得率平均是30.77％;而当前使用的酒精生产菌株K氏酵母(对照1)则是29.71％,新市一号菌株(对照2)则是29.54％.试验结果表明,种间杂种HU—KDF-185比K氏酵母和新市一号菌株分别增产酒精3.56％和4.16％.由此可以确定,杂种HU-KDF-185是一株具有生产价值的酒精高产菌株.     

1-(α-吡啶基)-5-苯基-3-(α-呋喃基)甲■的合成及其与镉显色反应的研究

本文研究了1-(α-吡啶基)-5-苯基-3-(α-呋喃基)甲(月朁)的合成方法及其在非离子表面活性剂吐温-80存在下与镉的显色反应。在pH 9.5～12.0时,络合物的λ_(max)=654nm,δ_(654)=6.0×10~4。组成为Cd∶R=1∶2。镉含量在0—13微克/10毫升范围内服从比尔     

HH模型阈值特性分析及参数空间拟合

通过寻求HH(Hodgkin-Huxley)模型中参数的变化与阈值变化之间的关系,得到神经元的阈值特性.首先,根据神经元阈下离子通道的特性来对四维HH模型做一定的简化,使所得到的二维简化模型保持原有四维HH模型的阈值特性.然后,用相平面法来对简化模型的阈值特性进行定性分析,给出了参数变化与二维简化模型中的鞍点电压值变化之间的关系.最后,把四维HH模型的数值仿真结果与相平面分析结果进行对照,发现可用鞍点附近动力学特性来反映阈值特性.在定性上,这是一种寻求参数变化与阈值变化关系的方法,也是分析阈值下参数空间的手段.     

类水滑石及其杂多阴离子柱撑物的合成与表面酸性研究

合成了一些类水滑石和过渡金属取代型杂多酸盐，并由此制备了相应杂多阴离子柱撑水滑石层柱材料。用ＸＲＤ，ＩＲ和元素分析等手段对合成产物进行组成和结构表征，用ＮＨ３－ＴＰＤ，Ｐｙ－ＩＲ研究了合成产物的表面酸性和酸类型，并在异丙醇反应中考察了合成物的酸碱催化行为，结果表明，水滑石和柱撑水滑石均同时存在酸碱中心，且酸碱相对强度与柱阴离子类型密切相关。杂多阴离子进入水滑石层，同时改变了水滑石和杂多酸盐的酸强度     

固相微萃取气质联用技术对卷烟烟丝和卷烟烟气总粒相物中挥发性和半挥发性成分的研究

采用固相微萃取－气相色谱－质谱（SPME－GC－MS）法对成品卷烟烟丝和卷烟烟气总粒相物中挥发性和半挥发性成分进行了分析鉴定，并对鉴定出的70种成分和96种成分进行了比较。     

均匀沉淀法直接合成有机阴离子柱撑水滑石

以尿素为沉淀剂用均匀沉淀法直接合成有机阴离子柱撑水滑石(Layered Double Hydroxides，LDH)及CoAl水滑石等，并用XRD，FT—IR，TGA，TEM等分析手段对所合成的水滑石进行了表征．结果表明，尿素均匀沉淀法可以直接合成有机阴离子柱撑水滑石及CoAl水滑石等，并且可以方便地消除原料中阴离子的干扰，是合成有机阴离子柱撑水滑石及CoAl水滑石等的一个简便快速的新方法。