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31.
生物材料的低温保存一般都要经历降温过程、低温储存过程及复温过程,其中降温过程中对生物细胞的影响最大.每一种生物细胞都有自己合适的降温速率,如能满足其这种降温速率,细胞所受到的低温损伤最小,则生物细胞的复活率最高.文中介绍程序控制变速降温装置的主要结构及几种典型生物体的降温过程.最后,对器官的低温保存进行分析讨论.  相似文献   
32.
为研究脉动热管在相变蓄放热装置中对放热的强化,设计了一套脉动热管相变蓄放热装置,搭建了试验台。以无水乙醇作为充注工质,充注率为0.5,相变材料采用Ba(OH)_2·8H_2O(八水氢氧化钡),质量4.5 kg,热循环采用底部加热顶部冷却,设定几组工况进行对比实验,发现放热过程中脉动热管的作用非常显著,实验工况下总放热时间由13495 s减小到12665 s,总放热时间减少了830 s,相变潜热放热时间由7300 s减小到5330s相变潜热放热时间减少了1970s,减幅达到27%,冷却水最高温度升高了4℃;发现冷却水初始温度越低潜热放热时间和总放热时间越少,水槽内冷却水最终温度也越低,但冷却水温度不宜过高或者过低,本装置冷却水最佳温度范围为15~20℃;实验中发现增大冷却水流量,总放热时间和相变潜热放热时间都只会微弱减小,冷却流体流量对放热过程影响不大,建议冷却流体的流量为0.1m~3/h。  相似文献   
33.
基于小波分解系数的贝叶斯人脸识别方法   总被引:2,自引:2,他引:2  
彭进业  王大凯  俞卞章  李楠 《光子学报》2001,30(10):1263-1269
本文给出了贝叶斯人脸识别方法中匹配准则的多个近似表达式及一种实用的快速计算方法,在此基础上,利用反对称双正交小波变换的微分算子功能,提出了一种利用两幅人脸图像的小波变换系数差作为模式矢量的贝叶斯人脸识别方法,并利用AR人脸图象库进行了实验,实验结果表明本文方法与基于图像灰度的类似方法相比,识别率提高8%左右,此外本文方法也提供了一条在图像压缩数据域中实现人脸识别的可能途径。  相似文献   
34.
用~(11)B连续波核磁共振谱研究了锂硼钒酸盐玻璃的结构,测量了BO_4,BO_(3s)和BO_(3A)各结构单元的比例。实验表明,锂硼钒酸盐玻璃中N_4的最大值近似为一常数,与V_2O_5的含量无关。Li_2O被V_2O_5和B_2O_3分享。并推测V_2O_5与B_2O_3可能结合生成(BV_(4.5)基团。  相似文献   
35.
 介绍了一台1.5MeV的C波段便携式无损电子直线加速器的全密封加速管的设计、微波冷测和研制,热测结果表明该加速管满足加速器的设计要求。  相似文献   
36.
辛永春  章蓓 《发光学报》1999,20(1):43-46
利用一套CCD显微荧光图像观测和采集分析系统,分别在室 液氮温度下对半径为5μm发射波长0.65μm的InGaP半导体光学微盘的光图像进行了观测。  相似文献   
37.
封闭圆内开缝圆自然对流换热的振荡特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文通过数值计算探讨了封闭圆内开缝圆自然对流换热的振荡特性。数值计算以整个圆为计算区域,采用了非稳态的数学模型和具有QUICK差分格式的SIMPLE算法。在相同条件下计算结果和实验结果符合很好。数值结果显示, 当几何结构一定时,Rayleigh数Ra小于某个临界值时,流动和换热处于稳态,并且关于垂直中心线对称;Ra大于这个临界值时,流动和换热是振荡的,非对称的。数值实验还表明,流动和换热出现振荡时的临界Rayleigh数Rac与开缝圆的开缝度有关,且流动和换热的振荡会出现对称振荡和非对称振荡两种情形。  相似文献   
38.
39.
大家知道,物体按其导电性能的不同,可以分成导体、絕緣休、半导体。按其磁性的不同則可分为鉄磁体、逆磁体、順磁体。对于多数的有机物质來讲,它們都是不导电的絕緣体和逆磁体、少部分的有机物质的电磁性能則与此相反,它們具有明显的半导体性能和一定的順磁性。对这部分有机物质的半导体性能的研究,早在本世紀初就已开始。但比較大量、系統、深  相似文献   
40.
铝、铜、镍三元合金系中τ相的晶体结构变迁   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陆学善  章综 《物理学报》1957,13(2):150-176
A thorough investigation by means of X-rays has been carried out with the purpose to determine the nature of the ternary phase τ in Al-Cu-Ni alloys. In contrast with the conventional concept of alloy phase which is characterized by a definite type of crystal structure, systematic structure changes are found in the single phase field of τ which occupies quite an extensive area in the isothermal section of the phase diagram at room temperature. There are eight types of structures altogether, all derived from a basic rhombohedron with corners occupied by Al atoms and centres either occupied by the heavy atoms or remaining vacant. The basic rhombohedron is the building stone in the crystal architecture. By transforming the basic rhombohedron into a hexagonal prism in the usual way, all structures may be considered to be built up by stacking together a number of these hexagonal prisms along the triad. The transformation of one structure into another is quite systematic in the way that the number of the stacking stories in the unit cell increases according to the order 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17. The atomic arrangements in the different structures are closely related too, in the respect that they are all superstructures due to the presence of ordered vacancies in the rhombohedral centres.The principal factor controlling the formation of these structures has been fully considered. In view of the fact that the change of structure types follows closely with the content of Ni or Cu for alloys of constant Al content, the atomic size factor appears to be unimportant in the formation of these alloys. It has been shown that for alloy phases of the defect lattice type as the r-phase, the most fundamental factor is the average number of valency electrons per structural unit which is the basic rhombohedron in the present case. By assuming Hume-Rothery's valencies, the average number of valency electrons remains remarkably constant throughout the entire phase field, while the electron concentration varies with compositions. It has also been pointed out that for alloy phases where there is no unit cell change, the average number of electrons per structural unit is equivalent to the number of electrons per unit cell, and for alloy phase where there is no defect, this is in effect equivalent to the electron concentration.  相似文献   
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