Ar-S2(B3Σu-→X3Σg-)体系跃迁偶极矩的从头计算

采用多参考组态相互作用方法计算了Ar-S2团簇, 得到了Ar-S2(X3Σg-)与Ar-S2(B3Σu-)的势能曲面; 计算并讨论了Ar原子与S2分子的相对位置R与S2(B3Σu-→X3Σg-)跃迁矩变化的关系; 分析了Ar对S2分子轨道的压缩和诱导偶极矩随R的变化, 以及其在高压脉冲快放电激励S2分子激光器实验中对实现S2分子发光的影响.     

深冷状态下纳米镝铁氧体磁粒子磁性能的研究

采用湿化学法制备出稀土Dy3+掺杂的纳米Fe3O4磁粒子,用月桂酸进行了表面修饰,研究了磁粒子在室温和深冷(200.2～56.5 K)状态下的磁性能.经X射线衍射分析发现,适量的Dy3+掺杂不会改变纳米Fe3O4磁粒子的晶型结构.透射电镜(TEM)照片表明,制备出的纳米磁粒子成球性好,且大部分磁粒子的粒径在14 nm左右.通过磁性测量仪、振动样品磁强计(VSM)对磁性能进行了表征.磁化曲线表明掺杂引起磁性能发生变化,磁粒子室温下无剩磁和矫顽力,具有超顺磁性;深冷状态下出现剩磁和矫顽力,且随温度的降低,剩磁和矫顽力增大,不具有超顺磁性,饱和磁化强度略高于室温值.     

ZnS:Co~(2+)半导体纳米晶的制备及性能研究

半导体纳米晶,由于其具有量子尺寸效应、介电限域效应、表面效应等而表现出一系列特殊而优良的发光特性,如发光效率高、荧光光谱窄而且对称、激发光谱宽并且连续分布,特别是通过改变纳米颗粒的尺寸及引入Co2+、Cr2+等二价过渡金属离子可以调控发射峰的位置,获得中红外波段发光的材料.这些特性使其在生物探针[1]、激光器[2]、光发射二极管[3]等方面都具有广阔的应用前景.     

具有正态逆伽玛先验的正态分布中的方差参数在Stein损失下的贝叶斯后验估计量（英文）

对于先验分布为正态逆伽玛分布的正态分布的方差参数,我们解析地计算了具有共轭的正态逆伽玛先验分布的在Stein损失函数下的贝叶斯后验估计量.这个估计量最小化后验期望Stein损失.我们还解析地计算了在平方误差损失函数下的贝叶斯后验估计量和后验期望Stein损失.数值模拟的结果例证了我们的如下理论研究:后验期望Stein损失不依赖于样本;在平方误差损失函数下的贝叶斯后验估计量和后验期望Stein损失要一致地大于在Stein损失函数下的对应的量.最后,我们计算了上证综指的月度的简单回报的贝叶斯后验估计量和后验期望Stein损失.     

Ni掺杂YBa2Cu3O7-δ的内耗研究

制备了Ｎｉ掺杂浓度为０，０．００２，０．００５，０．０１，０．０２，０．０５，０．１的系列ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品。在液氦至室温范围，采用双端共振簧方法测量了它们在千赫兹范围的内耗。     

土豆组织-碳糊电极的研制及应用

本文研制了土豆组织-碳糊电极,并探讨了电极的性能及实用性。实验表明,该电极可用于伏安法快速检测多巴胺。线性范围为5.3×10~(-8)～9.8×10~(-5)mol/L。检测下限达到1.8×10~(-6)mol/L。电极具有良好的重现性和选择性。响应时间短,使用寿命为20天。     

含硫碳负离子的反应及其应用的研究——Ⅲ.合成戊烯二酸酯类的新方法

不对称取代的戊烯二酸存在于若干天然产物中。a-,β-或γ-取代的戊烯二酸及其酯类有双键互变异构和立体异构现象,其结构问题曾引起化学家们的很大兴趣.这类二酸及其酯还具有多官能团的特点,可以用于较复杂的分子的合成,例如用取代的戊烯二酸酯与适当的醛缩合,可以立体选择性地生成具有保幼激素活性的昆虫生长调节剂.     

担载多孔Al2O3膜的制备和表征

研究了溶胶—凝胶法在多孔陶瓷载体上制备多孔Al_2O_3膜的工艺条件,发现在孔径为1.1～1.6μm的多孔陶瓷载体上必须经过多次重复浸渍—干燥—焙烧过程,才能制备出担载均匀的多孔A1_2O_3膜,不过对溶胶和多孔陶瓷载体进行适当的化学改性后,能够减少重复以上过程的次数。用BET法和透气实验对Al_O_3膜的孔径大小和透气性能进行了表征。     

相转移催化α-对甲苯磺酰基乙酸酯Hichael加成

为了探索在更温和,更简便的条件下有效地产生含硫碳负离子和形成新碳-碳键的方法,我们研究和发展了固-液相转移催化α-苯亚磺酰基乙酸酯的烷基化消除反应,共轭加成反应与合成戊烯二酸酯的新方法,α-芳磺酰基乙酸酯的一烷基化和二烷基化,最近又进一步研究了固-液相转移催化α-芳磺酰基乙酸脂的Michael加成。这类反应不但是构成新碳-碳键的重要方法,而且可以在产物分     

高性能GeTe基热电材料的研究进展

随着环境相容性的提出,热电材料除具有优异的性能外,还需要由环境友好型元素构成.GeTe具有无毒无害的特点,因而被作为理想的PbTe替代物广泛研究.近年来,研究者主要以掺杂方式对其进行改善,由于单掺存在局限性,双掺便成了主导,且Pb元素逐渐被Sb、Bi等代替.本文从GeTe的晶体结构及能带结构特点出发,总结了载流子调控、能带调控和结构调控3种优化手段.目前的GeTe热电器件主要以p型单臂为主,n型GeTe热电材料还需要深入研究,同时,解决相变引起的界面断裂问题也是该材料的发展方向之一.