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利用含羰基化合物与2,4-二硝基苯肼在酸性条件下反应得到的产物腙对紫外-可见光有吸收的特性,采用柱前衍生高效液相色谱法测定了1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸合酶稳态动力学参数。酶反应产物1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸在碱性磷酸酶的作用下生成去磷酸化产物1-脱氧-D-木酮糖,然后与2,4-二硝基苯肼衍生成腙。衍生化反应的适宜条件为:HClO4浓度为1.5%,反应温度37℃,反应时间60 min,2,4-二硝基苯肼与1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸的摩尔比为6∶1。色谱条件:0~17 min,40%~80%甲醇;18~20 min,40%甲醇。结果表明,本方法具有较高的灵敏度和良好的线性关系,1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸的检出限为1.0 mg/L,在0.005~1.0 g/L范围内线性相关系数为0.999,相对标准偏差小于5.0%(n=3),标准回收率为102.22%。用本方法测得的1-脱氧-D-木酮糖-5-磷酸合酶稳态动力学参数Km、Vmax和Kcat与文献报道一致。 相似文献
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Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
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Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance–voltage curves,the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode,such as Schottky barrier height,turn-on voltage,reverse breakdown voltage,ideal factor,and the current-transport mechanism,are analyzed and then compared with those of an AlGaN/GaN diode by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes.However,more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostructure results in a larger tunneling probability,and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage,even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an AlGaN/GaN diode. 相似文献
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2011年,我国互联网广告市场规模达512.9亿元,预计2012年网络广告规模将达800亿元,超过平面媒体并且逼近电视广告规模。然而,随着2012年宏观经济增速放缓,企业主们在广告投放预算上显然变得更加谨慎,互联网搜索引擎广告也难独善其身。 相似文献
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