聚类分析法在食品TE分级中应用研究

用１５种食品的Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ含量作分级特征，按聚类分析分级，结果以Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ总量均值最低的蕃茄为Ⅰ级；低的白鸡、鲜牛奶、黄瓜、新会柑、罗岗橙为Ⅱ级；高的精面粉、水豆腐、粉丝、牛肉、鸡蛋、鸭蛋、西洋菜、白芽为Ⅲ级；最高的红豆为Ⅳ级．提示膳食中Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ含量大于供给量标准时可选Ⅲ、Ⅳ级，小于标准选Ⅰ、Ⅱ级，＝标准选Ⅰ、Ⅲ级食品．据此认为聚类分析法可用于食品分级，对选择食品、制订食谱、营养治疗、食品科研、研制食品配方等均具有实用价值和指导意义。     

钒、钴和铁的2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚螯合物的高效液相色谱法测定的研究

研究了反相高效液相色谱法分离和测定钒(V)、钴(Ⅰ)和铁(Ⅰ)的5-Br-PADAP鳌合物的诸条件;提出了液相色谱法同时测定此三元素的新方法;探讨了异离子对此新方法之影响。校正曲线之线性范围是0.01-0.5Ppm V(V)、0.01-2.5ppm Co(Ⅰ)和0.1-2.0 ppm Fe(Ⅰ),其绝对检出限(以信噪比=2:1 计)分别是0.02、0.1和0.5ng.     

La（NCS）3.4.5H2O和B15C5在乙醇中的相平衡及热化学研究

采用半微量相平衡方法测定了三元体系Ｌａ（ＮＣＳ）３．４．５Ｈ２Ｏ－Ｂ１５Ｃ５－Ｃ２Ｈ５ＯＨ在２９８．１５Ｋ的溶解度，测定了各饱和溶液的折光率。     

铜(Ⅰ，Ⅱ)配合物的合成、结构与性质

在室温、有关配体存在下,利用金属铜粉和过氧化苯甲酰的氧化加成配位反应合成了四种铜(Ⅱ)配合物(配体分别为联吡啶、双二苯基膦乙烷、2-氨基吡啶、苯并咪唑)。同时又利用双齿有机膦配体(dppm=双二苯基膦甲烷,dppe=双二苯基膦乙烷,dppp=双二苯基膦丙烷,dppb=双二苯基膦丁烷)和金属铜盐的还原取代反应合成了四种一价铜(Ⅱ)配合物。通过元素分析确定了配合物的组成,经X射线四圆单晶衍射确定了配合物的分子结构,配合物的晶体结构由直接法和Fourier合成方法解出。利用电子光谱等手段研究了氧化加成配位和还原取代配位反应的机理。初步建立了一套简单有效的合成铜(Ⅰ,Ⅱ)配合物的新方法。     

液相色谱手性拆分机理的热力学方法研究

手性识别是分子识别的一个重要组成部分.液相色谱手性拆分机理研究有助于色谱条件的优化和新型手性固定相的设计,也有助于理解手性识别机制.本文就线性色谱与非线性色谱条件下手性拆分过程对应热力学参数的推求方法进行了评述,阐述了相关热力学参数的涵义及其在色谱保留及手性拆分机理探讨中的应用,并展望了该领域的研究前景.     

糖作为EPC合成手性源

近二十年来,有机合成化学有了很大的发展。对于一个复杂分子,化学家们不再满足于消旋体的合成,而是越来越致力于合成光学纯的目标分子。这就是通常所说的对映纯化合物的合成(Enantiomeric Purity Compound,简称EPC),它是当今有机合成注意的焦     

用内时本构方程分析弹塑性梁的循环加载问题

本文依据 Valauis 的内时理论[1],在文[2]的基础上讨论了弹塑性梁的加载,卸载和重新加载的过程及响应,同时描述了循环加载下弹塑性梁的基本特征,一般地给出了稳定循环的弯矩——塑性曲率的曲线。     

Ge-Sb-Se硫系薄膜制备及光学特性研究

介绍了几种常见的硫系薄膜制备方法, 根据现有实验条件采用热蒸发法和磁控溅射法制备出Ge-Sb-Se三元体系硫系薄膜, 通过台阶仪测试薄膜的厚度和表面粗糙度, 计算出两种制备方法的成膜速率, 并通过X射线光电子能谱测试了两种制备方法所得薄膜与块体靶材组分的差别. 利用Z扫描技术和分光光度计测试了热蒸发法制备所得薄膜的三阶非线性性能和透过光谱, 计算出非线性折射率、非线性吸收系数和薄膜厚度等参数. 结果表明热蒸发法制备Ge-Sb-Se薄膜具有良好的物理结构和光学特性, 在集成光学器件方面很高的应用潜力.     

子孔径拼接技术在大口径高陡度非球面检测中的应用

 为了能够精确地完成对大口径高陡度非球面在细磨和抛光过程中的测量,提出了一种将子孔径拼接技术和补偿技术相结合的检测方法。介绍了该方法的基本原理,建立了合理的数学模型,编制了拼接计算软件。利用该方法对一外形尺寸为400 mm×300 mm的高次离轴非球面进行了测试,通过最小二乘法拟合消去各子孔径相对基准子孔径的调整误差以及整个系统的装调定位误差,得到了准确的全孔径面形分布。对实验精度和误差来源进行了分析,并将拼接面形与全孔径测量面形相对比,二者是一致的。     

Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films （Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50） for Phase Change Memory

The multiple-state storage capability of phase change memory （PCM） is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents.