基于姿态测量的光电桅杆侦察方法

描述了一种用于桅杆式光电系统的侦察定位方法,采用单一陀螺和双轴倾角传感器组合,替代三轴正交的陀螺仪,对光电设备进行姿态测量;结合惯性导航设备获得的大地北向、激光测距机获得的目标相对距离、卫星定位设备获得的本地坐标,通过坐标系转换,能够准确获得目标的大地坐标。试验结果表明:通过该方法获得的系统定向精度达到0.3 mil,目标的定位精度优于10 m(CEP)。     

多缸液压调节机构的冲击特性研究

采用自制四油缸液压调节机构对油缸受撞击时的动态响应进行了实验研究. 利用电阻式位移传感器测量了各活塞杆的位移—时程曲线, 使用MATLAB软件得到了速度和加速度的时程曲线, 获得了各活塞杆的最大位移、最大速度和最大加速度随落锤下落高度的变化. 结果表明: 在任一油缸受撞击时, 其他3个油缸的反应时间一致; 随着落锤下落高度的增加, 各油缸的最大响应速度和最大加速度逐渐增加.     

磁驱动准等熵加载装置CQ-4的加载能力及主要应用

利用脉冲大电流与其自身磁场相互作用产生磁压实现对样品平面等熵压缩,是国外新发展起来的动高压加载技术。CQ-4装置是在自然科学基金仪器专项资助下,建立的国内首套可实现110GPa等熵压缩,宏观金属飞片发射达15km/s的紧凑型脉冲功率装置。本文重点介绍该装置的主要性能和加载能力,以及基于其上开展的材料高压本构、相变、未反应炸药等力学行为等应用研究情况。     

磁驱动准等熵加载下Z切石英晶体的折射率

基于CQ4脉冲功率实验装置开展了Z-切石英晶体在磁驱动准等熵加载下的窗口折射率修正关系研究. 实验中采用激光波长1550 nm的双源光外差测速仪测量获得了LiF窗口和Z-切石英晶体窗口与不同厚度极板界面的粒子速度. 利用反积分方法由实验测得的LiF窗口与极板界面粒子速度计算得到了极板的加载磁压力历史; 以获得的磁压力为输入条件, 采用LS-DYNA计算软件正向计算得到石英晶体窗口与极板界面的真实粒子速度历史. 由实验获得的Z-切石英晶体窗口/极板界面表观粒子速度和计算得到的真实粒子速度, 获得了Z-切石英晶体弹性极限内的连续的折射率修正关系, 将其折射率修正关系的适用压力范围拓宽至14.55 GPa. 表观粒子速度与真实粒子速度关系采用线性拟合时, 折射率修正关系为n=1.087 (± 0.008)+0.4408ρ/ρ₀, 与冲击数据拟合的结果一致. 由折射率实验数据对Z-切石英晶体的极化率分析认为, 在其弹性极限压力范围内加载路径和温度对折射率的影响可以忽略.     

高温超导体赝隙金属态下的霍尔效应

本文从自由载流子（双极化子的双成分模型出发，在考虑到赝隙随温度变化带来的影响之后，从理论上得出了在特定的掺杂度下霍尔系数对温度的依赖关系．导致霍尔系数随温度变化的因素主要有两个，一个是赝隙的存在导致态密度随温度的变化，另一个是双极化子的分解引起自由载流子的密度随温度的变化．通过对ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ和Ｌａ１．８Ｓｒ０．２ＣｕＯ４的霍尔系数的理论值与实验值的比较发现，对于大于Ｔｃ的任何温度，理论与实验都能定量符合     

探索数据分析简介(Ⅰ)

探索数据分析(Exploratory Data Analysis)首先由J.W.Tukey提出.Tukey从生物学家哪里学了许多分析数据的方法,并引入到统计学中.一九七九年出版了他的名著 《Exploratory　Data Analysis》.这里叙述的内容主要出自该书,用适合我国国情的例子说明分析数据的方法。这些方法的要点是通过简单运算和容易绘制的图形观察数据,进而得出初步结论.图形是很有用的工具,它能形象地将数据特征表示出来,强制我们看到哪些没有想到的东西.但绘制图形也是有技巧的,并不是什么图形都能给予我们启示的.对于数量大的一批数据用少量数字描述数据特征,是统计…     

Mn(TPP)Cl/NaOCl/4-BePy单加氧酶模拟体系催化丙烯环氧化反应

运用4-Benzylpyridine(4-BePy)作为轴向配体,通过Mn(TPP)Cl/NaOCl单加氧酶模拟体系可以使低碳烯烃丙烯十分有效地环氧化,环氧丙烷收率达80％,选择性近100％。对该催化反应的表观动力学行为作了较为细致的研究,并据此提出了丙烯环氧化的反应机制。该催化反应的速率控制步骤取决于底物丙烯的浓度,为简单烯烃通过Mn(TPP)Cl环氧化的第一个例子。     

完备一致空间的非标准特征

In This paper, we prove that the uniform space (X, ψ) is complete if and only if for every remote point p in *X, there exists a pseudo-metric d in the lattice set of ψ and a positive number r such that d(p, q) ≥ r for each q ∈ X.