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Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator: Sn/Si(111)-(√30×√30)R30° 下载免费PDF全文
Yan-Ling Xiong 《中国物理 B》2022,31(6):67401-067401
Unusual quantum phenomena usually emerge upon doping Mott insulators. Using a molecular beam epitaxy system integrated with cryogenic scanning tunneling microscope, we investigate the electronic structure of a modulation-doped Mott insulator Sn/Si(111)-($\sqrt{3}\times \sqrt{3})R$30$^\circ$. In underdoped regions, we observe a universal pseudogap opening around the Fermi level, which changes little with the applied magnetic field and the occurrence of Sn vacancies. The pseudogap gets smeared out at elevated temperatures and alters in size with the spatial confinement of the Mott insulating phase. Our findings, along with the previously observed superconductivity at a higher doping level, are highly reminiscent of the electronic phase diagram in the doped copper oxide compounds. 相似文献
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基于带输运模型理论建立了 LiNbO3 晶体屏蔽光伏孤子的时空演化动力学方程, 用有限差分方法求解发现, LiNbO3 晶体中明、暗屏蔽光伏孤子存在大的自偏转, 并且光孤子形状变得具有不对称性, 偏转方向的曲线斜率绝对值变大, 偏转反方向的曲线斜率绝对值变小. 分析研究表明影响其自偏转度和形变的因素包括受主浓度 NA, 暗辐射强度 Id 和外加电场 E0 . 其他条件不变的情况下NA 越大, 明孤子的自偏转度与形变越小, 暗孤子的自偏转度与形变反而越大; 对于 Id , 它对明暗孤子的影响是相同的, Id 越小, 晶体里诱导出的空间电荷场越容易达到饱和, 当信号光中心光强与暗辐射强度之比为 10-1时无饱和现象产生; 随着 E0 数值的增大, 明孤子的自偏转度和形变减小, 而暗孤子的自偏转度和形变反而增大. 相似文献
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现将我单位研制的一种“红外探测卡”向您们做一介绍:此卡经紫外或可见光激发后能在室温下将红外光 《光子学报》1999,28(5):3
本文采用有效折射率方法对Ti扩散Er 相似文献
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含非线性光学侧基的共聚酯的合成及相行为研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过熔融缩聚法合成了一类侧链含有非线性光学基元的共聚酯,用FTIR,NMR和元素分析等对单体和聚合物进行了表征,并用DSC,WAXD和偏光显微镜等对聚合物的相转变行为进行了研究,发现规整侧链的引入仍然结晶聚合物,对其结晶相的成因进行了初步分析。 相似文献
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由于芳酰腙和它与金属的配合物在生物体系和分析化学中有重要用途,引起了化学家的广泛研究兴趣。A.M.Hundekar 等和zhao Gang 等已分别报道了 N-乙酰基-N-苯酰腙基二茂铁和双(1-甲基-1-苯酰腙乙基) 相似文献
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采用针尖电晕极化方式对非线性光学单元与液昌基元交替排列的聚丙二酸酯液晶进行极化取向,通过紫外-可见光谱吸收的变化求出了取向序参数并考察了取向的稳定性,发现极化膜处在高于其玻璃化温度10℃以上的环境72h以上,序参数的稳定保留率仍达75%,并通过偏光显微镜考察极化前后的织构变化,首次直接测定到两类不同侧链在电场极化下取向方向扭转近90°现象。 相似文献