[Co(2,3-tir)(amp)Cl]ZnCl4体系中三个几何经式异构体的 识别

对[Co(2,3-tir)(amp)Cl]ZnCl42,3-tri=N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine;amp=2-(aminomethyl)pyridine)体系进行了合成,分离出四个配合物。用单晶X射线衍射分析了两个结构,用二维核磁共振DQCOSY和NOESY技术联合解板了另一结构。结构解析显示它们为该体系的四个几何经式异构体(meridianisomers)。两个晶体结构都属中心对称的空间群,表明它们都是外消旋的对映体。     

新型五甲基茂基三苄氧基钛/甲基铝氧烷催化剂合成苯乙烯-乙烯共聚物及其表征

以五甲基茂基三苄氧基钛［Ｃｐ＊ Ｔｉ（ＯＢｚ）３］ 和甲基铝氧烷（ ＭＡＯ） 组成的催化体用本体法合成出苯乙烯 乙烯共聚物Ｐｏｌｙ（Ｓ ｃｏ Ｅ） ．考察了共聚温度,共聚时间,Ａｌ／Ｔｉ 摩尔比,主催化剂浓度［Ｔｉ］ 等条件对共聚反应的影响．共聚产物经沸丁酮,沸四氢呋喃（ＴＨＦ） 连续抽提分离,发现共聚物主要存在于ＴＨＦ 可溶级分中．可溶级分经ＤＳＣ,１３Ｃ ＮＭＲ,ＷＡＸＤ,ＤＭＡ 等手段分析,证明苯乙烯 乙烯共聚物为具有单一玻璃化转变温度（ Ｔｇ） 无熔融温度的无规共聚物,显示弹性体的粘弹性行为．     

[Co(N-(2-Aminoethyl)-1,3-propanediamine)(2-(Aminomethyl)pyridine)Cl][ZnCl4]配合物的合成及一种异构体的晶体结构

用过氧化化物法合成了〔Ｃｏ（２,３－ｔｒｉ）（ａｍｐ）ＣⅠ〕ＺｎＬＩ４（２,３－ｔｒｉ＝Ｎ－（２－ＡｍｉｎｏｅｔｈｙⅠ）－１,３－ｐｒｏｐａｎｅｄｉａｍｉｎｅ;ａｍｐ＝２－（ＡｍｉｎｏｍｅｔｈｙⅠ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ）中的四个异构体,解析了其中的一个几何异构体的晶体结构：顺式（２,３－ｔｒｉ中仲胺上的氢相对于ＣＩ）经式异构体（ｍ４）。晶体学参数：单斜晶系,空间群Ｐ２．／ｃ,α＝１２．０２５（３）Ａ＾     

茂钛化合物／改性MAO催化剂制备聚丙烯-b-间规聚苯乙烯嵌段共聚物

以五甲基环戊二烯基三苄氧基钛化合物 [Cp Ti(OBz) 3 ]为主催化剂 ,改性甲基铝氧烷作助催化剂 ,采用单体顺序投入法 ,合成了聚丙烯 b 间规聚苯乙烯嵌段共聚物 .外加三异丁基铝可以使活性中心的氧化态由Ti(Ⅳ )还原为Ti(Ⅲ ) ,从而提高苯乙烯共聚单体的转化率 .实验表明此催化体系对共聚物的合成具有较高活性 ,适宜的茂钛化合物浓度可阻止活性中心被丙烯预聚物包埋 .抽除残余丙烯气也可促进苯乙烯的共聚合 .对聚合产物进行溶剂连续萃取 ,可分离出嵌段共聚物 ,并用 13 CNMR和DSC进行结构表征     

载银活性炭的制备与表征

在活性炭上负载银离子,制备具有抗菌性能的吸附材料载银活性炭.首先,优选了分散剂的种类为聚乙烯吡咯烷酮(PVP),得出PVP:银离子最佳质量比为1:1;其次,探讨了在不同碳化温度下改性活性炭载银量,未经碳化处理时载银量为17.09％,碳化温度为500℃时,载银量为18.24％;碳化温度800℃时,载银量增加到18.61％...     

醋酸酯淀粉/聚乙烯醇共混膜形态结构与性能

以溶液共混法制备了醋酸酯淀粉(SA)/聚乙烯醇(PVA)共混膜,通过扫描电镜(SEM)观测其表面形貌、X射线衍射仪(XRD)表征其结构、Zwick强力仪测试其力学性能.结果表明,醋酸酯化变性及SA与PVA之间的共混比对共混膜的形态结构及力学性能均有影响.随着淀粉醋酸酯化变性程度的增大,共混膜的断裂伸长率增大;当变性取代度达到0.035之后,断裂强度明显增大.增加SA的质量分数,共混膜的断裂伸长率减小,断裂强度先降低后增大;当共混比为50∶50时,断裂强度最小.     

Efficient and stable wireless power transfer based on the non-Hermitian physics

As one of the most attractive non-radiative power transfer mechanisms without cables,efficient magnetic resonance wireless power transfer(WPT)in the near field has been extensively developed in recent years,and promoted a variety of practical applications,such as mobile phones,medical implant devices and electric vehicles.However,the physical mechanism behind some key limitations of the resonance WPT,such as frequency splitting and size-dependent efficiency,is not very clear under the widely used circuit model.Here,we review the recently developed efficient and stable resonance WPT based on non-Hermitian physics,which starts from a completely different avenue(utilizing loss and gain)to introduce novel functionalities to the resonance WPT.From the perspective of non-Hermitian photonics,the coherent and incoherent effects compete and coexist in the WPT system,and the weak stable of energy transfer mainly comes from the broken phase associated with the phase transition of parity-time symmetry.Based on this basic physical framework,some optimization schemes are proposed,including using nonlinear effect,using bound states in the continuum,or resorting to the system with high-order parity-time symmetry.Moreover,the combination of non-Hermitian physics and topological photonics in multi-coil system also provides a versatile platform for long-range robust WPT with topological protection.Therefore,the non-Hermitian physics can not only exactly predict the main results of current WPT systems,but also provide new ways to solve the difficulties of previous designs.     

〈111〉晶向冲击加载下单晶铜中纳米孔洞增长的早期动力学行为

利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理：加载强度较低时，只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动；而随着加载强度超过一定阈值，在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下，孔洞只沿加载方向增长；在后一种机理作用下，孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史，发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定，由此提出了一个孔洞生长模型，可以解释孔洞增长的线性生长规律. 关键词： 纳米孔洞 分子动力学 冲击加载 位错     

The degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress

Step-stress experiments are performed in this paper to investigate the degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT).It is found that the stress current shows a recoverable decrease during each voltage step and there is a critical voltage beyond which the stress current starts to increase sharply in our experiments.We postulate that defects may be randomly induced within the AlGaN barrier by the high electric field during each voltage step.But once the critical voltage is reached,the trap concentration will increase sharply due to the inverse piezoelectric effect.A leakage path may be introduced by excessive defect,and this may result in the permanent degradation of the AlGaN/GaN HEMT.     

超临界CO2发电和跨临界喷射制冷复合系统研究

冷热电联产系统具有潜在的能源、环境和经济效益,受到人们广泛关注。本文提出了一个由超临界压力CO_2布雷顿循环和热驱动跨临界喷射制冷循环组成的冷电联产系统,建立了系统的热力学能量和拥分析模型,获得了主要运行参数对系统性能的影响规律。当制冷剂为R1234ze时,系统最高热效率0.60,■效率0.51。■损最大的四个部件依次是回热器、喷射器、压缩机和透平,而喷射器、冷凝器和蒸发器■效率较低。研究表明增大透平入口压力和减小透平出口压力均可增大系统冷电输出和提高热、■效率;循环泵出口压力对冷量和耗功产生共同影响,系统存在最优循环泵出口压力。