傅里叶退卷积光谱噪音特性研究

通过数学推导给出了更为一般的计算傅里叶退卷积FSD（Fourier self-deconvolution）光谱信噪比变化率的公式.研究了在六种不同切趾函数情况下,当退卷积系数由小逐渐增大时,傅里叶退卷积光谱信噪比变化率随切趾长度的变化.研究结果表明,当傅里叶退卷积由欠退卷积过渡到完全退卷积再到过退卷积时,傅里叶退卷积光谱信噪比的衰减迅速加快.     

杨树嫩茎质外体微透析液中K+,Na+,Ca2+的分析

采用微透析法获取3种杨树嫩茎质外体汁液的灌流液,流速1μL/min,探针截留分子量为30 kDa,无须处理直接通过原子吸收光谱(石墨炉法)测定样品中Na+,K+,Ca2+浓度,通过建立实时、无损检测离子浓度变化的实验技术,进行杨树生理生化的研究。此方法加标回收率在95.8%~103.1%之间。研究表明,吴屯杨、小胡杨和小美旱的Na+含量分别为1034~1156μg/L,1493~1611μg/L和1586~1703μg/L;K+含量分别为1012~1237μg/L,941~964μg/L和1095~1201μg/L;Ca2+含量分别为4976~5237μg/L,4786~5042μg/L和5893~6142μg/L,本方法为在植物应激反应中通过离子浓度变化来适应外界环境的研究提供可靠数据。     

耐溶剂纳滤膜

纳膜分离过程是一种选择性高、操作简单、能耗低的分离技术,已在各工业领域和科学研究中得到广泛的应用。纳滤过程的诸多优点,使其在石油化工、医药、食品等领域的非水溶液体系中具有极大的潜在应用价值,而传统的纳滤膜难以拓宽到非水溶液体系中使用,为此进一步研究和发展耐溶剂纳滤膜,对于拓宽纳滤过程的应用极其重要。目前,耐溶剂纳滤膜已成为膜分离科学领域的研究热点,在现有报道的文献基础上,本文综述了有关在非水溶液体系中使用的耐溶剂纳滤膜制备的研究进展,并对将来的发展方向提出了建议。     

基于像差选择性校正的光学-数字联合设计

提出面向成像系统的光学和数字图像处理联合优化设计.根据泽尼克多项式模型分析了每种像差对成像清晰度的影响;在变分贝叶斯框架下,提出了基于加权双向差分先验模型的像差数字校正算法;将像差分为易于数字校正和不易于数字校正两类,建立基于像差选择性校正策略的光学-数字处理联合设计方法.采用联合设计方法设计了三镜片大像差光学系统,其奈奎斯特频率处的MTF值约为0.50,采用传统方法设计的六镜片光学系统MTF值约为0.53,两系统成像质量相当,本文方法可降低系统复杂度.     

HIRFL-CSR可控硅脉冲二极磁铁电源预研究

简要介绍了兰州重离子加速器冷却储存环电源系统的概况 ,指出了电源系统建设中的主要难点和设计制作大功率可控硅脉冲电源样机的必要性.并且详细介绍了已经完成的可控硅脉冲电源样机的实施方案、电路原理、关键技术和测试结果等. The pulsed power supply is very important for HIRFL-CSR power supply system. All power supplies in CSRm and CSRe need pulsed operation mode. These power supplies must have high current stability, low current ripple and good dynamic characteristic. A small-scale thyristor rectifier prototype has been researched and designed to find and solve all technique problems of pulsed power supply. The parameters of prototype are the same or higher than dipole po...     

阿达玛变换光谱成像仪光谱混叠分析及修正

叙述了阿达玛变换光谱成像仪的原理及仪器构成,对阿达玛编码模板引起的光谱混叠现象进行了分析研究.从理论上导出了光谱混叠公式,并提出了光谱修正方法,仿真实验结果表明该方法简单有效.修正后光谱图像的分辨率取决于偏离光轴最远处的码元对应的空间分量.     

不同环境下硫化镉/铜基薄膜异质结退火对太阳电池性能调控

高效铜基薄膜太阳电池通常采用无机n型半导体材料CdS作为缓冲层,因此,缓冲层与吸收层之间的界面质量和能带匹配对载流子的收集利用至关重要.在优化CdS基础工艺的基础上,在含硫气氛下对硫化镉/铜基薄膜异质结进行退火的策略进一步提高CdS薄膜质量,并将其应用到铜基太阳电池,调控铜基薄膜电池p-n异质结能带匹配.研究表明, CdS薄膜在含硫的惰性气氛中退火可以有效提高CdS薄膜的结晶质量并抑制CZTS/CdS异质结界面的非辐射复合,器件的开路电压得到大幅提升,最高可达718 mV.在器件效率方面,基于溅射法的CZTS太阳电池效率从3.47%提升到5.68%,约为不退火处理的2倍.该研究为铜基薄膜太阳电池器件实现高开路电压提供了可靠的工艺窗口.同时,有力地说明了退火气氛选择对于CdS质量以及CZTS/CdS异质结能带匹配的重要性,除了界面互扩散以外,对薄膜材料组分及其结晶性等均实现了调控.     

直接合成三烷氧基硅烷铜系催化剂的研究现状

三烷氧基硅烷(HSi(OR)3)既含有可水解的Si-OR键,又具有活泼的Si-H键.其中,Si-OR键通过水解缩合可转化成聚硅氧烷,与格氏试剂反应可生成烷氧基硅烷;Si-H键在铂系催化剂作用下,可与一系列含不饱和基的化合物发生氢硅化加成反应,得到各种碳官能硅烷、硅氧烷及硅基改性有机聚合物[1