用数字示波器观测拍与调幅波

介绍了拍与调幅波的原理,提出了利用数字示波器观测拍与调幅波的方法.通过实验观测,加深了对拍和调幅波原理的理解.     

ZnO的变温拉曼光谱研究

ZnO陶瓷材料是用高温固相反应工艺制备。XRD 表明材料为单一的六方纤锌矿结构。我们在温度103 K~583 K间, 对陶瓷ZnO进行了系统的拉曼光散射的研究, ZnO有A1, B1, E1和E2等晶格振动模, 我们系统地分析与讨论了其中的E2模和A1模的温度变化规律。散射峰的拉曼位移和半高全峰宽随温度的变化而改变, 这种改变是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应,在此物理模型基础上, 进行了实验结果的完整的理论数值分析与讨论。     

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He⁺ 辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga_0.94Mn_0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He⁺的辐照来得到改善,其结果是Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He⁺辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He⁺辐照改变了Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的结构.     

利用原子层沉积制备Pt/HZSM-5催化剂用于乙酰丙酸水相加氢制备戊酸

利用原子层沉积（ALD）技术制备出Pt/HZSM-5催化剂，并用于乙酰丙酸（LA）水相加氢制戊酸（VA）。在HZSM-5上沉积五个循环时的5Pt/HZSM-5催化剂，其VA收率高达91.4%，且具有较高的稳定性。研究表明，Pt加氢位点和HZSM-5 酸性位点距离越近越有利于VA的选择性生成。通过延长沉积的扩散时间，ALD可将Pt沉积到HZSM-5的微孔通道中，但对HZSM-5的微孔结构和酸性位点影响较小，这体现出ALD在保护HZSM-5 结构上的优势。随着ALD沉积Pt循环数的增加，Pt纳米颗粒的平均粒径、表面Pt的电子状态、HZSM-5表面酸位点都没有发生明显的变化，分子筛孔道中的Pt比例则逐渐降低，这导致VA生成的TOF降低。同时，也通过浸渍法制备了负载在HZSM-5上的Pt催化剂作为对比，结果表明，浸渍法导致HZSM-5的孔结构受损，形成了更多的微孔，表面酸性位点数目降低，其催化活性、VA 选择性和稳定性都显著低于ALD制备的催化剂。     

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV     

Structure,Electrical,and Optical Properties of Nb-doped BaTiO3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy

Structure,electrical,and optical properties of Nb-doped BaTiO3 (Nb:BTO) thin films on MgO substrates grownby laser molecular beam epitaxy with increasing Nb content were investigated.The Nb:BTO thin films with high crystallinity are epitaxially grown on MgO substrates.With more Nb-doped content,the impurity phases are found in Nb:BTO thin films.Hall measurement at room temperature confirms that the charge carriers of the Nb:BTO thin films are n-type.When the Nb-doped content increases,the carrier concentration and carrier mobility increase.Meanwhile the optical transmittance decreases with the increase of the Nb-doping,and the width of the forbidden band in each group is not affected by the presence of Nb in the samples.Raman spectra show that the structural phase transition may occur with the increase of the Nb-doping content,in the meantime more defects and impurities exist in the Nb:BTO thin films.     

塞曼效应校正光谱背景吸收技术

论述了塞曼效应校正光谱背景吸收技术的物理原理，讨论了仪器结构及工作原理、特点，以及磁场强度对校正背景效果的影响。     

自发有序Ga_(0－5)In_(0－5)P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用ΓＬ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的ΓＬ相互作用势分别为０１９，０１５和０１０ｅＶ．表明在自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金中存在着的沿［１１１］方向的有序是带隙能量降低的主要原因．在样品Ｃ中还观察到了明显的ΓＸ反交叉行为．拟合得到的ΓＸ相互作用势为００１１ｅＶ，比ΓＬ相互作用势小一个数量级．表明在此样品中除［１１１］有序外还存在弱的［００１］有序     

第八届全国半导体物理会议简讯

受中国物理学会的委托,由中国科学院半导体研究所,清华大学和北京大学负责承办的第八届全国半导体物理会议(NCPS-8)于1991年11月5至8日在北京清华大学召开.来自全国 51个单位的 209名代表出席了会议.黄昆、谢希德等著名物理学家也出席了会议. 会议共接受了235篇学术论文,其中大会报告六篇,其余报告,包括19篇邀请报告(分为表面和界面,量子阱和超晶格,低维系统,杂质和缺陷,本体性质,光学性质,输运现象,非晶半导体,新现象和新材料,半导体器件物理10个方面)同时在三个分会场进行.其中量子阱和超晶格,低维系统及异质结构方面的报告占一半以上. …     

棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的制备与发光性能

采用一种简单的液相反应法在室温下合成了棒状的LaF3∶Eu3+纳米晶, 对其结构和发光性能进行了表征. XRD分析结果表明, 室温下即可得到结晶良好的六方晶相的LaF3, 灼烧之后样品的衍射峰增强, 没有杂相产生. TEM照片表明, 棒状LaF3∶Eu3+纳米材料的直径为8 nm左右, 长度达到50 nm. 荧光光谱表明, 室温下合成的棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的最强发射峰位于589 nm, 对应于Eu3+的5D0-7F1跃迁发射, 说明Eu3+占据LaF3基质中La3+晶格点的C2对称格位上. 同时Eu3+的猝灭摩尔分数为5%, 荧光寿命随着灼烧温度的升高而延长.