交流电桥实验的计算机辅助分析

交流电桥实验的计算机辅助分析倪新蕾，潘元胜（南京大学物理系．２１０００８）交流电桥是测量交流元件的常用仪器，图１是测量电路，Ｚｘ为待测电抗元件的复阻抗，其平衡条件为：图１交流电桥众所周知，在交流电桥实验中，要使电桥完全调平衡是十分困难的，一般在平衡指...     

GaAs_(1-x)P_x:N束缚激子的压力行为

本文研究了77K温度下GaAs_(0.15)P_(0.85):N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN_1的发光。同时,观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了N_x→NN_1的热助能量转移过程。对N_x能级和NN_1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。     

SiO2/LaF3:Eu3＋核壳结构发光粒子的制备与表征

采用简单的液相法合成了SiO2/LaF3:Eu3＋核壳结构发光粒子, 并对其结构及发光性能进行了表征. XRD分析表明包覆层LaF3:Eu3＋为立方晶相结构, 红外光谱表明SiO2颗粒表面有柠檬酸的修饰, 电镜照片表明合成了球形的核-壳结构的复合粒子, 包覆层厚度为10～20 nm, 光谱测试表明核-壳复合粒子与纯的LaF3:Eu3＋具有相同的发光性能, 均以589 nm附近的5D0—7F1磁偶极跃迁为最强发射峰, 说明Eu3＋在LaF3基质中占据的格位相同.     

NiMoS/γ-Al2O3上二苯并噻吩加氢脱硫和喹啉加氢脱氮反应的相互影响

在固定床高压微反装置上,考察了预硫化型NiMoS/γ-Al2O3催化剂上二苯并噻吩(DBT)加氢脱硫(HDS)反应和喹啉加氢脱氮(HDN)反应之间的相互影响.结果表明,喹啉对DBT的HDS反应具有强烈的抑制作用,其中对加氢路径比氢解路径的抑制作用更强,这是由喹啉及其HDN反应的中间产物与DBT在活性位上的竞争吸附造成的.在300和340℃时,喹啉对DBT的HDS反应中氢解路径的抑制程度与其HDN中间产物的相对含量紧密相关.而DBT能够提高喹啉的脱氮能力,这源于其HDS产物H2S.H2S促进了催化剂表面硫阴离子空穴向B酸位的转化,从而提高了喹啉HDN中间产物分子的C(sp3)-N键的断裂能力.HDN活性相的保持不需要过多的硫原子.     

2-苯基-4-硒唑甲酸过渡金属配合物的合成、结构及生物活性研究

合成了2-苯基-4-硒唑甲酸配体(HL)和相应的6个过渡金属配合物[ML2(H2O)2](M=Co,Ni,Cu,Cd)1～4,[ZnL2](5),[CuL2(py)2](6).用元素分析、红外光谱、热重分析等表征手段确定了配合物的组成;用单晶X射线衍射测定了配合物3和6的结构;用溴化乙锭荧光探针初步研究了它们与DNA作用的强度和模式;考察了配体和配合物对大肠埃氏杆菌(E.coliJM109)、大肠杆菌(E.coli,DH5α)、表皮葡萄球菌(S.epidermidis)、金黄色葡萄球菌(S.aureus)、鲍曼不动杆菌(baumanii)、草绿色链球菌(S.viridans)6种细菌的抗菌活性及对正常细胞293T和肿瘤细胞RAW264.72的体外增殖抑制作用.     

非常偏振光在单轴晶体表面的全反射分析

利用透射波函数和由菲涅尔公式求解反射相位差并对其求导的方法,分析了非常偏振光在单轴晶体表面发生的全反射现象,求解出晶体光轴在入射面内时,非常偏振光从各向同性介质入射到晶体和从晶体出射到各向同性介质两种情况的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移的一般表达式。通过计算机模拟给出了单轴晶体为方解石和水晶情况时的穿透深度和Goos-Hnchen位移图像。结果表明,对于不同的晶体,光轴的取向对穿透深度和Goos-Hnchen位移的影响是明显不同的,若选取合适的晶体、光轴取向和入射角,可以得到较大的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移。     

自组织生长的量子点结构及其光学特性

本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外，也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性，电子结构和发光特性，电注入式量子点激光器的制备和性能