小体积比两相分离早期过程的三维格子气模型研究

采用Monte Carlo模拟方法研究了小体积比三维格子气模型中的相分离过程, 比较了sc, fcc, bcc 等3种晶格类型和T/T_c=0.45–0.85等 5个相对温度的系统演化行为, 计算了系统的结构因子函数, 发现结构因子在相分离早期不满足标度关系, 生长指数等于1/6, 小于经典Lifshitz-Slyozov理论的值. 关键词： 格子气模型 相分离过程 Monte Carlo模拟 生长律     

克拉霉素的示波极谱测定及其电化学行为

在 0 .0 5mol LNaOH(pH 1 2 .7)介质中 ,克拉霉素在滴汞电极上产生一灵敏的还原峰 ,峰电位Ep=- 1 .35V(vs.SCE)。其一阶导数峰电流ip′与克拉霉素浓度在 8.0× 1 0 -6～ 4.8× 1 0 -5mol L范围内有良好的线性关系 (r=0 .9991 ) ,检出限为 4 .0× 1 0 -6mol L。此法已用于片剂的测定。用线性扫描和循环伏安法研究了体系性质 ,结果表明 ,克拉霉素的电极过程为具有吸附的不可逆过程     

榍石的冲击高压行为与辐照损伤效应对比研究

高压和辐照这两种极端条件会造成晶体材料的晶体结构发生改变或损伤。以榍石(CaTiSiO_5)为研究对象,利用冲击高压和样品回收技术,探索冲击高压作用后结构的变化规律,并与辐照造成的损伤榍石作对比研究,认识冲击高压与辐照造成榍石结构损伤的异同。研究表明:冲击高压作用下,晶态的榍石出现结构损伤和非晶化,出现类似于榍石的辐照损伤现象,但具体过程和受损的晶体结构有明显不同。具体表现为:X射线衍射、红外和拉曼光谱的特征峰强度减弱,谱线变宽,细节丢失;冲击高压导致晶态榍石拉曼光谱的Ti–O伸缩振动主峰出现红移,与辐照损伤蜕晶化过程出现的蓝移相反。此外,晶胞参数a、b、c和晶胞体积V减小,与辐照损伤过程相反。     

等离子体喷涂Sn和ZrO2涂层／U-Nb合金摩擦副的摩擦性能

探讨用等离子体喷涂方法制备降低较高强度材料与U-Nb合金之间的摩擦性能的减磨层的可行性以及这些减磨层的摩擦特性。选用Sn为软涂层，ZrO2为硬涂层。采用Sulzer METCO9M等离子体喷涂机制备了Sn单层、ZrO2单层、Sn／ZrO2双层、Sn ZrO2混合层等4种涂层。利用CSEM型销盘型摩擦磨损试验机分析了半径为3mm的U-Nb合金对偶销在涂层上滑动时的干摩擦特性，滑动速度分别为0．42，6．4，26．16cm／s。涂层为典型的等离子体喷涂涂层形貌。表面为Sn的涂层颗粒熔合状况和致密性比ZrO2单层好，其粗糙度低，Sn ZrO2混合涂层表面形貌与ZrO2单层相近。Sn和ZrO2分别以bcc结构的Sn和四方结构ZrO2结构存在。     

Structure phase transformation and equation of state of cerium metal under pressures up to 51 GPa

This study presents high pressure phase transitions and equation of states of cerium under pressures up to 51 GPa at room temperature. The angle-dispersive x-ray diffraction experiments are carried out using a high energy synchrotron x-ray source. The bulk moduli of high pressure phases of cerium are calculated using the Birch–Murnaghan equation. We discuss and correct several previous controversial conclusions, which are caused by the measurement accuracy or personal explanation. The c/a axial ratio of ε-Ce has a maximum value at about 29 GPa, i.e., c/a ≈ 1.690.     

铀氢真空原位反应

利用俄歇电子能谱（AES）和二次离子质谱（S1MS）分析了金属铀试样在H2气氛中的初始表面反应。虽然，将铀在H2气氛中加热，可制备出UH3化合物，在523K时该反应是非常迅速的，并能使金属完全反应，由于H2是非常小的分子，它容易透过氧化膜扩散进入金属体内从而形成UH3。但是，UH3在高温是不稳定的，当温度升高后，UH3将分解成U＋3／2H2，而H2会从铀中扩散出来。     

Si表面离子束辅助沉积Ti纳米膜的研究

用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。     

低偶然符合效应的高脉冲分辨能力数字化X荧光能谱仪研制

在X荧光能谱测量中,当两个事例发生间隔较短时,存在脉冲前沿或后沿堆积的情况.如果能谱仪的脉冲分辨能力不足,在事例发生间隔小于能谱仪脉冲分辨能力时,发生了偶然符合效应.当堆积发生在信号的上升沿时,后端电子学无法识别堆积脉冲,并将堆积脉冲当成1个脉冲,从而在测量能谱中会产生虚假能峰;当堆积出现在下降沿时,堆积信号间隔小于通...