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121.
关于Neuber方程的理论研究叶笃毅,王德俊(东北大学机械工程学院沈阳110006)在工程结构中疲劳破坏总是从应力集中部位(如缺口根部)开始,因此,研究缺口处的局部应力和应变分布是缺口件疲劳分析的关键。在描述缺口根部局部非线性应力和应变分布的方法中,... 相似文献
122.
Effect of Electric Field on Spin Polarized Current in Ferromagnetic/Organic Semiconductor Systems
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Considering the special carriers in organic semiconductors, the spin polarized current under electric field in a ferromagnetic/organic semiconductor system is theoretically studied. Based on the spin-diffusion theory, the current spin polarization under the electric field is obtained. It is found that electric field can enhance the current spin polarization. 相似文献
123.
124.
本文叙述了用光导纤维测量爆轰产物飞散速度的探索过程和结果。试验装置是φ100×37°平面波发生器,加上φ100×40毫米的梯黑炸药。开始我们将光纤的受光端面接触炸药面(即零空腔)作为零时信号。但试验多次均无信号。后又将光纤受光端面稍稍离开药面,大约为零点零几个毫米(称微空腔),试验结果还是无信号。根据多次 相似文献
125.
127.
Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET
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In this paper, we investigate the single event transient(SET) occurring in partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) metal–oxide–semiconductor(MOS) devices irradiated by pulsed laser beams. Transient signal characteristics of a 0.18-μm single MOS device, such as SET pulse width, pulse maximum, and collected charge, are measured and analyzed at wafer level. We analyze in detail the influences of supply voltage and pulse energy on the SET characteristics of the device under test(DUT). The dependences of SET characteristics on drain-induced barrier lowering(DIBL) and the parasitic bipolar junction transistor(PBJT) are also discussed. These results provide a guide for radiation-hardened deep sub-micrometer PDSOI technology for space electronics applications. 相似文献
128.
讨论基于语言真值格值一阶逻辑的不确定性推理的语法内容,并研究了推理规则的用性和可靠性,证明了推理规则在a≤∧θ∈Lx×L2(θ→θ')(θ≠(ax,b2))水平下的闭性,得到了推理规则在此水平下可靠性的充分必要务件. 相似文献
129.
利用超声波制备了SnCl2-ZnCl2/C无汞乙炔氢氯化催化剂,同时加入稀土化合物以稳定催化剂的性能。通过黄金分割法与抛物线法确定了活性组分SnCl2与ZnCl2的最优质量比为2∶1。优选制备工艺,发现在反应温度140℃,乙炔空速300 h-1,V(HCl)/V(C2H2)=1.10时,由0.67 g SnCl2、0.33 g ZnCl2、0.05 g Tb4O7以及4 g焙烧过的活性炭组成的催化剂,其乙炔平均转化率最高,为67.70%。实验表明,载体的处理方式是影响催化剂性能的重要因素。 相似文献
130.