稀土－铌(钽)复合溴氧化物的结构与光谱特性

用高温固相法合成了系列化合物RE_0.06La_0.94M₂O₆Br(M=Nb,Ta;RE=Eu,Tb,Pr,Sm),并测定了其激发和发射光谱,室温下Eu³⁺、Tb³⁺、Pr³⁺、Sm³⁺在稀土-铌(钽)复合溴氧化物中呈现特征激发谱线,但Nb和Ta的光谱特性稍有不同。     

201×7树脂去除萝卜甙的研究

本文研究了用201×7树脂去除萝卜红色素提取液中萝卜甙的方法。试验结果表明：201×7树脂对萝卜甙的静态交换容量最大值可达到72．gmg／ml树脂，吸附平衡时间55分钟，最适pH值5．5。用5BV0．05molNaOH溶液可完全洗脱被交换在树脂上的萝卜甙，洗脱流速1．5BV／hr。去除萝卜甙的提取液真空浓缩，喷雾干燥得粉状萝卜红色素产品，E＝4．30。     

NMR频率综合器的微机控制

为实现ＰＴＳ系列频率综合器的微机控制，设计了一种简单的控制电路。在微机的控制下，通过该电路与微机的并行通讯口，用Ｃ语言编写的控制程序可以很方便的控制频率综合器的输出频率。控制程序采用菜单操作，电路所需的＋５Ｖ电源由微机提供，整个控制系统简单实用，值得推广。     

稀土含硫有机配体配合物的合成与应用研究进展

简要综述了稀土含硫有机配体配合物的常用合成方法, 概述了该类型配合物在橡胶硫化、摩擦学、稀土农用和医药等领域的潜在应用, 并指出了稀土含硫配合物今后的研究重点.     

基于电纺碳纳米纤维材料的阿托品固态电化学发光传感器

将电纺碳纳米纤维(CNF)掺杂于吸附有三联吡啶[RU(bpy)32+]的Nafion聚合物膜中,制成固态电化学发光(ECL)传感器,并将其用于对阿托品的检测.实验表明,CNF的加入能够增强Ru(bpy)32+/阿托品体系的电化学和ECL信号,且Ru(bpy)32+在膜中的电化学反应受扩散控制.在最佳实验条件下,ECL强...     

微波等离子体离子束刻蚀技术

自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波，由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场，通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统，结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术，在以碳氢（CH）等元素为主要组成的有机聚合物（PMMA）表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜（AFM）测试结果表明，所得图形线条清晰，侧边比较陡直。     

在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te（IV）显色反…

研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶（ＣＰＣ）存在下，ｐＨ４．８的ＨＯＡｃ－ＮａＯＡｃ缓冲介质中，Ｔｅ（ＩＶ）与过量的水杨基荧光酮（ＳＡＦ）形成１：４的稳定佤合物，其最大吸收波长为５３４ｎｍ，表现摩尔吸光系数为１．４７×１０＾５，Ｔｅ（Ⅳ）浓度在０～８μｍ／２５ｍｌ范围内遵守比耳定律，建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法，获得了满意的结果。     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.     

用于中温烟气脱硫的新型钙基脱硫剂

研究了高效钙基脱硫剂的制备原理,在石灰水合反应生成氢氧化钙和提高比表面积两个关键环节上,采用了一系列方法提高钙利用率,获得突破性进展。进一步研究了中温范围内脱硫温度对钙利用率的影响,得到700℃时超过95％的钙利用率,为发展中温干式烟气脱硫工艺开辟了新的道路。     

基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。