酰腙氧钒(Ⅴ)配合物的合成、结构及其抑制幽门螺旋杆菌脲酶研究

为了探索新型高效脲酶抑制剂,本文合成了2个新的酰腙氧钒(V)配合物,[VOL1(OCH3)(CH3OH)](1)和[VOL2(μ-OCH3)]2(2)(H2L1=N′-(5-氯-2-羟基苯亚甲基)-3-硝基苯甲酰肼;H2L2=N′-(5-氯-2-羟基苯亚甲基)-4-氯苯甲酰肼),并通过物理化学方法和单晶X-射线衍射表征了它们的结构。化合物1是一个单核配合物,而化合物2是由两个甲氧基配体桥连的具有中心对称性的双核配合物。在每个配合物中,V原子都采取八面体配位构型。本文还研究了这两个配合物的热稳定性和它们对幽门螺旋杆菌脲酶的抑制活性。在浓度为100μmol.L-1时,配合物1和2对脲酶的抑制率分别为71.4%和73.3%,其IC50值分别为63.6和37.7μmol.L-1。     

2001年及以后国际及双边会议计划

2001年 1.第二届海峡两岸分析化学交流研讨会 2001年10月在北京举行。人数：80人,其中台方20～25人。由中国化学会分析化学委员会主办。 2.海峡两岸高分子学术研讨会 2001年11月4～10日在福建省武夷山举行。人数：40人,其中台方15人。由中国化学会高分子委员会主办。 3.第七届中日双边有机固体学术讨论会 2001年11月19～22日在珠海举行。人数：120～140人,其中日方40～50人。由中国化学会有机固体委员会主办。 4.第八届国际电分析化学研讨会 Eighth International Seminar on Electroanalytical Chemistry(8th ISEC) 2001年10月13～16日在长春举行。人数：140人,其中境外40人。中国化学会分析化学委员会主办。 5.2001北京国际粘接剂技术研讨会 China Swiss Bonding 2001 (CSB′01) 2001年10月10～12日在北京举行。人数300人,其中外方200人。中国化学会应用化学委员会主办。 2002年 1.第二届国际逆流色谱技术学术会议 The 2nd International Conference on Countercurrent Chromatography (CCC2002) 2002年4月16～20日在北京举行,人数：200人,其中外方100人。中国化学会秘书处、北京市新技术研究所承办。 2.IUPAC 2002年世界高分子大会,World Polymer Congress 2002,(MACRO 2002) 2002年7月7～12日在北京召开。人数：700人,其中外方500人。中国化学会高分子委员会承办。 3.17届国际化学教育大会 17th IUPAC International Conference on Chemical Education 2002年8月25～31日在北京举行。人数：800人,其中外方300人。中国化学会秘书处承办。 4.国际分析仪器及实验室设备研讨会 International Workshop on Analytical Chemistry and Laboratory equipment (由德国慕尼黑展览公司主办的国际分析仪器及实验室设备展览会Analytica China 2002同时举行) 2002年9月3～5日在上海举行。人数：200人。其中外方20人。中国化学会秘书处承办。 2004年 第十八届国际纯粹和应用联合会化学热力学会议 The 18th IUPAC conference on Chemical Thermodynamics 2004年8月在北京举行。人数：600人,其中外方300人。由中国化学会秘书处承办。     

NaGdF4:Eu3+的结构和VUV荧光性质

利用水热方法合成了纯度较高的六方结构的ＮaGdF4,在氧气存在条件下950℃加热处理可以使其转变为CaF2型立方结构,在真空紫外光激发下,六方结构的NaGdF4:Eu^3 中的Gd^3 离子吸收一个光子,并将能量分两步传递给Eu^3 离子,发生双光子发射,立方结构的NaGdF4:Eu^3 中存在有一定量的氧离子取代缺陷,使Gd^3 离子4f-5d跃迁移到177nm附近,这与惰性气体放电产生的真空紫外波长一致。     

花状FePO_4的制备及催化苦瓜残渣转化为5-羟甲基糠醛的研究

以FeCl_3和KH_2PO_4为原料,采用水热法制备花状FePO_4,考察其对苦瓜残渣催化合成5-羟甲基糠醛(5-HMF)的催化性能。用XRD、FT-IR和SEM等对样品进行表征,考察了催化剂用量、反应温度、反应时间和苦瓜残渣用量等参数对5-HMF产率的影响。结果表明,水热法制备的花状FePO_4比沉淀法制备的无定型FePO_4对苦瓜残渣催化合成5-HMF表现出更好的催化活性,花状FePO_4在六次循环实验后对5-HMF产率下降7.2%。在催化剂用量0.09g,反应温度180℃、反应时间3 h和物料浓度1.0 g·L-1条件下5-HMF产率达到172 mgHMF/gResidue。     

一个基于N'-(3-溴-5-氯-2-羟基苯亚甲基)-3-羟基-4-甲氧基苯甲酰肼的甲基麦芽酚配位的氧钒(Ⅴ)配合物:合成、晶体结构及其胰岛素增强活性

制备了1个芳酰腙化合物:N'-(3-溴-5-氯-2-羟基苯亚甲基)-3-羟基-4-甲氧基苯甲酰肼(H₂L),并利用元素分析、红外、紫外、高分辨质谱、核磁共振氢谱和碳谱对其进行了表征。利用H₂L与甲基麦芽酚和VO(acac)₂在甲醇中反应得到了1个甲基麦芽酚配位的氧钒(Ⅴ)配合物[VO(mat)L]·MeOH。通过元素分析、红外和紫外光谱对其进行了表征,同时还研究了配合物的热稳定性。通过单晶X射线衍射进一步确认了H₂L和配合物的结构。通过对C2C12肌细胞的胰岛素模拟实验,表明该配合物能显著促进细胞对葡萄糖的利用,其细胞毒性仅为0.07 g·L^-1。     

Evaluation of Thermal Degradation Induced Material Damage Using Nonlinear Lamb Waves

We report on the evaluation of thermal degradation damage in metal material using the nonlinear effect of Lamb wave propagation. A mountain-shape＇＇ change in the second harmonic of Lamb wave propagation versus the level of thermal degradation in the specimens is observed. It is attributed to the precipitations in the early stage and the microvoids after long-term service in terms of metallographic studies. The results show that the nonlinear Lamb wave is very sensitive to the microstructure evolution and is a good potential for quantitative evaluation of the thermal damaged materials.     

Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory

Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si（100）/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays.     

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

A singie cell element of chalcogenide random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.The contact size between the Ge2Sb2Te5 Phase change film and the top electrode film is about 600nm (diameter) and the contact area is caiculated to be 0.28μm^2.The thickness of the phase change film is 83nm.The current-voltage characteristics of the cell element are studied using the home-made current-voltage tester in our laboratory.The minimum threshold current of about 0.6mA is obtained.     

A Simple Model for Measuring Refractive Index of a Liquid Based upon Fresnel Equations

Due to many experimental data required and a lot of calculations involved, it is very complex and cumbersome to model prism-based liquid-refractive-index-measuring methods. We develop a new method of mathematical modelling for measuring refractive index of a liquid based upon the Fresnel formula and prism internal reflection at an incident angle less than the critical angle. With this method, only two different concentrations measurements for a kind of solution can lead to the determination of computational model. Measurements are performed to examine the validity of the theoretical model. Experimental results indicate the feasibility of the theoretical model with an error of 1%. The method is also capable of measuring even smaller changes in the optical refractive index of the material on a metal surface by the surface plasma resonance sensing techniques.