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11.
采用一种再沉淀-封装法制备了掺杂香豆素6(C6)的杂化荧光纳米颗粒,并通过SEM和DLS对其进行了形貌和粒径大小表征。在450 nm光激发下,制备的C6掺杂纳米颗粒表现出绿色荧光。通过比较光致发光光谱随掺杂浓度的变化,得出C6掺杂纳米颗粒的浓度猝灭是因为分子间能量转移而非C6分子聚集所致。另外,由于所选聚合物基质材料PS和PMMA分子结构的区别,导致PS-基质和PMMA-基质的纳米颗粒的光谱形状不同。C 6分子在PS-基质的纳米颗粒中处于两种不同的微环境,所以发射峰较宽;PMMA是线性分子,PMMA-基质的纳米颗粒中只存在一种局域环境,所以发射峰较窄。高的掺杂浓度会超过纳米颗粒对C6分子的负载能力,从而导致C6分子在水溶液中聚集。 相似文献
12.
本文研究了用新生MnO2作吸剂,对水中直接耐晒蓝(B2RL)染料进行脱色的特性,探讨了影响吸附的因素,并给出适宜的吸附条件,在本试验条件下可使B2RL脱色主达95%。 相似文献
13.
14.
低功耗聚合物Mach-Zehnder热光开关 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统的半导体工艺制作了聚合物Mach-Zehnder型热光开关.利用扫描电镜观测波导形貌,通过红外摄像机观测波导的近场输出光斑,在通信波段1 550 nm波长下测试了器件的输出光谱.在电极上施加直流信号,测得热光开关的消光比为-15 dB,驱动功率为16 mW.引入直流偏置网络,获得了器件的开关特性曲线,经测量开关上升时间为1.2 ms,下降时间为0.8 ms. 相似文献
15.
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制, 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
关键词:
THz辐射
反应离子刻蚀
ZnTe 相似文献
16.
惠斯通电桥问题的一题多解 总被引:2,自引:0,他引:2
本文讨论了惠斯通电桥问题的一题多解,这种讨论有益于拓宽学生的思路,启迪思维,贯穿所学过的知识与方法,能培养学生分析问题和解题的能力。 相似文献
17.
火花熔蚀-电感耦合等离子体光谱法(SA-ICP)用于测量锆石中铪-锆比值和锰铁矿瘤中的铈、钴、铁、铅、镍和磷。用信背比和信嗓比的序贯单纯形优化法建立了用于高压火花和氩气ICP系统的六个操作参数。将磨细的样品与铜压成饼,从样品中熔蚀出的分析物和基体元素的原于发射信号的时间相关性给出一种用火花来作选择取样的方法。测量锆石中的铪、锆浓度比的精密度为4%(相对标准偏差)。对于锰铁矿瘤,根据分析线对锰(Ⅱ)257.610纳米线强度比的光谱测量结果达到分析精密度范围为7-14%(相对标准偏差)。分析的准确度用参比物USGS诺得(Nod)P-1的标准物加入法来决定,而与锰浓度的测量无关。 相似文献
18.
19.
本文搭建了高温条件下材料固体桥力的测量系统,该系统最高温度可达1600℃,可测量材料在不同温度、压力及接触时间下的固体桥力。本文中采用玻璃为固体材料,对其熔点附近温度范围内的固体桥力进行了测量。实验结果显示,材料抗拉强度及脖颈抗拉强度均随着温度的升高而减小;通过与常温石蜡材料所获得的固体桥力计算公式进行对比,二者在数量级上相符合,绝对值偏差不超过38%,且明显优于传统的固体桥力估算方法。 相似文献
20.
为适应扩招形势下一般院校大学物理课程群建设的要求,进行了大学物理分层次系列课程开放、互动的讨论式教学研究与实践。对于基本层次、必要层次、拓延和辅助层次的教学,按照。加强经典、分散近代、联系工程与历史”基本思路.在不同的系列课程中进行不同开放形式、不同互动程度的讨论式教学。实践表明,谈教学方式天太提高了学生学习的兴趣,进而为提离创新能力、学习能力和教学效果创造了必要条件。 相似文献