1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

掺杂香豆素6的杂化纳米颗粒的制备及荧光性能研究(英文)

采用一种再沉淀-封装法制备了掺杂香豆素6(C6)的杂化荧光纳米颗粒,并通过SEM和DLS对其进行了形貌和粒径大小表征。在450 nm光激发下,制备的C6掺杂纳米颗粒表现出绿色荧光。通过比较光致发光光谱随掺杂浓度的变化,得出C6掺杂纳米颗粒的浓度猝灭是因为分子间能量转移而非C6分子聚集所致。另外,由于所选聚合物基质材料PS和PMMA分子结构的区别,导致PS-基质和PMMA-基质的纳米颗粒的光谱形状不同。C 6分子在PS-基质的纳米颗粒中处于两种不同的微环境,所以发射峰较宽;PMMA是线性分子,PMMA-基质的纳米颗粒中只存在一种局域环境,所以发射峰较窄。高的掺杂浓度会超过纳米颗粒对C6分子的负载能力,从而导致C6分子在水溶液中聚集。     

Oxide magnetic semiconductors： Materials, properties, and devices

We give a brief introduction to the oxide （ZnO, TiO2, In2O3, SnO2, etc.）-based magnetic semiconductors from fundamental material aspects through fascinating magnetic, transport, and optical properties, particularly at room temperature, to promising device applications. The origin of the observed ferromagnetism is also discussed, with a special focus on first-principles investigations of the exchange interactions between transition metal dopants in oxide-based magnetic semiconductors.     

光纤连接器端面几何参量自动测量仪

报道了一种高精度测量光纤连接器端面几何参量的自动测量仪。叙述了光纤连接器的端面几何参量的测量原理。由光纤连接器端面形貌和纤芯中心坐标,可以高精度得到曲率半径、顶点偏移量、端面倾斜角和光纤高度等影响连接器性能的关键端面几何参量。该仪器体积小,自动化程度高,用户界面友好,使用方便,可测量物理接触、角度式物理接触等类型的光纤连接器端面几何参量。实际测量证明,该测量仪有很好的重复测量精度。该测量仪与美国Dorc公司ZX-1 mini PMS测量仪和Norland公司NC3000测量仪相比,测量精度水平相当。该仪器样机已通过华东国家计量测试中心的测试。     

酶催化动力学光度法测定抗坏血酸

基于抗坏血酸对血红蛋白模拟酶催化体系的抑制作用,建立酶催化动力学光度法测定抗坏血酸的新方法。研究了体系的最佳条件及动力学行为,测定的线性范围为2.0×10-7—5.9×10-5mol/L,方法检出限为7.0×10-8mol/L。对6.0×10-6mol/L的抗坏血酸进行11次平行测定相对标准偏差为2.5%。此方法可用于药剂和蔬菜中抗坏血酸含量的测定。     

一类含权的凹凸非线性Kirchhoff型方程解的多重性

本文在■中研究加权凹凸非线性Kirchhoff型方程,当非线性项中位势函数满足适当条件时,利用山路引理和Ekeland变分原理获得了两个非负非平凡解的存在性结果.     

铊玻璃自聚焦透镜的两步离子交换分辨率测量

本文是通过电脑眼及配套计算机测试系统所得的清晰的分辨率图像,来反映两步离子交换得到的铊玻璃自聚焦秀镜在成像质量上优于一步离子交换所得的铊玻璃自焦透镜。     

多量子位Heisenberg模型中纠缠的时间演化特性

研究了多量子位Heisenberg模型中纠缠的时间演化特性, 并给出了平均纠缠度〈C〉和多体纠缠度Q的解析表达式. 结果发现无论是对〈C〉还是对Q随着时间t的不断增长, 它们均先线性的增大, 而后达到一近似稳定状态, 并绕一平衡值做无规则的上下震荡. 若进一步考察N〈C〉则还可以发现, 纠缠上下震荡的平衡值与Heisenberg链的长度几乎无关, 而仅由它们的次近邻耦合常数J决定.     

纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。     

冷原子系综中光纤腔增强且高保真度的光学存储

利用原子系综中的Duan-Lukin-Cirac-Zoller (DLCZ)过程可产生光与原子记忆(自旋波)量子纠缠,该纠缠可作为量子中继的重要元件.随着量子信息研究的深入发展,人们对量子信息存储其灵活多样性、可控性等方面提出更高的要求.本文在冷原子系综中演示了一种基于DLCZ过程的光纤腔增强且高保真度的光学存储方案,即将87Rb原子系综放于设计的光纤腔中,通过光纤腔增强“写出”和“读出”光子与原子系综的耦合实现自旋波量子信息的有效恢复,同时具有较高的保真度.观察到有腔且锁定的情况下斯托克斯光子产生概率比无腔时增加4.6倍,原子自旋波读出效率增加1.6倍,实验实现22%的读出效率并具有92%的量子态保真度,该读出效率对应一个40%的本质读出效率.这种高度可恢复、高量子态保真度的原子-光子纠缠源,可为未来长距离量子通信及广域大规模量子网络构建的实现提供另一种有效的途径.