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121.
研究了在锌系磷化液中添加环保型促进剂-硫酸羟胺与常规促进剂-亚硝酸钠以便在高碳钢表面形成锌系磷化涂层.用X射线衍射分析了磷化涂层的相结构的变化,结果发现,形成的磷化膜主要由Zn3Fe(PO4)2·4H2O(H膜)和Zn2Fe(PO4)2·4H2O(P膜)组 成.运用扫描电镜分析了磷化涂层的显微组织与磷化时间之间的变化规律.四球摩擦实验结果表明,与亚硝酸钠相比,在锌系磷化液中添加硫酸羟胺能有效降低润滑后的磷化涂层的摩擦系数. 相似文献
122.
以β-萘甲醛和2,6-二甲基苯酚为原料,合成出一种新型双酚单体.以此双酚单体和二氟单体(4,4'-二氟二苯甲酮或4,4'-二氟二苯砜)为基础,通过亲核取代反应,制备出两种高分子量聚芳醚.用氯磺酸对聚合物进行磺化,得到了2种磺酸基在侧链萘环上的磺化聚芳醚.该磺化聚芳醚能溶于N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)等常见的有机溶剂,通过溶液浇注的方法制备出光滑、柔韧的膜.用红外光谱(FTIR),核磁共振谱(1H-NMR)表征了聚合物结构.用示差扫描量热仪(DSC),热重分析仪(TGA)研究了聚合物的耐热性能.结果表明,这些侧链磺化的质子交换膜具有高的电导率(4.2×10-2S/cm)、高的机械强度、低的溶胀率和较好的氧化稳定性. 相似文献
123.
124.
<正>Each step of a staircase con- tains exactly the same horizontal run and the same vertical rise. The ratio of the rise to the run, called the slope,is increased and the rise remains the same,the staircase becomes less steep.If 相似文献
125.
<正>Polynomial functions are among the sim- plest expressions in algebra.They are easy to evaluate:only addition and repeated multipli- cation are required.Because of this,they are often used to approximate other more compli- 相似文献
126.
<正>One property of a real number is that its square is nonnegative.For example,there is no rea number x for which x~2=-1.To remedy this situation we introduce a number called the imaginary unit,which we denote by i and whose square is -1.Thus, 相似文献
127.
采用HNO3氧化及在He气氛围经不同温度焙烧处理椰壳活性炭, 以此活性炭为载体, 通过浸渍法制得AuCl3-CuCl2/C双组分非汞催化剂, 并用于乙炔氢氯化反应评价. 结果表明, 分别以HNO3处理、 未处理和400 ℃焙烧处理活性炭为载体的催化剂乙炔转化率最高分别可达98%, 96%和90%; 而以700和1000 ℃焙烧的活性炭为载体的催化剂反应4 h后乙炔转化率急剧下降为30%. 考察了活性炭表面的含氧基团(尤其是羟基)对Au基催化剂的催化性能的影响. 相似文献
128.
In analytic geometry, senior students usually run into some“Symmetric-line problems”. Here, I will introduce you some ingenious(巧妙的) sol- ving processes about them. Question 1: line L_1 and L_2 are symmetri- cal about line:y=3, and the equation of L_1 is known as:x y-6=0, so the equation of L_2 相似文献
129.
<正>Epitaxial growth of semiconductor films in multiple-wafer mode is under vigorous development in order to improve yield output to meet the industry increasing demands.Here we report on results of the heteroepitaxial growth of multi-wafer 3C-SiC films on Si(100) substrates by employing a home-made horizontal hot wall low pressure chemical vapour deposition(HWLPCVD) system which was designed to be have a high-throughput,multi-wafer(3×2-inch) capacity. 3C-SiC film properties of the intra-wafer and the wafer-to-wafer including crystalline morphologies,structures and electronics are characterized systematically.The undoped and the moderate NH3 doped n-type 3C-SiC films with specular surface are grown in the HWLPCVD,thereafter uniformities of intra-wafer thickness and sheet resistance of the 3C-SiC films are obtained to be 6%~7%and 6.7%~8%,respectively,and within a run,the deviations of wafer-to-wafer thickness and sheet resistance are less than 1%and 0.8%,respectively. 相似文献
130.