盘片式光纤传感器灵敏度计算方法

系统地开展了对各类盘片式光纤传感器灵敏度的研究工作。以周边固支、中心镶嵌刚性质量块的盘片式光纤加速度传感器为例,分析了传感器弹性盘片上各点的应力应变状态;结合迈克耳孙干涉仪原理,建立了计算传感器加速度灵敏度的数学模型,并讨论了粘贴光纤盘的最佳尺寸。制作两个相应的传感器进行对比实验,验证了上述计算模型的正确性。采用上述模型系统地推导了不同边界条件情况下盘片式光纤传感器的粘贴区域和灵敏度计算公式。对盘片式光纤传感器如光纤加速度传感器、光纤压力传感器、光纤水听器等的设计制作具有理论指导作用。     

活化温度对CuBTC催化CO氧化反应性能的影响(英文)

考察了金属有机骨架材料CuBTC(BTC为均苯三酸)催化CO氧化的反应性能,发现CuBTC对CO氧化反应表现出良好的催化活性,且CuBTC样品的活化温度对其催化活性的影响很大.原位漫反射红外光谱、粉末X射线衍射、扫描电镜、热重分析和差示扫描量热结果表明,CO在CuBTC骨架中不饱和金属位点上的配位是加速CO氧化的主要原因,且这种不饱和金属位点越多,其催化活性越高.     

钐掺杂钨酸铅晶体的生长

为了用提拉法生长出质量优良的衫掺杂钨酸铅晶体,通过理论分析,实践论证,确定了生长晶体的工艺参数.温度梯度采用较成熟工艺,讨论晶体的生长速度和旋转速度.晶体生长速度为2 ～5mm/h;晶体旋转速度为35 ～50r/min;以45℃/h的速度降至室温,同时保持30r/min的旋转速度.得到了不同浓度衫掺杂的表观透明,无碎裂淡粉红色的钨酸铅晶体,且目前得到晶体的最大尺寸为φ25mm×40 mm.     

铈系列双掺LiNbO3晶体光折变效应的研究

在Ce:LiNbO3中掺进Mn2O3、Eu2O3和Fe2O3生长Ce:LiNbO3,Ce:Mn:LiNbO3,Ce:Eu:LiNbO3和Ce:Fe:LiNbO3晶体,并对晶体进行了氧化还原处理.以二波耦合光路测试晶体的指数增益系数.推导有效载流子浓度的计算式,并且测算了有效载流子浓度的数值.指数增益系数和有效载流子浓度是衡量晶体光折变性能的重要参数.铈系列双掺LiNbO3晶体具有优良的光折变性能.     

重庆地区侏罗系沙溪庙组地层岩体单轴抗压强度与层面节理倾角关系研究

节理的存在使得岩体的力学特性表现出显著的各向异性。重庆主城区80%的地表为侏罗系沙溪庙组地层,受地质构造影响,岩层倾角变化范围较大。考虑到不同岩层倾角对岩体单轴抗压强度的影响,本文以纵横穿越重庆主城区的轨道交通岩体为例,采用室内试验和数值模拟相结合的方法,研究岩体单轴抗压强度与层面节理倾角的关系。结果表明,单轴抗压强度随层面倾角呈近似“U”字形分布,提出了重庆地区侏罗系沙溪庙组地层的“不利抗压倾角”为60°。对研究该类岩体在单轴压缩状态下的破坏机制、力学性质具有重要参考意义。     

高分子材料专业英语教学方法探讨

高分子专业英语对于现代化的材料科学人才培养具有重要意义.针对目前大部分高校中都存在的学生对专业英语不重视,学习积极性不高的问题,结合高分子专业课程特点,从内容上完善其组成结构,使涵盖基础有机,无机,高分子以及先进高分子材料方面的知识,并通过调整考核体系,利用雨课堂等使学生更好的掌握该课程的重要内容,激发了学生的学习积极...     

一类具有垂直传染率的SIS模型的稳定性分析

研究了一类具有垂直传染率的SIS模型,首先计算出该模型的基本再生数和平衡点,其次分析了该模型在无病平衡点处的局部渐近稳定性和全局稳定性;然后构造Lyapunov函数证明了地方病平衡点的全局稳定性;最后得到当基本再生数小于1时,传染病会逐渐消失;基本再生数大于1时,传染病将会流行并最终形成一种地方病.     

Delta-P1近似漫反射光学模型的二阶参量灵敏度

基于Delta-P₁近似漫反射光学模型, 推导了双点源近似下空间分辨漫反射解对于Henyey-Greenstein散射相函数的二阶参量γ的灵敏度表达式, 研究了参量γ对漫反射分布的影响. 研究表明, 与漫射近似模型相比, Delta-P₁近似漫反射光学模型不仅含有散射相函数的二阶参量γ, 而且在弱吸收或强吸收的情况下, 参量γ对于光源附近(ρ<1.0 mm)的空间分辨漫反射都存在较大的影响(极值大于30%). 因此利用γ研究漫反射光分布对于获取组织光学信息具有重要的意义.     

硒代蛋氨酸与铜离子的相互作用(英文)

采用循环伏安法和库仑法研究了硒代蛋氨酸(SeMet)与铜离子的相互作用.当SeMet不存在时,铜离子在-132和71mV有一对氧化还原峰(峰Ⅴ,Ⅵ).当铜离子与SeMet共存时,配合物在14,128,271,-194mV有4个峰(峰Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ).扫描电位从600mV到-600mV时,Cu(Ⅱ)-(SeMet)2配合物在14mV时被还原为Cu(I)-SeMet配合物;Cu(Ⅰ)-SeMet配合物在-194mV被还原为Cu(0)和SeMet.由-600mV回扫时,还原产物被逐次氧化为Cu(Ⅰ)-SeMet配合物(128mV)和Cu(Ⅱ)-(SeMet)2配合物(271mV).同时发现Cu(Ⅰ)-SeMet配合物在电位-100mV至200mV间是稳定的,Cu(Ⅰ)的氧化还原过程被观察到.此外,采用毛细管电泳法测得二元Cu-SeMet配合物的稳定常数(K1和K2)分别为2.24×107和2.24×106.最后,推测Cu-SeMet配合物的结构为:在pH3.9时,铜离子通过Cu—Se和Cu—OCO键与SeMet发生配位作用;在生理条件时,铜离子通过Cu—N和Cu—OCO键与SeMet发生配位作用.