工作参数对激光诱导玻璃等离子体特性的影响

采用波长532 nm的Nd:YAG纳秒激光器激发诱导空气中的玻璃,由高分辨率的光谱仪和ICCD对等离子体发射光谱采集和实现光电转换.以Si I 288.20 nm、Ca II 393.37 nm两条谱线作为分析线,研究ICCD门延迟,ICCD门宽、聚焦透镜到样品表面的距离(LTSD)对等离子体信号强度和信噪比的影响,确定最优化的实验参数:ICCD门宽1400 ns,ICCD门延迟500 ns,LTSD为84.5 mm.在最优化的实验条件下以Ca元素的六条离子谱线(315.89 nm, 317.93 nm, 370.60 nm, 373.69 nm, 393.37 nm, 396.85 nm)为分析线,计算得到玻璃等离子体的电子温度和电子密度分别20060 K, 8.256×10~(16) cm~(-3).     

μ介子转化电子装置超导磁体低温系统(英文)

μ介子转化为电子的试验装置(MECO)将安装在美国布鲁克海文国家实验室的交变磁场梯度同步加速器中。一台4.5K千瓦制冷量的氦制冷设备将为MECO试验中的四个大型的超导螺线管磁体提供冷量,针对MECO中超导磁体的性能特点及要求,主要讨论了该低温系统中每个超导磁体的冷却方法以及相应氦制冷机的流程设计方案。     

a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx：H(a-SiCx：H)和非晶Si：H(a-Si：H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a-SiCx：H／nc-Si：H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明：随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象：当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的发光特性和发光机理。     

复宗量双曲余弦高斯光束的束腰及其位置

 由复宗量双曲余弦高斯光束通过近轴-ABCD-光学系统传输公式，推导出了基于二阶矩定义的光斑尺寸的解析表达式，给出了复宗量双曲余弦高斯光束在自由空间传输和通过薄透镜时的光斑尺寸、束腰宽度及其位置的解析表达式，并进行了数值计算，对计算结果进行了分析和讨论，该方法可用于其它光束通过近轴ABCD光学系统的类似计算。     

国产非晶磁芯应用于感应加速组元的可行性研究

介绍了国产非晶合金应用于感应加速组元的可行性研究的初步结果.采用国产1K101型铁基非晶合金(FeSiB)带材,研制了非晶磁芯,并利用加速腔(或实验腔)对研制的非晶磁芯的磁性能、绝缘性能和稳定性等方面进行了研究.高压单脉冲实验可获得脉冲幅度为240kV、脉冲前沿为17璐(10%-90%)、脉冲平顶为72ns(±1%)的单脉冲;高压猝发三脉冲实验可获得前沿35ns、脉冲平顶60ns的三脉冲,磁芯的有效平均磁密跳变为1.41T.耐压实验研究中,得到了电压幅值为282kV的三脉冲.非晶磁芯的性能稳定,满足感应加速组元对磁芯性能的要求.     

Reversible Carriers Tunnelling in Asymmetric Coupled InGaN/GaN Quantum Wells

Temperature-dependent photoluminescence （PL） and time resolved photoluminescence （TRPL） are performed to study the PL characteristics and carrier transfer mechanism in asymmetric coupled InGaN/GaN multiple quantum wells （AS-QWs）. Our results reveal that abnormal carrier tunnelling from the wide quantum well （WQW） to the narrow quantum well （NQW） is observed at temperature higher than about lOOK, while a normal carrier tunnelling from the NQW to the WQW is observed at temperature lower than 100 K. The reversible carrier tunnelling between the two Q Ws makes it possible to explore new types of temperature sensitive emission devices. It is shown that PL internal quantum efficiency （IQE） of the NQW is enhanced to about 46% due to the assistant of the abnormal carrier tunnelling.     

二维层状磷酸亚磷酸钒(Ⅳ)化合物[V2O2(OH)(HPO3)(HPO3)0.7(PO3OH)0.3].(C6N2H16)0.5的水热合成与结构表征

迄今, 在中温水热条件下已合成了大量具有空旷骨架结构的过渡金属磷酸盐微孔材料[1], 这类材料在非线性光学材料、磁性材料、超导材料及催化等诸多方面具有潜在的应用前景[2～5].     

离子色谱法测定样品的质量控制措施

离子色谱法作为近20年来发展最快的分析技术之一,具有选择性好、灵敏度高、快速简便,并可同时测定多组分等优点,已在环境监测、电力、半导体、食品、石油化工、医疗卫生和生化领域得到广泛的应用。在离子色谱测定样品时,实施有效的质量控制可减少分析中的实验误差,保证测量结果     

新型注铯镁金属光阴极的实验研究

报道了用于激光驱动高亮度注入器的新型光阴极的实验研究.用铯离子注入的方法得到了在镁基底上的掺铯合金光阴极,研究了注入、溅射及光电发射的机制和参数.用此阴极得到了比纯金属镁阴极高约一个量级的量子效率和绿光下的单光子发射效应,为用于强流短脉冲电子束的光阴极研究提供了新的途径. 关键词：     

维汉孕妇及新生儿脐血铅水平对新生儿神经行为发育的影响

探讨了宫内低水平铅暴露对新生儿神经行为发育的影响。 1 38例维汉母子 (维 5 9例 ,汉79例 )血铅测定由上海儿童铅中毒防治中心采用石墨炉原子吸收光谱法。用NBNA方法做新生儿2 0项神经行为测定。结果表明 ,( 1 ) 1 38例产妇血铅 ( 1 2～ 2 67) μg/L ,新生儿脐血铅 ( 1 0～ 2 5 2 )μg/L ,维、汉母子血铅均呈高度正相关 (r =0 80 4 7,0 7898,P <0 0 1 )。其中维吾尔族孕妇及新生儿脐血铅均高于汉族 (P <0 0 1 ,P <0 0 5 )。血铅≥ 1 0 0 μg/L的孕妇 5 3例 ( 38 4 1 % ) ,新生儿 4 8例 ( 34 78% )。 ( 2 )新生儿脐血铅水平和新生儿神经行为 (NBNA)总评分及行为能力评分呈负相关 (P <0 0 1 ) ,主要影响新生儿非生物性听定向反应及生物性视和听定向反应 (P <0 0 5 ,P <0 0 1 )。提示本组维汉孕妇及新生儿脐血铅水平可以影响新生儿神经行为功能 ,且新生儿铅中毒在本地区有一定比率 ,应引起高度重视