大孔型阴树脂交换性能测定的流动注射分析法

应用自行设计的流动注射分析流路及含有Hg(SCN)2和硝酸铁的显色溶液测定氯离子的光度法检测了大孔型强碱性阴离子交换树脂的交换性能.在FIA流路中装置了一支微型离子交换柱,其中装入需检测的树脂.用含一定浓度的氯离子溶液(稀盐酸溶液)作为检测试剂.并令其流过交换柱.用光度法连续检测从交换柱出口取得的流出液中的氯离子浓度.根据测得的氯离子浓度的数据,对影响树脂交换性能的因素,包括检测试剂和再生剂的浓度以及它们的流速等作出结论,并获得树脂交换性能的最佳条件如下:①微型交换柱的尺寸:长度57 mm,内径3.0 mm;②树脂层高度:40 mm;③树脂量:0.172 0 g;④再生剂浓度及流速:30 g·L-1,0.6 mL·min-1;⑤消耗再生剂体积:433 mL;⑥检测试剂浓度及流速:20 mg·L-1氯离子的盐酸溶液,1.3 mL·min-1.     

硅铝酸银分子筛吸附氖原子的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)方法,优化计算硅铝酸银分子筛吸附Ne原子体系的几何结构,能量,电子能带和电荷密度分布。结果表明,硅铝酸银为层状的周期结构,具有直径为a=5.390 Å的孔道。在分子晶体孔道的轴线上,桥O原子附近(I)和表面Ag+离子附近(II)的能量均有利于对Ne原子的吸附。尽管Ne(I)的能量最低,但是SiO4四面体排斥产生的能垒在动力学上不利于Ne原子的吸附。电子能带和电荷分布显示,Ne(II)原子主要受库仑极化的影响,其电子能带的能量较高,Ne(I)原子与桥O原子之间的共价作用能够降低对应的电子能带能量。     

高效液相色谱法测定发酵醪液中的衣康酸

采用AminexHPX－87H色谱柱和折光检测器,以4mmol／L硫酸为洗脱剂,分析土曲霉发酵醪液中的衣康酸获得满意的结果。     

对一类到达率可变的多重工作休假排队平稳状态的分析北大核心CSCD

讨论到达率依赖于当前系统中顾客数的M(n)/M/1多重工作休假排队.首先对排队模型用无限位相GI/M/1型Markov过程建模.其次通过用矩阵解析方法对所得过程求解,得到了排队系统平稳状态相关指标的结果.     

金属-有机骨架材料的合成及其在荧光传感器中的应用

金属-有机骨架材料(MOFs),是一类由金属节点或者是次级构筑单元与有机配体通过配位键自组装形成的材料,因其丰富的拓扑结构及在多领域的潜在应用而被广泛研究。最近关于块状和纳米颗粒形式的发光MOFs的研究表明,这些材料具有优异的发光性质,可用来检测识别溶剂分子、重金属离子、黄曲霉素、硝基苯类爆炸物以及碘离子等。并且开发高灵敏度、高选择性、快速响应和完全可逆的有毒物质和爆炸物检测传感器,在国土安全、环境安全及其他人道主义关切问题上有着极大的需求。本文主要讨论MOF材料作为荧光传感器的应用研究和发展前景。     

多分类器融合提取土壤养分特征波长

光谱已经应用于土壤养分速测的分析,但是如何寻找土壤光谱特征波段,尽最大可能避免无用信息干扰、保留有用信息,建立准确度高、预测效果好的模型仍是一个亟需解决的问题。以青岛三个不同地区土壤样品为例,测定土壤样品的紫外-可见-近红外光谱及其总碳（TC）、总氮（TN）、总磷（TP）含量;分别采用连续投影算法（SPA）、无信息变量消除法（UVE）、遗传算法（GA）、相关系数法（CC）四种算法（四种单分类器）对土壤光谱提取特征波长;再引入投票法和加权投票法的多分类器融合方法将四种算法融合得到特征波长;以偏最小二乘回归（PLSR）建立各土壤养分含量的模型,通过对模型效果的评价标准（建模集绝对系数R2_c、校正均方根误差RMSEC、检验集绝对系数R2_p、预测均方根误差RMSEP和相对分析误差RPD值）来判别各单分类器算法和多分类器融合算法对土壤养分含量特征波长的提取效果。分别对四种算法、筛选其中三种算法、最优二种算法进行融合,分析融合后模型效果和特征波长个数,结果表明：将四种单分类器经投票法融合后,其模型效果大部分不如单分类器,且相对好的模型特征波长个数较多;相较于投票法多分类器融合,四种单分类器经加权投票法融合模型效果有了一定的提高,TC和TN都能够在较少的波长中获得较好的预测效果,但仅TN经融合后,模型效果优于每个单分类器;TC,TN,TP分别在取SPA+UVE+GA,SPA+UVE+GA（或SPA+GA+CC）、SPA+UVE+GA三种单分类器进行加权投票法融合后,均能获得最优模型效果,且明显优于每个单分类器,模型效果有了显著提高;各土壤养分含量经两个最优单分类器加权投票法融合后,仍能得到好于最优单分类器的建模效果,TC和TP建模效果略差于三个单分类器融合结果,TN建模效果与三个单分类器融合结果相同。因此,在筛选三种算法融合,且其中包含最优两种算法的情况下,能够以较少的特征波长个数获得明显高于单分类器的建模效果。该方法为寻找土壤养分以及其他复杂物质成分的光谱特征波段提供了新方法,也为多种算法的综合运用提供了新思路。     

Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si

The effect of nitrogen flow and growth temperature on extension of GaN on Si substrate has been studied. By increasing the nitrogen flow whose outlet is located in the center of the MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition) gas/particle screening flange and by increasing the growth temperature of HT-AlN and AlGaN buffer layers near the primary flat of the wafer, the GaN layer has extended more adequately on Si substrate. In the meantime, the surface morphology has been greatly improved. Both the AlN and GaN crystal quality uniformity has been improved. X-ray diffraction results showed that the GaN (0002) XRD FWHMs (full width at half maximum) decreased from 579 arcsec～ 1655 arcsec to around 420 arcsec.