硅硫二元团簇(SiS2)-n(n=1-5)的结构和振动光谱的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法研究了硅硫团簇(SiS2)-n(n=1-5)的可能几何构型,并计算了相应的振动频率,得到稳定构型的振动光谱.比较其稳定构型可得到团簇的生长规律,由此可初步预测团簇的形成机理.     

SinP+m(n+m=5)结构和稳定性的理论研究

在实验的基础上 ,利用量子化学方法对 Sin P+ m( n+m=5 )的各种可能构型进行几何构型优化 ,预测各团簇的稳定结构 ,从中得出各个团簇稳定构型之间的基本关系 ,当 n>m时 ,团簇的稳定构型与 Si+ n 相似 ,而当 n相似文献   

LDS751激发态电荷转移和光致异构化的量子化学研究

利用密度泛函方法对激光染料分子LDS751的电子结构和激发态性质进行了一系列的量子化学计算, 在理论上对其激发态下可能的构型变化和动力学过程进行了预测. 从计算结果得出LDS751分子可能存在两个分别通过C—C桥键和端基C—N键旋转而实现的影响其光谱性质的光致异构化通道. 利用分子内官能团在激发过程中的电荷布居变化定量地分析了分子内电荷转移过程. 所得结论可以预测不同时间尺度下的光谱特征谱线和解释相关的光谱实验.     

银硫二元团簇[Ag.(Ag~2S)~n]^+(n=3,4)的从头算研究

用abinitio分子轨道限制性Hartree-Fock(RHF)和密度泛函(DFT)方法对银硫二元团簇[Ag.(AgS)~n]^+(n=3,4)的结构进行研究.结果表明,具有环状结构的团簇最为稳定.得到了相应的几何构型和电子结构,并且对这两种团簇可为硫敏化中心自由电子深陷阱的存在形式作出合理解释。     

C~nSi(n=28,29)各种可能结构的理论研究

利用量子化学从头计算方法研究了C~nSi(n=28,29)各种可能的结构,研究结果表明:C~2~9Si为硅取代碳笼(Fullerens)中一个碳原子而形成的骨0架硅杂碳笼(Fullerenes),而且C~2~9Si最稳定结构是通过硅取代碳笼(C~3~0)最稳定结构中一个碳原子而得到.C~2~9Si比C~3~0有较低的稳定性和较高的化学活性.C~2~8Si有两种类型结构:(I)外接,(Ⅱ)缺位(hole-defect)型,即硅四连接型.计算结果表明,对C~2~8Si,外接硅型化合物更稳定,即(I)为主要成份.而且C~2~8Si最稳定结构是由C~2~8最稳定结构外接硅而形成.计算结果与实验观测一致。     

C_nSi(n=35,36)的理论研究

利用量子化学从头计算方法研究了ＣｎＳｉ（ｎ ＝３５,３６） 的各种可能的几何构型－ 结果表明：Ｃ３５Ｓｉ 为硅取代碳笼（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅｓ）Ｃ３６ 中一个碳原子而形成的骨架硅杂碳笼,Ｃ３５Ｓｉ 比Ｃ３６ 有较低的稳定性和较高的化学活性．Ｃ３６Ｓｉ 有２ 种结构：（Ⅰ） 为外接型,（ Ⅱ） 缺位（ｈｏｌｅｄｅｆｅｃｔ） 即Ｓｉ 四连接型－ 计算结果表明,对Ｃ３６Ｓｉ,外接硅型化合物更稳定,即模型（ Ⅰ） 为主要成分,而且Ｃ３６Ｓｉ 最稳定构型是由Ｃ３６最稳定构型外接硅形成－ 计算结果与实验结果一致．     

靛蓝锌离子络合物的结构及其光学性质的理论研究

利用密度泛函方法, 基于靛蓝的电子结构, 对其锌离子络合物的可能结构及其光学性质进行了系列理论预测和分析. 计算结果表明, 异构体的不同轨道电子跃迁机理使得靛蓝异构体具有不同的吸收光谱. 理论上计算得到的4种靛蓝锌离子稳定络合物中, 有3种是以顺式靛蓝为配体, 可以预测络合反应中同时应该伴有靛蓝的异构过程, 由络合物的光化学特征可以预测, 靛蓝作为有机染料指示剂在金属离子标定的反应过程中可能生成不同的靛蓝金属络合物分子.     

硅硫二元团簇[(SiS2)nSiS]+(n=1～3)的结构和稳定性的量子化学研究

用密度泛函(DFT)方法(B3LYP/6-31G*)研究了硅硫团簇[(SiS2)nSiS]+(n=1～3)的可能几何构型,得到各稳定构型的电子结构,并计算了相应的振动频率,预测了稳定构型的振动光谱.由其稳定构型的比较可在理论上预测团簇的生长规律,并可初步预测团簇的形成机理.     

硅-硫团簇(SiS2)+n(n=1-3)的结构和振动光谱的量子化学研究

用密度泛函（ＤＦＴ）方法研究了硅硫团簇（ＳiＳ２）n＋（n＝１－３）的各种可能的几 何构型和电子结构,并计算了相应的振动光谱,得到（ＳiＳ２）n＋的生长规律,由此预测了（ＳiＳ２）n＋团簇的形成机理。     

银硫二元团簇[Ag·(Ag2S)n] +(n=1,2)的从头算研究

用ａｂｉｎｉｔｉｏ分子轨道限制和密度泛函方法对团簇「Ａｇ．（Ａｇ２Ｓ）ｎ」＾＋（ｎ＝１,２）的各种可能的几何构型分别进行了全优化,得到其稳定的几何构型和电子结构,并对这两种团簇可为硫敏化中主自由电子深陷阱的存在形式作出合理解释。