溶胶-凝胶法制备的高压电常数（Bi0.5Na0.5）1－xBaxTiO3系无铅压电陶瓷

测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3(x=0.00，0.04，0.06，0.08,0.12)系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能.由于使用了溶胶-凝胶工艺制备的粉料，因此所有样品的压电性能都得到了较大提高.其中(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO.3系陶瓷具有该系列最大的压电常数，d33=173×10-12C/N，与传统工艺相比，d33提高了近40%.同时，在一定范围内，随Ba含量的增加，材料的剩余极化Pr和矫顽场Ec逐渐减小，退极化温度逐渐降低.对于(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO.3系陶瓷，剩余极化和矫顽场分别为25μC/cm2和28kV/cm，退极化温度约为80℃. 关键词： 溶胶-凝胶 压电常数 剩余极化 矫顽场     

压电振子参数的电纳测量方法

通过对压电振子导纳轨迹的理论分析,本文提出了压电振子参数的电纳测量方法,并用该方法具体测定了钽酸锂(LiTaO_3)晶体的有关弹性常数和压电常数。     

四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体全部电弹常数的测定

本文提出了测量4mm点群压电晶体全部电弹常数的新方案,并以此方案具体测定了四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体的所有电弹常数。该方案的突出特点是,被测样品仅用三种切型的晶片。     

A SUSCEPTANCE METHOD TO MEASURE PARAMETERS OF PIEZOELECTRIC VIBRATORS

By way of theoretical analyses of the admittance locus of piezoelectric vibrators,a susceptancemethod for measurement of piezelectric vibrators is suggested.By use of the method,we measuredthe relevant elastic,piezoelectric constants and electromechanical coupling coefficients of LiTaO_3crystal.     

Nonlinear Electrical Characteristics of Antimony and Copper Doped Tin Oxide Based Varistor Ceramics

The novel CuO-doped dense tin oxide varistor ceramics are investigated. The densification of tin oxide varistor ceramics could be greatly improved by doping copper oxide additives. The introduction of antimony additives into a SnO2. CuO ceramic system would make it possess excellent nonlinearity. The sample doped with 0.05 mol% Sb2 03 possesses the highest nonlinearity coefficient （α = 17.9） and the lowest leakage current density （ JL = 52μA cm^-2） among all the samples. A modified defect barrier model is introduced to explain the formation of the grainboundary barrier. The nonlinear behaviour of （Cu, Sb）-doped SnO2 varistor system could be explained by the barrier model.     

Ca3NbGa3Si2O14晶体的介电和压电特性

利用Y切和(yxl)30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2O14晶体的介电、压 电和部分弹性参数.计算了(yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化.与La3Ga5SiO14晶体相比，Ca3NbGa3Si2O14晶体具有更优良的压电性能，其压电常数 d11=7.93×10-12C/N，d14=-5.88×10-12C/N. 关键词： Ca3NbGa3Si2O14晶体 介电常数 压电常数     

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.     

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析

分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相. 关键词： 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 X射线衍射 相变