Research on refractive index of optical cement used in Glan-Thompson prisms

The influence of the refractive index n2 of optical cement on the structure angle, field angle, and transmission of Glan-Thompson prism has been studied in detail. The results show that the structure angle will increase with the decrease of n2 under the condition of the largest field angle. Thus, the ratio of length to width (L/A) of the prism will decrease, which means more materials can be saved. When the value of L/A is 3.0 or 2.5 in the routine design, the field angle will firstly increase and then decrease with the increment of n2. Two routine designs with the n2 values of 1.47 and 1.45 have the optimal field angle. In addition, n2 also has great influence on light intensity transmittance of the prism. Considering all these factors, it will be the best choice with L/A = 2.5 and n2 = 1.45-1.46.     

催化动力学光度法测定痕量银

研究了在稀盐酸介质中,银催化氯化物还原铈（Ⅳ）而使其褪色的反应,建立了测定痕量银（Ⅰ）的新方法。测定银（Ⅰ）的线性范围为０～４０μｇ／Ｌ,检出限为５．７×１０－ ７ｇ／Ｌ。方法用于环境水样中痕量银的测定,结果满意。     

脱乙酰壳多糖抑制真菌生长的构效关系

本研究目标是研究脱乙酰壳多糖的化学结构(乙酰化程度DA和聚合程度DP)与它的抑制真菌生长能力之间的构效关系. 选用了12个分属于3个系列、化学结构相关而又不同的、结构清晰的脱乙酰壳多糖和3种不同的真菌(Fusarium solani, Fusarium graminearum和Ustilago maydis). 通过分别测定每个脱乙酰壳多糖对3种真菌的生长曲线和最低抑制浓度(MIC, minimum inhibitory concentration); 比较各个系列脱乙酰壳多糖的MIC和它的化学结构(DA和DP)之间的关系. 结果显示对同一种真菌, 不同脱乙酰壳多糖的抑制真菌生长曲线形态和MIC是各不相同的; 同样同一脱乙酰壳多糖, 对不同真菌也有其特殊的生长曲线和MIC; 通常随着脱乙酰壳多糖中DA的递增, MIC是增加的, 其抑制真菌的活性是降低的; 在DA相同的条件下, 随着DP的递增, MIC也是增加的, 其抑制真菌的活性是减低的. 所以可以说, 脱乙酰壳多糖抑制真菌生长的能力与其化学结构紧密相关, 在本实验的条件下, 脱乙酰壳多糖分子越小, 分子中的自由氨基越多, 抑制真菌的活性越大.     

Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性

首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响.光致发光(PL)谱的研究表明, 较低掺杂浓度时, 发光峰蓝移, 同时伴随着发光谱线变窄.而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响, 发光强度明显变弱.相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义.     

下穿铁路隧道爆破振动衰减规律研究

基于Heelan短柱药包理论,引入等效作用半径的概念,得到内部瞬时激励荷载作用下爆破峰值振动速度的衰减模型方程,并通过量纲分析进行验证。结合下穿隧道爆破工程,研究不同雷管段位及不同炮孔类型对应的爆破峰值振动速度的衰减规律。此外,讨论球形装药、柱状装药条件下改进公式的药量形式表达式,结果显示,利用等效作用半径作为拟合参考变量可以综合考虑不同雷管段位及不同炮孔类型对爆破振动规律的影响。统计数据表明,利用改进公式得到的拟合效果最优,可以为类似隧道爆破振动研究提供参考。     

Epitaxial Growth and Magnetic Properties of NiMnAs Films on GaAs Substrates

Single-phase Ni_(0.92)Mn_(1.08) As films with strained C_(1b) symmetry are grown on GaAs(001) substrates. In addition,a preferred epitaxial configuration of(110)-orientated Ni_(0.92)Mn_(1.08) As on(001)-orientated GaAs is revealed by synchrotron radiation measurement. The magnetic properties of the films are found to be significantly influenced by the growth temperature and the optimized growth temperature is determined to be ~370℃. According to the results of x-ray absorption spectroscopy, these phenomena can be attributed to the variation of the local electronic structure of the Mn atoms. Our work provides useful information for the further investigations of NiMnAs, which is a theoretically predicted half-metal.     

基于激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱技术的生物元素成像分析

生物体内的微量元素具有十分重要的生物功能,也与许多疾病密切相关。现代生物医学的研究亟需能在组织、细胞等不同水平上原位分析生物样品中微量元素的分析方法。本研究建立了激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱( LA-ICP-MS)原位分析生物样品的方法。采用线扫描模式和较小的激光输出能量(﹤1 J/cm2),得到了鼠脑切片和金纳米颗粒暴露后单细胞的金属元素成像图。 LA-ICP-MS具有空间分辨率高、检出限好、运行成本较低等优势,有望在生物医学研究中得到更广泛的应用,发挥更重要的作用。     

快速测量挥发性有机物的膜进样-飞行时间质谱仪的设计和应用

研制了一种膜进样-微型飞行时间质谱仪, 该仪器使用双层50 μm硅橡胶膜作为大气压下直接进样的接口. 实验结果表明, 随着样品流速的提高, 膜富集效率信号强度呈线性提高. 双膜中间具有真空差分系统, 富集得到的样品被迅速抽走, 进样系统中样品无记忆效应. 样品在膜中的响应时间为100 s, 而打开差分系统后仅需10 s信号即下降为平稳状态. 与毛细管直接进样相比, 双层膜的富集作用显著, 在相同的实验条件下使用膜进样技术测定10×10-6 (体积分数)苯、甲苯和对二甲苯的信号强度分别提高了280, 370和600倍. 膜进样系统与真空紫外光软电离方式联用, 对于苯的检出限已经达到了25×10-9 (体积分数), 线性范围为3个数量级. 由于采用了软电离方法, 无碎片离子产生, 所以能够根据分子量进行快速定性分析. 将该仪器应用于香烟主烟气中可挥发性有机物的在线分析, 得到50多种可挥发性的有机物. 实验结果表明, 膜进样-飞行时间质谱将在在线分析(特别是环境监测)方面具有广泛的应用空间.     

利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计

利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超晶格生长模式的两种样品进行了表征,研究发现采用32周期InAs/GaAs数字合金超晶格样品的量子点密度非常高,发光性能良好.通过与常规生长方式所制备激光器的性能对比,发现采用InAs/GaAs数字合金超晶格生长InAs量子点的有源区也可以得到高质量的激光器.利用该方式生长的InAs量子点激光器的阈值电流为24 mA,相应的阈值电流密度仅为75 A/cm2,最高工作温度达到120℃.InAs/GaAs数字合金超晶格既可以保证生长过程中源炉的温度保持不变,还可以对InGaAs层的组分实现灵活调控.不需要改变生长速度,通过改变InAs/GaAs数字合金超晶格的周期数以及InAs层和GaAs层的厚度,便可以获得任意组分的InGaAs,从而得到不同发光波长的激光器.这种生长方式对量子点有源区的结构设计和外延生长提供了新思路.     

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响. 结果表明：激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应. 关键词： 激子 InGaAsP/InP量子阱 结合能 电场