Structure and Magnetic Properties of （In,Mn）As Based Core-Shell Nanowires Grown on Si（111） by Molecular-Beam Epitaxy

We report the structure and magnetic properties of （In,Mn）As based core-shell nanowires grown on Si （111） by molecular-beam epitaxy. Compared to the core InAs nanowire with a flat side facet and consistent diameter, the core-shell nanowire shows a rough sidewall and an inverse tapered geometry. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and energy-dispersive x-ray spectroscopy show that （In,Mn）As is formed on the side facets of In As nanowires with a mixture ofwurtzite and zinc-blende structures. Two ferromagnetic transition temperatures of （In,Mn）As from magnetic measurement data are observed： one is less than 25 K, which could be attributed to the magnetic phase with diluted Mn atoms in the InAs matrix, and the other is at ～300 K, which may originate from the undetectable secondary phases such as MnAs nanoclusters. The synthesis of （In,Mn）As based core-shell nanowires provides valuable information to exploit a new type of spintronic nano-materials.     

ZnSe-ZnS多层量子阱光学双稳态器件

本文报道了以YAG三倍频激光为光源时,在用MBE生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料制成的F—P标准具光双稳器件上观察到的脉冲压缩效应。根据入射脉冲波形和透射脉冲波形得到了该器件的双稳回线。     

基于双核Cu（II）-M（II）[M=Pb和Cu]单元的氰基桥联配合物的合成、晶体结构和磁性研究

四个氰基桥联的杂金属配合物{[CuPb（L^1）][FeⅢ（bpb）（CN）2]）2·（C104）2·2H20·2CH3CN（1）,{[CuPb（L^1）]2·[FeⅡ（CN）6]（H20）2J·10H20（2）,{[Cu2（L^2）][FeⅢ（bpb）（CN）2]2}·2H20·2CH30H（3）和{[Cu2（L^2）]3[FeⅢ（CN）612（H20）2}·10H20（4）是通过K[FeⅢ（bpb）（CN）2][bpb=1,2-双（吡啶-2-羧酰氨基）苯二价阴离子]和K3[FeⅢ（cN）】6与双核大环席夫碱化合物[CuPb（L^1）]·（C104）2或[Cu2（L^2）]·（C1O4）2．H2L^1配体是由2,6-二甲基对甲基苯酚、乙二胺和乙二烯三乙胺以1：1：1摩尔比缩合得到,而H2L。配体是由2,6-二甲基对甲基苯酚和丙二胺以1：1摩尔比缩合得到．单晶X射线衍射分析揭示了化合物1是一个由[FeⅢ（bpb）（CN）2r阴离子[CuPb（L^1）]^2＋阳离子交替排列形成的环状杂三金属分子结构．化合物2是一个[Fe（CN）6]^4-离子和两个[CU2L^2]^2＋阳离子构成的哑铃型五核分子结构,该单元通过分子间氢键形成了二维超分子结构．双杂金属配合物3是一个由中心对称的[Cu2（L^2）]^2＋部分与两个含有氰基的fFeⅢ（bpb）（CN）2r离子构筑四核分子．八核化合物4是由两个[Fe（CN）。]3一离子连接了三个[Cu2（L^2）]^2＋离子构筑而成．磁性调查揭示了化合物1、3和4都表现出整体的反铁磁行为．     

Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser

We report on the lasing characteristics of a two-color InAs/InP quantum dots(QDs)laser at a low tem-perature.Two lasing peaks with a tunable gap are simultaneously observed.At a low temperature of 80 K,a tunable range greater than a 20-nm wavelength is demonstrated by varying the injection current from 30 to 500 mA.Under a special condition,we even observe three lasing peaks,which are in contrast to those observed at room temperature.The temperature coefficient of the lasing wavelength was obtained for the two colors in the 80?280 K temperature range,which is lower than that of the reference quantum well(QW)laser working in the same wavelength region.     

Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers

The advantages of InGaN based light-emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers are studied.It is found that the structure with InGaN/GaN multilayer barriers shows improved light output power,lower current leakage,and less efficiency droop over its conventional InGaN/GaN counterparts.Based on the numerical simulation and analysis,these improvements on the electrical and the optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the quantum wells(QWs) when the InGaN/GaN multilayer barriers are used.     

几种无机阳离子的毛细管电泳-电容耦合非接触电导分离检测

研制出电容耦合非接触电导检测器,检测器使用两个5 mm长的管状电极套在分离毛细管的外面,电极相距2 mm并与函数信号发生器连接。对影响检测器检测限和线性范围的激发频率、峰峰电压(V p-p )等因素进行了考察,结果发现频率为25～35 kHz、V p-p 在30 V时检测器有最佳的信号噪声比;以2-N-吗啡啉乙磺酸(MES)-组氨酸(His)为缓冲体系,用自制的检测器对Li+,Na+,K+,Mg 2+ ,Ca 2+ 和Ba 2+ 等几种常见的无机离子进行了毛细管电泳分离检测,优化了缓冲溶液     

高能反应末态强子产率的普适质量关系

最近实验上发现高能粒子反应末态强子多重数与其质量之间满足简单普适经验公式.计算了e⁺e^－湮没与pp(p)反应过程的直生介子与重子多重数,与经验公式中的参数完全一致.对经验公式中与反应能量有关的参数给出合理解释,并讨论了质量普适关系的原因.     

高质量稀磁半导体(Ga,Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性, 近年来受到了特别关注. 但是, 由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄, 纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难, 迄今关于这类材料的研究报道为数不多. 本文采用低温分子束外延的方法, 通过优化生长条件, 成功制备出厚度为10 nm, Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品. 生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析, 同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑, 粗糙度小. 通过生长后退火处理, (Ga,Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30 K. 此外, 本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系, 在低温下观测到明显的反常霍尔效应.     

Υ三胶子碎裂粒子产率的普适质量关系

发现Υ→3g三胶子碎裂的末态强子多重数满足与e⁺e^－→q₀q₀事例相同的普适质量关系,表明胶子、夸克碎裂成强子时有相同的规律性.不需引入任何其它假定,就自然解释了Υ→3g三胶子碎裂末态重子多重数增高的重要特征.     

非晶Ti3Al合金的变形晶化机理的原子模拟

利用分子动力学方法研究了非晶Ti₃Al合金拉伸过程中的晶化行为，模拟结果表明局部塑性变形导致非晶合金晶化.从微观结构演化的角度分析了拉伸过程中的晶化机理，局部剪切导致拉伸过程中晶粒发生成核与合并，最终生成的晶粒具有面心立方结构.晶核的生长过程伴随着应力强化现象，非晶相中的纳米晶粒能提高非晶合金材料的强度. 关键词： 非晶合金 变形晶化 分子动力学