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用水热法制备TiO2纳米材料,并对TiO2表面进行修饰.通过场发射扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对材料表面结构和成分进行分析.结果表明TiO2薄膜表面包覆了一层粒径较大的SrCO3颗粒,整个电极表面呈现均匀的多孔结构.使用电化学工作站对电池进行光电性能分析和EIS测试,由Ⅰ-Ⅴ曲线的结果可得,修饰后的电极性能更优越,短路电流提高了39.9;,光电转化效率提高了38.3;.由电化学阻抗谱(EIS)测试结果可以看出,修饰后TiO2/dye/电解质的界面阻抗大于修饰前,说明包覆层在一定程度上起到了阻碍电荷复合的作用,从而减小了暗电流. 相似文献
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光谱校正对溶解有机物三维荧光光谱特征影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在三维荧光光谱(EEM)测定中,由仪器直接记录的光谱(称为未校正光谱)由于受荧光光度计光源灯或探测器等波长特性的影响,并不是荧光物质本身的真实光谱,研究了光谱校正对腐殖酸和色氨酸EEM光谱特征以及传统寻峰法和新兴FRI分析法结果的影响,结果表明:校正后,Ex/Em=220~450/250~500 nm范围内荧光强度降低,Em<250 nm范围内荧光强度增大,腐殖酸荧光峰明显“蓝移”。基于寻峰法的荧光指数(FI)和腐殖化指数(HIX)明显减小,自生源指数(BIX)略增;基于FRI分析法的反映各区域标准体积百分比PⅠ, n,PⅡ, n和PⅢ, n明显上升,而PⅣ, n和PⅤ, n显著下降。因此,进行光谱校正是获得真实光谱谱图及光谱特征不可或缺的一部分。 相似文献
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系统讨论了二值命题逻辑系统中极大命题集与完备命题集,给出了两种命题集的等价描述和表示定理,揭示了极大命题集和完备命题集的深刻内涵和联系. 相似文献
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本文在杂化密度泛函理论水平上研究了溶剂对2-(N-甲基)氨基-5-硝基吡啶分子非线性光学性质的影响.在溶剂中,构造了包括氢键作用的超分子体系,在优化结构的基础上分别研究了由极化连续模型模拟的溶剂与该分子的长程相互作用、溶剂与该分子的氢键相互作用以及溶剂与包括氢键作用的超分子体系整体的相互作用对分子的几何结构、非线性光学性质、紫外吸收光谱和电荷分布等特性的影响.结果表明,溶剂中分子电偶极矩、线性极化率和第一超极化率都增大,而溶剂与溶质分子通过氢键形成的超分子结构与单体有着明显区别.因此,氢键对分子结构和性质的影响较大,从而将明显的影响该类分子的非线性光学性质. 相似文献
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离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He+ 辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga0.94Mn0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga0.94Mn0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He+的辐照来得到改善,其结果是Ga0.94Mn0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He+辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga0.94Mn0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He+辐照Ga0.94Mn0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He+辐照改变了Ga0.94Mn0.06As薄膜的结构. 相似文献
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用溶胶凝胶法低温(900℃,通常高温烧结温度为1400℃)制备了Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-α),并与(Li/K)_2CO_3共熔体进行复合。XRD结果表明(Li/K)_2CO_3与Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-α)复合后没有发生化学反应,SEM结果表明复合电解质致密无孔洞。考察了复合电解质在400~600℃下干燥氮气气氛中的电导率,结果表明,温度为600℃时,复合电解质的电导率达到最大值6.4×10~(-2)S·cm~(-1),高于单一CeO_2材料在相同条件下的电导率。氧分压与电导率关系曲线表明复合电解质具有良好的氧离子导电性。H_2/O_2燃料电池性能测试表明,复合电解质GDC-SG-LK在600℃开路条件下的电解质阻抗、极化阻抗分别为2.7和0.8Ω,最大输出功率密度为267mW·cm~(-2)。 相似文献
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利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGe x 沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGe x 沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGe x 沟道的长度,并结
关键词:
1-xGe x 沟道')" href="#">应变Si1-xGe x 沟道
p-MOSFET
空穴迁移率
栅电容 相似文献