High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes

Lateral Schottky barrier diodes （SBDs） on A1GaN/GaN heterojunctions are fabricated and studied. The characteristics of the fabricated SBDs with different Schottky contact diameters and different Schottky-Ohmic contact spacings are investigated. The breakdown voltage can be increased by either increasing the Schottky-Ohmie con- tact spacing or increasing the Schottky contact diameter. However, the specific on-resistance is increased at the same time. A high breakdown voltage of 1400 V and low reverse leakage current below 20nA are achieved by the device with a Schottky contact diameter of 100 μm and a contact spacing of 40 μm, yielding a high V^2BR/ RoN,sp value of 194 MW.cm^-2.     

新型人工微结构电磁材料中损耗的利与弊

本文主要介绍了新型人工微结构材料中损耗对材料性能的影响.随着生产工艺和制备技术的提升, 使 新型人工微结构电磁材料获得了特殊的研究地位和研究价值. 通常人工微结构材料的制备原材料都是取自于金属 材料, 而对于金属材料, 损耗是不可避免的.那么损耗对微结构材料性能的影响成为人们关注的热点.通过研究材 料电磁损耗的物理机制得出损耗虽然对电磁材料的应用带来负面效应, 但是在特殊材料结构中损耗反而是有益的. 将分析过程及结果渗透到本科物理学专业《 电动力学》的实践课中, 不仅拓宽了学生的知识面, 而且提升了学生的 创新能力     

几种微构件材料的表面能及纳观黏附行为研究

对微机电系统（MEMS）中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75 mJ/m²之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异,表面粗糙度的存在使表观表面能有所偏高.施加自组装分子膜后的表面能大为降低,粗糙度的存在可以使其表面能进一步减小.纳观黏附力和表面能之间有一定的对应关系.另外,在研究中发现表面粗糙度对纳观黏附行为的影响较小. 关键词： MEMS 表面能 纳观黏附 粗糙度