半导体InAs量子点单光子发射器件

文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.     

液面基准法标定干涉仪系统误差

为消除干涉仪标准参考面的误差,保证其测量准确度,本文采用液面基准法建立光学平面基准对仪器的系统误差进行标定.首先建立弯曲静液面动力学方程从理论上分析润湿效应对液面平面度的影响,并结合实验分析气流、温度、震动等环境因素对液面稳定性的影响,讨论波面稳定性评价指标,给予实验验证.最后用建立的大液面基准对干涉仪系统误差进行标定,给出标定结果.     

Sm_(1-x)Tb_x(TTA)_3phen转光剂的合成及SiO_2表面改性

为了提高稀土有机配合物的转光能力和紫外稳定性,以Sm(Ⅲ)为中心稀土离子,Tb为敏化离子,β-二酮类有机配体α-噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)及第二配体1,10-菲咯啉(phen)等作为主要配体,采用化学沉淀法合成了具有紫外转红光性能的转光剂Sm1-xTbx(TTA)3phen,并利用SiO2对配合物进行了表面改性.借助红外光谱、紫外-可见光吸收光谱及荧光光谱对配合物Sm1-xTbx(TTA)3phen的光学性能进行了系统分析.结果表明:Sm1-xTbx(TTA)3phen与Sm(TTA)3phen的配位结构基本一致;配合物的紫外光吸收特性主要由有机配体决定;配合物吸收紫外光后,均可产生Sm3+的特征光,其中Sm0.5Tb0.5(TTA)3phen在647nm处的荧光强度最高,达到8.0×106cps,光转换能力最强;敏化离子Tb3+的掺入可以显著提高配合物的荧光强度;配合物经二氧化硅包裹后,其紫外稳定性明显提高.     

面向21世纪高师物理教学模式探讨

本分析了现行高等师范院校物理教学模式存在的弊端与不足，然后从教学思想，教学观念，教学内容，教学方法以及教学手段诸方面提出了新的高师物理教学模式。     

深切悼念黄昆老师

黄昆先生从1951年回国以后，主要从事教育工作，把大部分精力放在教“普通物理”、“固体物理”和“半导体物理”等几门课上．1956年3月我国制定了12年科学技术发展规划，当时任北京大学物理系教授的黄昆先生参与了制定这个规划，他和其他专家一起建议：为了适应迅速发展的半导体科学技术事业的需要，要尽快培养半导体专门人才．不久当时的高等教育部就决定，将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（后改为吉林大学）物理系部分教师和四年级本科生以及研究生从1956年暑假起集中到北京大学物理系。     

“思维移项”创意新

1910年的一天，伦敦举行了一次“除尘器”表演，在当时，这种新玩艺儿颇为新鲜，很吸引人，围观者甚多．由于表演的是用风把灰尘吹走，结果观众满身满头被吹得都是灰尘，大家纷纷逃离表演现场，面对这种难堪被动的局面，有一个名叫布斯的有心人灵机一动：既然“除尘”靠“吹”不行，那么换一个角度，改为“吸”能不能解决问题呢?     

一类非自台非线性时滞差分方程正解的振动性

研究了一类非自治非线性时滞差分方程的正解关于平衡点l的振动性,所获结果改进和推广了文献[6]中的相关结论.     

高能重离子碰撞中的J/ψ反常抑制现象

对NA50合作组给出的入射动量为158A GeV/c的Pb-Pb碰撞中的J/ψ反常抑制现象进行了分析.在J/ψ的核与随动者吸收理论基础上，假设了QGP相变在对心Pb-Pb碰撞中的产生及QGP环境对J/ψ粒子100%的吸收效应，从而改进了高能重离子碰撞中的J/ψ微分产生截面，理论较好地解释了实验结果. 关键词： J/ψ反常抑制')" href="#">J/ψ反常抑制 核吸收 随动者 夸克-胶子等离子体     

解趣题

1.解趣题 某些数学题,偶尔有意或无意给出多余的条件,如果你缺乏敏锐的洞察力和细致的分析,惟恐漏用了某个条件的话,就常常会讨没趣.对这类题不必一概扣上病题或无聊把戏的     

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.