柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)

以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。     

808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W. 关键词： 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 高功率 大孔径     

一种导引头性能可视化评估方法

激光制导、微波制导的导引头由于不具备可视化功能,在实际环境中进行性能考核时,导引头是否成功截获指定目标、截获目标后的稳定跟踪过程是否正常以及在稳定跟踪过程中出现的问题都不易得到及时、准确的定位和分析。文中设计的可视化评估系统可有效解决上述问题,通过加装可见光成像系统同步伴随导引头运动的方法,将导引头搜索、跟踪目标的过程清晰成像,直观显示导引头的整个工作过程,同时利用图像跟踪系统和图像存储系统保存关键性能参数,试验完成后对导引头的输出参数及跟踪性能进行验证及处理,进而对导引头的性能参数进行分析和评估;通过动态跟踪或加载干扰源试验验证,该方法能利用可视化系统可靠同步跟随不可视导引头的运动,并对导引头跟踪过程进行定性观察及定量分析。该方法不仅可以克服室内仿真环境不太真实的缺点,又可进行多次重复性研究,性价比高,为导引头性能评估提供一种比较适用的研究手段。     

沸石中Eu2+的荧光光谱特性

利用水热离子交换法在不同的沸石中引入稀土离子Eu^3 ，系统研究了在600～1000℃范围内氢气还原的掺铕沸石的荧光光谱，实验结果表明不同的还原温度和不同的掺杂浓度可改变：Eu^2 发射峰的位置和相对强度，说明了离子在沸石中所处的配位环境、形成的化学键的性质的不同。     

采用AlSb缓冲层生长2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近。     

基于185例肺小结节CT图像灰度共生矩阵纹理特征的多水平模型研究

为探讨基于肺小结节CT图像灰度共生矩阵纹理特征的多水平模型,对北京友谊医院和宣武医院提供的185例2137张肺小结节CT图像提取4种灰度共生矩阵纹理特征。根据该类资料具有层次结构的特点,拟合多水平统计模型。结果表明,能量,熵和惯性矩,在患者水平上具有聚集性,且在良恶性肺小结节间的差异有统计学意义(P值均小于0.001),提示多水平模型可以灵活有效地处理肺小结节CT图像这类具有层次结构的数据,在一定程度上有利于早期肺癌的鉴别诊断。     

随机变量独立性的判别方法

归纳总结判别随机变量独立性的方法,并借助实例加以说明.     

基于柔性衬底的ZnO葡萄糖酶电极制备及特性

通过水热法在长有ZnO籽晶层的柔性聚酰亚胺(PI)衬底上生长了整齐的ZnO纳米棒,ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等进行表征.通过静电吸附方式,将葡萄糖氧化酶(GOx)固定在其表面.分别对GOx及修饰前后的ZnO纳米棒进行了紫外-可见光谱表征,发现修饰后存在ZnO的吸收峰和GOx的特征吸收峰,表明GOx固定在ZnO表面.通过对修饰样品进行傅里叶变换红外(FTIR)光谱测试发现了与GOx相关的吸收峰,这进一步表明GOx仍保持生物活性.最后在循环伏安曲线的测试中,这种在柔性衬底上制备的生物酶电极表现出非常灵敏的电流响应,为制备柔性葡萄糖生物传感器奠定了实验基础.     

六角锥状ZnO纳米结构的生长机理、结构及光学性能(英文)

利用醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N4)以一定比例配置成反应溶液,通过水热合成法制备了六角锥状ZnO纳米结构。同时,使用了扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射和选区电子衍射(SAED),对样品的形貌与结构进行了分析。结果表明,样品形貌成六角锥状结构,并且在[002]方向择优生长。通过对样品的光学性能测试,由PL光谱分析可知,样品在379nm处有一个较强的紫外发光峰,并且在可见光区域产生了一些较弱的可见光发射峰,表明制备的六角锥状ZnO纳米结构的晶体质量不是很好。除此之外,对六角锥状ZnO的生长机理也进行了讨论。     

InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。