沸石中Eu2+的荧光光谱特性

利用水热离子交换法在不同的沸石中引入稀土离子Eu^3 ，系统研究了在600～1000℃范围内氢气还原的掺铕沸石的荧光光谱，实验结果表明不同的还原温度和不同的掺杂浓度可改变：Eu^2 发射峰的位置和相对强度，说明了离子在沸石中所处的配位环境、形成的化学键的性质的不同。     

奇次Legendre多项式零点上的(0,1,3)插值的正则性

主要讨论了奇次Legendre多项式零点上的(0,1,3)插值的正则性,得出它是奇异的,但当对插值的条件作适当的改变后也得到正则的结论.     

稀土掺杂氧化铟低功耗汽油敏感材料的研究

采用微乳液法合成了纳米In2O3粉体，分别采用浸渍法和共沉淀法制备了掺杂Y2O3和Nd2O3的氧化铟。利用X射线衍射、透射电镜对氧化铟的结构和形貌进行了表征；采用静态配气法对氧化铟的气敏特性进行了测试。结果表明：微乳液法合成的氧化铟经600℃，1 h煅烧后，颗粒尺寸约20nm，且分布均匀。未掺杂的氧化铟气敏元件对汽油有较高的灵敏度，但选择性不好；氧化钕和氧化钇掺杂后，在3.0V工作电压下大大提高了氧化铟对汽油的灵敏度和选择性，氧化钇掺杂量为5.0％时对汽油的最大灵敏度达到了285．1，功耗只有200mW.     

ZnS∶Cu-罗丹明B的荧光共振能量转移性质

为了解决现有的基于量子点荧光共振能量转移体系的生物毒性问题,选用无毒的ZnS∶Cu量子点与罗丹明B构建新型荧光共振能量转移体系。通过共沉淀法成功制备了形貌均一的ZnS∶Cu纳米晶量子点。在此基础上,测试了不同掺杂浓度的ZnS∶Cu量子点及罗丹明B的荧光光谱。然后,通过对ZnS∶Cu量子点的表面修饰构建了以ZnS∶Cu量子点为供体、罗丹明B为受体的荧光共振能量转移体系。实验结果表明:ZnS∶2%Cu量子点的发光光谱与罗丹明B的吸收光谱在481 nm处有较大重合,说明构建荧光共振能量转移的最佳铜掺杂摩尔分数为2%。通过计算发现以ZnS∶2%Cu量子点为供体、罗丹明B为受体的荧光共振能量转移体系的能量转移效率为25.8%。进一步实验结果表明,罗丹明B浓度也能够影响能量转移。     

采用AlSb缓冲层生长2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近。     

基于185例肺小结节CT图像灰度共生矩阵纹理特征的多水平模型研究

为探讨基于肺小结节CT图像灰度共生矩阵纹理特征的多水平模型,对北京友谊医院和宣武医院提供的185例2137张肺小结节CT图像提取4种灰度共生矩阵纹理特征。根据该类资料具有层次结构的特点,拟合多水平统计模型。结果表明,能量,熵和惯性矩,在患者水平上具有聚集性,且在良恶性肺小结节间的差异有统计学意义(P值均小于0.001),提示多水平模型可以灵活有效地处理肺小结节CT图像这类具有层次结构的数据,在一定程度上有利于早期肺癌的鉴别诊断。     

随机变量独立性的判别方法

归纳总结判别随机变量独立性的方法,并借助实例加以说明.     

基于柔性衬底的ZnO葡萄糖酶电极制备及特性

通过水热法在长有ZnO籽晶层的柔性聚酰亚胺(PI)衬底上生长了整齐的ZnO纳米棒,ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等进行表征.通过静电吸附方式,将葡萄糖氧化酶(GOx)固定在其表面.分别对GOx及修饰前后的ZnO纳米棒进行了紫外-可见光谱表征,发现修饰后存在ZnO的吸收峰和GOx的特征吸收峰,表明GOx固定在ZnO表面.通过对修饰样品进行傅里叶变换红外(FTIR)光谱测试发现了与GOx相关的吸收峰,这进一步表明GOx仍保持生物活性.最后在循环伏安曲线的测试中,这种在柔性衬底上制备的生物酶电极表现出非常灵敏的电流响应,为制备柔性葡萄糖生物传感器奠定了实验基础.     

六角锥状ZnO纳米结构的生长机理、结构及光学性能(英文)

利用醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N4)以一定比例配置成反应溶液,通过水热合成法制备了六角锥状ZnO纳米结构。同时,使用了扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射和选区电子衍射(SAED),对样品的形貌与结构进行了分析。结果表明,样品形貌成六角锥状结构,并且在[002]方向择优生长。通过对样品的光学性能测试,由PL光谱分析可知,样品在379nm处有一个较强的紫外发光峰,并且在可见光区域产生了一些较弱的可见光发射峰,表明制备的六角锥状ZnO纳米结构的晶体质量不是很好。除此之外,对六角锥状ZnO的生长机理也进行了讨论。     

InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。