一个耦合系统自由边界问题的整体古典解

§ 1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒｗｅｄｉｓｃｕｓｓｔｈｅｇｌｏｂａｌｃｌａｓｓｉｃａｌｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆａｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｑｕａｓｉｓｔａｔｉｏｎａｒｙｐｒｏｂｌｅｍ .Ｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｃｏｍｅｓｆｒｏｍｔｈｅｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｏｆａｇｒｏｗｔｈｍｏｄｅｌｏｆｓｅｌｆｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇｐｒｏｔｏｃｅｌｌ(ｓｅｅ [1— 3])ｉｎｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｃａｓｅ .Ｔｈｅｐｒｏｔｏｃｅｌｌｃａｎｂｅｖｉｓｕａｌｉｚｅｄａｓｈａｖｉｎｇａｐｏｒｏｕｓｓｔ…     

W/VO2周期性纳米盘阵列可调中红外宽频吸收器

为了实现对3～5μm中红外光的完美吸收,仿真设计了一种基于W/VO2周期性纳米盘阵列的可调中红外宽频吸收器,利用时域有限差分法模拟计算了结构参数对吸收器性能的影响.在最佳结构参数条件下,吸收器表现出偏振无关和广角吸收的特性,在3.1～3.6μm范围内吸收率达99%以上,峰值吸收率为99.99%.低温时入射光的磁场被束缚在各单元VO2介质层的中心并得到完美吸收;高温时VO2发生相变表现为金属相,抑制吸收,高低温的吸收率差值可达78.8%.该吸收器有效弥补了传统吸收器吸收频带窄、吸收率不可调的缺陷,对中红外光电器件的应用有参考价值.     

微波在分析化学及有机合成中的应用

综述了近10年来微波技术在分析化学和有机合成中的应用，着重介绍了微波消解在分析化学和微波辐射在有机合成反应中的应用进展。     

Growth and characterization of InAs quantum dots with low-density and long emission wavelength

The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots （QDs） on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） are reported. The low-density InAs QDs （- 5 × 10^8cm^-2） are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence （PL） measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum （FWHM） are 1361 nm and 23 meV （35 nm）, respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium （TEG） and tertiallybutylarsine （TBA）. The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the ODs, respectively.     

CdS/ZnO纳米复合结构的制备、表征及其光催化活性的改善

利用简单的水热法在ZnO纳米棒表面合成CdS纳米粒子.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对CdS/ZnO异质结构进行表征.实验结果表明,在生长CdS的过程中ZnO被逐渐地腐蚀.选择CdS/ZnO纳米复合材料作为光催化剂在紫外光和绿光照射的条件下降解甲基橙(MO).CdS/ZnO纳米复合材料纳米棒作为光催化剂降解...     

RP-HPLC法测定黑顺片中6种酯型生物碱的含量

建立黑顺片中6种酯型生物碱含量的高效液相测定方法。采用岛津C18色谱柱(250 mm×4.6 mm,5μm),以乙腈–四氢呋喃(体积比为25∶15)为流动相A,以0.1 mol/L乙酸铵溶液(每1 000 m L加冰乙酸0.5 m L)为流动相B梯度洗脱,流量为1.0 ml/min,检测波长为235 nm,柱温为35℃。苯甲酰新乌头原碱、苯甲酰乌头原碱、苯甲酰次乌头原碱、新乌头碱、次乌头碱、乌头碱进样量分别在0.222~4.430,0.060~1.119,0.144~2.878,0.015~0.297,0.025~0.496,0.011~0.229μg范围内与色谱峰面积线性呈良好的线性关系,相关系数r均大于0.999 5,检出限分别为2.10,2.70,2.20,2.60,1.60,3.10 ng,样品在12 h内稳定。苯甲酰新乌头原碱、苯甲酰乌头原碱、苯甲酰次乌头原碱、新乌头碱、次乌头碱、乌头碱的加标回收率分别为98.7%~102.2%,98.6%~102.3%,99.0%~101.9%,102.0%~97.3%,102.1%~98.3%,95.7%~103.5%,测定结果的相对标准偏差分别为2.5%,2.5%,2.2%,2.3%,2.2%,1.7%(n=6)。该方法简便,测定结果准确、可靠,可为黑顺片的质量评价和质量控制提供参考。     

陶瓷刀具材料增强增韧机制的研究

用透射电子显微镜和扫描电子显微镜研究了金属陶瓷增强增韧机制,并用高压电子显微镜动态拉伸研究了第二相粒子对裂纹扩展的影响.     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。     

单粒子束精确定位照射装置在CR-39膜上刻蚀中国地图边界研究

采用自编写的图像处理程序把中国地图处理成为边界点阵图，并根据点阵图每点的坐标位置，利用中国第1台单粒子束精确定位照射装置提供的单质子束在CR-39膜上几百μm×几百μm的范围内辐照并刻蚀出中国地图边界. 研究表明，该单粒子束精确定位照射装置计数准确(98%)，定位精确(平均误差小于3 μm)，辐照路径算法选择合理(近邻法)，预测值和实测值吻合程度高，可以满足刻蚀CR-39膜微图像和生物细胞辐照实验的要求.