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采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2O3:Eu3+样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu3+的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu3+剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰。通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外,Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。 相似文献
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采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb:YAG/YAG)复合.晶体.利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺.通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量.研究表明Yb:YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化. 相似文献
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采用离子注入方法在氢化物气相外延法生长的AlN薄膜中注入了不同剂量的Dy~(3+)和Eu~(3+),制备了Dy~(3+)单掺、Dy~(3+)和Eu~(3+)共掺的AlN样品.对于Dy~(3+)单掺杂AlN样品,X射线衍射和拉曼散射实验结果表明随着Dy注入剂量的增加,样品的压应力也增加,形成了比较明显的损伤层;但当注入剂量由5×1014at/cm~2增加至1×1015at/cm~2时,压应力增加不明显,接近于饱和.对于Dy~(3+)和Eu~(3+)共掺的AlN样品,阴极荧光实验表明,AlN中Eu~(3+)和Dy~(3+)之间可能存在能量传递,能量传递途径为在声子辅助下从Dy~(3+)的4F9/2→6H15/2至Eu~(3+)的7F0→5D2的共振能量传递.此外,计算发现改变Dy~(3+)和Eu~(3+)离子的注入剂量比能实现发光色度坐标和色温的有效调控. 相似文献
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针对目前平台系统仿真方法计算效率低且精度不高的问题,提出了一种基于神经网络算法且考虑真实壁面条件的惯性平台系统仿真模型修正方法。从惯性平台三维仿真模型入手,使用神经网络算法修正后的对流换热系数作为惯性平台与外界的换热条件,建立系统与无限大空间进行热交换的仿真模型,利用该仿真模型得到了更高精度的系统内部温度分布。仿真与试验结果表明,修正后的仿真模型中网格数量减小24.61%,仿真精度提高了15.95%。所得到的对流换热系数修正系数可用于具有相似外壁面惯性平台的温度场仿真分析。 相似文献
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通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到GaN基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到GaN∶Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。GaN基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光。 相似文献
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合成了巯基乙酸(TGA)修饰的壳核型CdTe/CdS量子点(TGA-CdTe/CdS QDs)。 利用紫外-可见光谱吸收、荧光光谱研究TGA-CdTe/CdS QDs与盐酸药根碱(JH)的相互作用机理。 在pH值为7.4的tris-HCl缓冲溶液介质中,QDs与JH相互作用后使QDs的荧光呈线性猝灭,并有良好的线性关系(r=0.999 1),线性范围0.011~10 mg/L,检出限(3σ)为3.3×10-3 mg/L,因此可以作为一种快速、简便、定量测定盐酸药根碱的新方法。 相似文献
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