用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε₁和ε₂,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。 关键词：     

非晶态合金Ni_(64)B_(36)结构的计算机模拟(Ⅱ) 边界条件对模型结构的影响

本文用计算机制作的模拟Ni_(64)B_(36)非晶态合金的结构模型作为初始位形,分别在自由边界、固定边界、周期边界和准动态平衡边界条件下,用不同于以往的松弛方法进行了能量极小化计算。通过分析和对比松弛前后各模型的各种结构参数的变化,讨论了各类边界条件对松弛模型结构的影响。     

核磁共振成像用的球形磁体和环形磁体性能比较

本文对核磁共振成像用的球形空心线圈磁体和环形空心线圈磁体的性能进行计算机模拟比较证明环形磁体在很多方面可以与球形磁体相比拟。由于环形磁体加工容易,调节方便,因而可以取代球形磁体作成像仪器的主要部件。     

12C+112,124Sn反应中靶核中子数对出射粒子截面的影响

实验研究了入射能量E_l=70.0MeV的¹²C+¹¹²Sn和¹²C+¹²⁴Sn两个反应. 使用ΔE-E半导体探测器, 测量了两反应中出射的α、Li、Be、B各粒子的能谱和角分布. α粒子的角分布可以通过假定存在三种机制的α组份得到定性的解释. Li、Be、B的角分布为擦边角成峰, 无前角成峰组份.     

TiO2纳米管的力学和电子学性质

基于密度泛函理论研究了纤铁矿和锐钛矿型TiO₂纳米管的原子结构、稳定性、Young模量以及电子能带结构.计算结果显示：在纳米管直径较小时,锐钛矿型TiO₂纳米管的稳定性要好于纤铁矿型纳米管,随着管径的增大,纤铁矿型纳米管变得比锐钛矿型纳米管要更稳定.纤铁矿型TiO₂纳米管具有比锐钛矿型纳米管更大的Young模量,力学性能比较优异.另外,通过对电子能带结构的研究发现,手性对TiO₂纳米管的电子结构影响较大,纤铁矿（0,n）型和锐钛矿（n,0）型纳米管为间接带隙半导体,而纤铁矿（n,0）型和锐钛矿（0,n）型纳米管却具有直接带隙. 关键词： 2纳米管')" href="#">TiO₂纳米管 Young模量 间接带隙 直接带隙     

C60和C60／C70的激光脱附飞行时间质谱分析

采用激光脱附并直接测量离子的方法对实验室提取的C_(60)/C_(70)以及进一步分离得到的纯C_(60)进行了飞行时间质谱分析,并讨论了质谱分析过程中实验条件对结果的影响.     

远红外契伦柯夫FEL的动力学理论

契伦柯夫自由电子激光可以产生远红外相干受激辐射。本文建立了契伦柯夫自由电子激光的动力学理论并详细研究了初始信号频率,电子束电压和束—介质膜间隙对器件性能的影响。与自由电子激光,回旋自谐振脉塞比较,指出了短波契伦柯夫自由电子激光的几个显著特点。     

Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究

本文在LMTO-ASA能带计算中,采用冻结声子模型,系统地研究了Ⅲ-V族化合物半导体的Λ轴光学声子形变势随k值的变化关系,提供了9种Ⅲ-V族化合物在Λ轴不同k值情况下的光学声子形变势d₃₀(Λ), d₁₀(Λ,val)和d₁₀(Λ,con)的第一原理计算结果。     

甘氨酸和丙氨酸二肽、三肽中N-H…O=C分子内氢键键能的理论研究

提出一种计算多肽中N-H…O=C分子内氢键键能的新方法.并将新方法应用于计算甘氨酸和丙氨酸二肽、三肽中N-H…O=C分子内氢键键能.利用密度泛函理论B3LYP/6-31G(d)方法优化几何构型和计算频率.对全部结构计算MP2/6-311 G(3df,2p)水平上的单点能量.结果表明:在甘氨酸二肽中氢键键能为-6.38 kcal/mol,在丙氨酸二肽中氢键键能为-7.09-、6.25 kcal/mol;在甘氨酸三肽中氢键键能为-5.62 kcal/mol,在丙氨酸三肽中氢键键能为-5.37,-5.74 kcal/mol.