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We discuss separability of solutions to a Schr?dinger equation that describes a composite quantum system and give some kinds of Hamiltonians H(t) such that the solution to Schr?dinger equation induced by H(t) is separable at any time provided that it is separable at t = 0. For example, we prove that if the Hamiltonian H is time-independent and equals to the product PA■PB of two projections on the subsystems KAand KB, respectively, then the state |ψ(t) of the composite system starting from a separable initial |ψ(0) = |ψA■|ψB is separable for all t ∈ [0, T] if and only if either |ψA is an eigenstate of PA, or |ψB is an eigenstate of PB. 相似文献
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经典量子系统中的哈密尔顿为自伴算子,这不仅保证了系统能量本征值全部为实数,而且相应的本征态(单位长度的特征向量)构成了状态空间的一组正规正交基.然而存在一类PT-对称的物理系统,哈密尔顿的自伴性(共轭转置)被物理的PT-对称性所代替.一个完整的PT-对称哈密尔顿,其谱全部为实数且能构造一个合理的CPT-内积.本文研究一类PT-对称算子.固定时间反演算子T,得到宇称算子P的矩阵表示,进而给出每一组PT-对称哈密尔顿的具体表示形式.作为应用,选择一组确定的{P,T}算子,及PT-对称的哈密尔顿,给出两个在传统量子力学中不正交的量子态区分的刻画. 相似文献
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不同结晶度的乙二醇及其水溶液玻璃化转变与焓松弛 总被引:7,自引:0,他引:7
为了考察晶体成分对无定形成分玻璃化转变和结构松弛行为的影响,利用差示扫描量热法(DSC),结合低温显微技术,研究了乙二醇(EG)及其50%水溶液在不同结晶度时的玻璃化转变和焓松弛行为.采用等温结晶方法控制骤冷的部分结晶玻璃体中的晶体份额.DSC结果表明,对于部分结晶的EG,只有单一的玻璃化转变过程,而对于50%EG,当结晶度不同时,不同程度地表现出两次玻璃化转变(无定形相Ⅰ和无定形相Ⅱ).相Ⅰ的玻璃化转变温度和完全无定形态的含水EG的玻璃化转变温度相一致;相Ⅱ的玻璃化转变温度要比此温度约高6 ℃.低温显微观察结果印证了DSC实验结果.DSC等温退火的实验和KWW(Kohlrausch-Williams-Watts)衰变函数分析结果表明,EG无定形和50%EG中的两种无定形有不同的焓松弛行为. 相似文献
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分别通过浸渍法和共沉淀法制备了不同Ni负载量的Ni/Al2O3催化剂。考察了Ni负载量、制备方法以及反应温度对Ni/Al2O3催化甲烷裂解性能的影响。结果表明,在550℃,浸渍法制备的Ni/Al2O3催化剂,当Ni负载量为20%(质量分数)、Ni金属平均粒径为11.25 nm时,具有最佳的甲烷催化裂解效果,其每摩尔Ni的氢气产量和每克Ni碳产量分别为164 mol和15.30 g。催化剂制备方法对Ni/Al2O3甲烷催化裂解反应有显著影响,相同Ni负载量共沉淀法制备的Ni/Al2O3甲烷催化裂解总体效果要好于浸渍法制备的Ni/Al2O3,而且反应过程中生成的碳纤维较长,管径也较均一。550℃时,共沉淀法制备的Ni负载量为41.2%(质量分数)的Ni/Al2O3催化剂在反应至350 min时,仍保持着30%以上的转化率。 相似文献
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应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对GaAs进行电化学微加工. 研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响. 循环伏安实验表明, Br-可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂, L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂. CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面, 模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时, 刻蚀剂可以对GaAs进行加工. 利用表面具有微凸半球阵列的导电模板, 可以在不同类型GaAs上加工得到微孔阵列. 实验结果表明: 在相同刻蚀条件下, GaAs的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关, 刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大; 在加工过程中, p-GaAs相对于n-GaAs和无掺杂GaAs受到阳极氧化过程的影响较为显著, p-GaAs表面易生成氧化物层, 影响电化学微加工过程. X射线光电子能谱(XPS)和极化曲线实验也证明了这一点. 相似文献